40 V low VCEsat NPN/PNP transistor PBSS4240DPN
发布时间：
2025-08-27
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PBSS4240DPN
本资料为NXP Semiconductors公司生产的PBSS4240DPN型号40V低VCEsat NPN/PNP晶体管的详细数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、应用、电气参数、封装信息以及相关的限制值和热特性。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PBSS4240DPN40V低电压晶体管
2003 Feb 20
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4240DPN
Version 10
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4240DPN
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4240DPN
2018/03/05
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于PBSS4240DPN
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4041PX-Q 60 V、5 A PNP低VCEsat晶体管
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4240DPN
2019/01/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4240DPN
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4240DPN
2018/03/05
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS5540Z 40 V低VCEsat PNP晶体管数据表
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4032SP 30 V，4.8 A PNP/PNP低VCEsat（BISS）晶体管产品数据表
Rev. 2
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明为PBSS4230QA
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
60 V，2 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管
28 August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS4240DPN型产品的可靠性结果
2017/12/20
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| 技术文档 - 英文 |
PBSS4032ND材料清单全文
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4240V 40V低压VCEsat NPN晶体管
2003 Jan 30
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| 测试报告 - 英文 |
PBSS4240DPN产品质量信息
2019/07/11
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明为PBSS4260QA
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
30V，2.6A NPN低VCEsat（BISS）晶体管
Rev. 01
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于PBSS4260PAN
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
30V，5.7A NPN/NPN低VCEsat（BISS）晶体管
Rev.2
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| 技术文档 - 英文 |
PBSS4160X材料清单
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4032ND
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350ZèZL
2018/04/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4350ZèZL
2018/03/10
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| 技术文档 - 英文 |
PBSS4160V材料清单声明
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
40V低VCEsat NPN晶体管PBSS4240Y
2001年7月13日
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于PBSS4160QA
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
40V低VCEsat NPN晶体管PBSS4140V
2002年6月20日
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4032PX
2019/01/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4032PX
2018/04/23
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PBSS4032PX
2018/03/05
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| 技术文档 - 英文 |
PBSS4440D材料清单
2025/07/01
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4240T材料清单全文
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4032PD
2019/01/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4032PD
2018/04/23
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PBSS4032PD
2018/03/05
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4032PD材料清单
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4032NX
2019/01/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PBSS4032NX
2018/04/23
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PBSS4032NX
2018/03/05
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS4630PA材料清单声明
2025/07/01
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PBSS4032NX
Version 6
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| 数据手册 - 英文 |
30 V，3.5 A NPN低VCEsat（BISS）晶体管
Rev. 01
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世强AI
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应用/方案
下一代NXP低VCEsat晶体管：分立半导体的改进技术
本文介绍了NXP半导体公司新一代低VCEsat晶体管的技术特点和性能提升。这些晶体管在性能上有了显著改进，降低了饱和电压，提高了能效，适用于更高功率要求的开关应用。文章详细阐述了低VCEsat晶体管的技术背景、设计架构、性能优势以及在负载开关、电压稳定器、DC-DC转换器和充电应用中的实例。此外，还比较了通用晶体管和低VCEsat晶体管在性能上的差异，并介绍了NXP BISS晶体管支持的多种封装类型。
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BISS晶体管和超大肖特基整流器.分立半导体的改进技术
本资料主要介绍了Nexperia公司（原NXP Standard Product业务）的产品和技术发展，重点关注BISS晶体管和MEGA肖特基整流器等离散半导体器件。资料详细阐述了这些器件的技术优势，包括降低损耗、提高热传导性、降低饱和电压、提高电流增益等，以及它们在汽车、工业、计算、消费和可穿戴应用市场中的应用。此外，资料还提供了关于BISS晶体管和MEGA肖特基整流器的具体应用案例，如低边开关、反向极性保护二极管和OR’ing等。
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小巧轻便的车规 二极管和晶体管
Nexperia推出一系列车规级DFN封装的二极管和晶体管，满足AEC-Q101标准，具有可焊性侧面，旨在节省空间并降低重量。这些器件适用于汽车系统，提供高热传导性能和可靠性，支持AOI检测。产品组合包括双极性晶体管、MOSFET、二极管、LED驱动器等，封装类型多样，满足不同应用需求。
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小巧轻便的汽车 二极管和晶体管
Nexperia推出一系列小巧轻便的汽车级DFN封装二极管和晶体管，满足AEC-Q101标准。这些器件具有可焊性侧面，适用于多种应用，包括LED驱动器和ESD保护。DFN封装设计旨在节省空间并降低重量，同时保持高性能。产品线覆盖不同类型和规格的二极管、晶体管和MOSFET，并提供AOI检测支持以提高可靠性。
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CCPAK高功率氮化镓场效应晶体管
Nexperia推出的CCPAK高功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）采用紧凑的12 x 12 mm SMD封装，提供两种散热选项。该封装具有无键合线设计，优化热和电气性能，共源共栅配置简化设计。产品适用于电动汽车、工业和电信等领域，符合AEC-Q101质量标准。
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