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P9B40HP2 Power MOSFETs 400V, 9A, N-channel
发布时间: 2025-09-02
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
SHINDENGEN(新电元)
型号:
P9B40HP2
本资料主要介绍了P9B40HP2型号的400V、9A N-channel Power MOSFET。该产品具有高电压、低电容、高雪崩耐久性和高di/dt耐久性等特点,适用于各种标准应用。
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SHINDENGEN官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是SHINDENGEN的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供SHINDENGEN的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40%
Shindengen(新电元工业株式会社),1949年在日本成立,主要从事功率半导体和开关电源、电装制品的制造和销售,并以电力电子技术为主要领域。旗下的电源用肖特基二极管、 桥堆等分立器件产品的市场占有率稳居世界前列,在日本国内占95%的市场份额。其整流桥在全世界占有接近40%的市场份额,素有“桥王”之称。
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现货平台 / SHINDENGEN 授权代理店
订货型号 P15F60HP2 5600
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P15F60HP2
品类 POWER MOSFETs
描述/说明 Polarity:N-channel;VDSS:600V;ID:15A;PT:95W
封装/外壳/尺寸
最小包装量 200
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
Polarity N-channel
VDSS 600V
ID 15A
PT 95W
Tch -55℃~150℃
RDS(ON)(typ.) 0.41Ω
Ciss(typ.) 1750pF
Qg(typ.) 37nC
Vth(typ.) 3.75V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥14.7565
库存:
100
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订货型号 P20F50HP2 5600
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P20F50HP2
品类 POWER MOSFETs
描述/说明 Polarity:N-channel;VDSS:500V;ID:20A;PT:95W
封装/外壳/尺寸
最小包装量 250
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
Polarity N-channel
VDSS 500V
ID 20A
PT 95W
Tch 150℃
RDS(ON)(typ.) 0.29Ω
Ciss(typ.) 1735pF
Qg(typ.) 40nC
Vth(typ.) 3.75V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥22.4889
库存:
98
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订货型号 P15F50HP2 5600
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P15F50HP2
品类 POWER MOSFETs
描述/说明 Polarity:N-channel;VDSS:500V;ID:15A;PT:90W
封装/外壳/尺寸
最小包装量 60
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
Polarity N-channel
VDSS 500V
ID 15A
PT 90W
Tch 150℃
RDS(ON)(typ.) 0.4Ω
Ciss(typ.) 1340pF
Qg(typ.) 27nC
Vth(typ.) 3.75V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥14.7565
库存:
98
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订货型号 P10F60HP2 5600
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P10F60HP2
品类 POWER MOSFETs
描述/说明 Polarity:N-channel;VDSS:600V;ID:10A;PT:85W
封装/外壳/尺寸
最小包装量 100
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
Polarity N-channel
VDSS 600V
ID 10A
PT 85W
Tch 150℃
RDS(ON)(typ.) 0.67Ω
Ciss(typ.) 1040pF
Qg(typ.) 23nC
Vth(typ.) 3.75V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥10.2410
库存:
98
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订货型号 P8F28HP2 5600
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P8F28HP2
品类 POWER MOSFETs
描述/说明 Polarity:N-channel;VDSS:280V;ID:8A;PT:52.5W
封装/外壳/尺寸
最小包装量 250
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
Polarity N-channel
VDSS 280V
ID 8A
PT 52.5W
Tch -55℃~150℃
RDS(ON)(typ.) 0.38Ω
Ciss(typ.) 400pF
Qg(typ.) 9.8nC
Vth(typ.) 3.75V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥7.4668
库存:
80
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订货型号 P100FA7R5EN 5100
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P100FA7R5EN
品类 POWER MOSFETs
描述/说明 VDSS:75V;ID:100A;PT:140W;Tch:150℃
封装/外壳/尺寸
最小包装量 60
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS 75V
ID 100A
PT 140W
Tch 150℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥14.9335
库存:
50
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订货型号 P1B90VX3K
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P1B90VX3K
品类 Power MOSFETs
描述/说明 Power MOSFETs,Drain-source voltage:900V;VGSS:±30V;Drain current (peak):4A
封装/外壳/尺寸
最小包装量 1
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS 900V
VGSS ±30V
Drain current (peak) 4A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥2.5643
库存:
20
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订货型号 P7F90VX3
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P7F90VX3
品类 Power MOSFETs
描述/说明 P7F90VX3,Power MOSFETs,900V, 7A, N-channel
封装/外壳/尺寸 SC-91
最小包装量 1
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
V(BR)DSS 900V
VGSS ±30V
ID[A] 7
PT 95W
TOR 0.5N・m
RDS(ON)TYP 1.2Ω
RoHS Yes,Pb free terminal
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥9.2316
库存:
10
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订货型号 P140LF4QLK
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P140LF4QLK
品类 Power MOSFETs
描述/说明 40V, 140A, N-channel Power MOSFETs,N-channel,Small SMD,Large Current,Low Ron,4.5V Gate Drive,Low Capacitance,Based on AEC-Q101
封装/外壳/尺寸 MO-235B
最小包装量 1
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS[V] 40
ID[A] 140
IDP[A] 560
PT [W] 217
Ciss(typ)[pF] 6630
Qg(typ)[nC] 122
Vth(typ)[V] 2
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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P140LF4QLK 交期查询 >>
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订货型号 P38LF6QLK
品牌 SHINDENGEN
型号系列 P38LF6QLK
品类 Power MOSFETs
描述/说明 60V, 38A, N-channel Power MOSFETs,Feature:Small SMD,Large Current,Low Ron,4.5V Gate Drive,Low Capacitance,Based on AEC-Q101
封装/外壳/尺寸 MO-235B
最小包装量 1
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS[V] 60
ID[A] 38
IDP[A] 114
PT[W] 123
Tch[°C] -55 to 175℃
RDS(ON)(typ)[mΩ]VGS=10V 7.9
RDS(ON)(max)[mΩ]VGS=10V 9.9
Ciss(typ)[pF] 2340
Qg(typ)[nC] 49
Vth(typ)[V] 2.0
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥4.4700
库存:
0
世强硬创平台提供P38LF6QLK在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货0,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
P38LF6QLK 在线购买 >>
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功率MOSFET P9B40HP2
2016.02
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数据手册 - 英文
P9B40HP2功率MOSFET 400V,9A,N通道
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P9B40HP2功率MOSFET 400V,9A,N通道
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P9B40HP2功率MOSFET 400V,9A,N通道
Rev.02
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数据手册 - 英文
P9B40HP2功率MOSFET 400V,9A,N通道
Rev.01
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P9B40HP2
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Shindengen(新电元) 功率MOSFETs P9B40HP2数据手册
2016年02月22日
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Shindengen(新电元) 功率MOSFETs P3B28HP2数据手册
2016年02月22日
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Shindengen(新电元) 功率MOSFETs P8B28HP2数据手册
2016年02月22日
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P46LF7R5SL功率MOSFETs 75V,46A,N通道
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P46LF7R5SL功率MOSFETs 75V,46A,N通道
Rev.02
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P46LF7R5SL功率MOSFETs 75V,46A,N通道
Rev.01
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数据手册 - 英文
P54B4SN功率MOSFETs 40V,54A,N通道
Rev.04
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P54B4SN功率MOSFETs 40V,54A,N通道
Rev.03
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P54B4SN功率MOSFETs 40V,54A,N通道
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P54B4SN功率MOSFETs 40V,54A,N通道
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P46LF7R5SN功率MOSFETs 75V,46A,N通道
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P46LF7R5SN功率MOSFETs 75V,46A,N通道
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P46LF7R5SNK功率MOSFETs 75V,46A,N通道
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P46LF7R5SNK功率MOSFETs 75V,46A,N通道
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P14FE6SBK功率MOSFETs 60V,14A,N通道
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P14FE6SBK功率MOSFETs 60V,14A,N通道
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P30FE6SLK功率MOSFETs 60V,30A,N通道
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P30FE6SLK功率MOSFETs 60V,30A,N通道
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P30FE4SLK功率MOSFETs 40V,30A,N通道
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P30FE4SLK功率MOSFETs 40V,30A,N通道
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P72LF7R5SN功率MOSFET规格书
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P4F90VX3功率MOSFET规格书
Rev.03
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P72LF7R5SL功率MOSFET规格书
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P46LF7R5SN功率MOSFET规格书
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P25LF12SL功率MOSFET规格书
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P15LF6QTKD功率MOSFET规格书
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
MOSFET产品介绍
该资料主要介绍了MOSFET产品的发展与销售策略,包括全面扩大LF和FZ封装在消费和汽车(AEC-Q 101)市场的销售,以及900V FTO-220和FH产品的即将量产。此外,资料还涉及了EEVAMOS和CoolMOS(CP系列)的提案,以及EET5代芯片的RS样品准备。同时,还展示了低电压MOSFET工艺路线图和高压MOSFET工艺路线图,以及不同封装类型的特点和应用。
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【产品】400V,9A的高压N沟道功率MOSFET,大功率电路设计首选
新电元的P9B40HP2是一款SMD封装的N沟道功率MOSFET,兼具小尺寸、低噪音等优点,其结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W,可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。
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【产品】导通电阻最低0.65Ω的N沟道功率MOSFET,大功率开关电源理想选择
Shindengen(新电元)的P1R5B40HP2/P4B40HP2/P6B40HP2/P9B40HP2的漏源电流分别为1.5A/4A/6A/9A,漏源二极管di/dt耐受能力高达350A/us
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【产品】100%通过di/dt雪崩测试的HiPotMOS系列MOSFET
新电元的HiPotMOS系列MOSFET是业内唯一100%通过di/dt雪崩测试的产品,具有高击穿强度,其工作电压最高为600V,工作电流最大可达36A。相比于VX3系列产品,HiPotMOS系列MOSFET的导通阻抗降低约20%,最低导通阻抗仅0.08Ω;同时,该系列MOSFET的Ron*Qg值相比于传统产品减小了45%,可实现更低损耗,并有效提高系统效率。
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