Trench N-MOSFET 65V, 7.1mΩ, 85A
发布时间：
2025-09-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
德普微电子（DEVELOPER MICROELECTRONICS）
型号：
DP6580
本资料详细介绍了DP6580型65V、7.1mΩ、85A trench N-MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、电气特性、热阻、静态特性、动态特性、体二极管特性以及典型性能特性等。此外，还提供了封装信息、订购信息和测试电路波形。
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德普微电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是德普微电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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LED显示驱动技术的领航者：专注于电源管理、电机驱动及LED照明芯片的设计与制造企业——德普微电子（DP）
深圳市德普微电子（DP）有限公司成立于2006年4月，坐落于深圳市南山区高新园，主业为集成电路、功率器件设计和销售，可为消费电子等领域多类应用场景提供解决方案。经过多年稳健发展，公司目前已在深圳、成都、厦门、遂宁建立了研发基地和封测工厂，在中山、苏州设立了分公司，拥有合作伙伴1000余家，产品涵盖DDIC、PMIC、处理器和功率器件，年出货量约50亿颗，申请知识产权250余项。
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| 订货型号 | DP6580 | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP6580 | 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):65V;VGS(V):±20V;ID(A):85A;Vth(V):3V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS(V) | 65V |
| VGS(V) | ±20V | ID(A) | 85A |
| Vth(V) | 3V | VGS10V(TYP) | 7.1V |
| VGS10V(MAX) | 8.4V | ESD | N |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8320
库存：
0
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| 订货型号 | DPDW01-S | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01-S | 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 性比价单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 | 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 | 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 | 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 | 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 | 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 | 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 | 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 | ||
授权代理商：
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￥0.0730
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| 订货型号 | DPDW01 | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01 | 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 | 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 | 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 | 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 | 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 | 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 | 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 | 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 | ||
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥0.1010
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| 订货型号 | DP30100 | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP30100 | 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):30V;VGS(V):±20V;ID(A):100A;Vth(V):1.6V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS(V) | 30V |
| VGS(V) | ±20V | ID(A) | 100A |
| Vth(V) | 1.6V | VGS10V(TYP) | 3V |
| VGS10V(MAX) | 4V | VGS4.5V(TYP) | 4.2V |
| VGS4.5V(MAX) | 5.7V | ESD | N |
授权代理商：
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价格：
￥0.3850
库存：
0
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| 订货型号 | DP8261-G3J | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP8261-G3J | 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:3,过放解除电压TYP（V）:3 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 | 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 3 | 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.08 | 充电过流检测TYP（V） | 0.2 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 | 休眠功能 | YES |
| 正常功耗TYP(µA) | 1 | 休眠功耗MAX(µA) | 0.5 |
| 过充延时TYP(mS) | 1000 | 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 | 充电过流延时TYP(mS) | 20 |
| 短路延时TYP(µS) | 300 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0750
库存：
0
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| 订货型号 | DPDW01G | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01G | 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 | 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 | 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 | 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 | 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 | 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 | 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 | 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥0.1180
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| 订货型号 | DP8205 | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP8205 | 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Dual;VDS(V):20V;VGS(V):±12V;ID(A):5A;Vth(V):0.7V | 封装/外壳/尺寸 | TSSOP-8 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.1290
库存：
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| 订货型号 | DP060N03FGL | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP060N03FGL | 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):30V;VGS(V):±20V;ID(A):65A;Vth(V):1.8V | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5X6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS(V) | 30V |
| VGS(V) | ±20V | ID(A) | 65A |
| Vth(V) | 1.8V | VGS10V(TYP) | 5.2V |
| VGS10V(MAX) | 6.5V | VGS4.5V(TYP) | 7.2V |
| VGS4.5V(MAX) | 9V | ESD | N |
授权代理商：
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商品标签：
授权代理,
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价格：
￥0.5120
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0
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| 订货型号 | DP8261-DAM | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP8261-DAM | 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.4,过充解除电压TYP（V）:4.2,过放检测电压TYP（V）:3,过放解除电压TYP（V）:3.2 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.4 | 过充解除电压TYP（V） | 4.2 |
| 过放检测电压TYP（V） | 3 | 过放解除电压TYP（V） | 3.2 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.25 | 充电过流检测TYP（V） | 0.2 |
| 短路检测TYP（V） | 0.5 | 休眠功能 | YES |
| 正常功耗TYP(µA) | 1 | 休眠功耗MAX(µA) | 0.5 |
| 过充延时TYP(mS) | 1000 | 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 20 | 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 300 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2010
库存：
0
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| 订货型号 | DP045N03FTL | 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP045N03FTL | 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):30V;VGS(V):±20V;ID(A):80A;Vth(V):1.3V | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5X6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS(V) | 30V |
| VGS(V) | ±20V | ID(A) | 80A |
| Vth(V) | 1.3V | VGS10V(TYP) | 3.7V |
| VGS10V(MAX) | 4.8V | VGS4.5V(TYP) | 4.9V |
| VGS4.5V(MAX) | 6.9V | ESD | N |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5890
库存：
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| 数据手册 - 中文 |
深圳市德普微电子有限公司 *TRMOS N-MOSFET 60V, 8mΩ, 72A*
Rev 1.0
|
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| 数据手册 - 中文 |
DP6580B 深圳市德普微电子有限公司 *TRMOS N-MOSFET 60V, 7.9mΩ, 80A*
1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
DP028N12TGN DPMOS N-MOSFET 120V，2.2mΩ，225A
Rev1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
DP010N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V，0.9mΩ，200A
Rev1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
DP050N15KGN2 DPMOS N-MOSFET 150V，4.2mΩ，180A
Rev1.0
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TRMOS N沟道MOSFET 30V，2.6mΩ，91A
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DP100N06BGL, DP100N06PGL TRMOS N-MOSFET 60V, 7.8mΩ, 80A TO-220 TO-263
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DPMOS N沟道MOSFET 80V，5.3mΩ，54A
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DPMOS N沟道MOSFET 85V，3.2mΩ，100A
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DPMOS N沟道MOSFET 80V，4.6mΩ，90A
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DPMOS N沟道MOSFET 135V，3.5mΩ，221A
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DPMOS N沟道MOSFET 100V，4.4mΩ，158A
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DP023N10TGNT DPMOS N沟道MOSFET 100V，1.3mΩ，334A
2024 Rev1.0
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DP036N02FTL 高密度 trench MOSFET 产品概述
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Unknown
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DP110N06DGL
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DP160N06DGL
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DP31213HFS 17V、3A 1.2MHZ 同步降压转换器
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DP080N10FGL DPMOS N沟道MOSFET 数据手册
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DP3269S_REV2.0_CN
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DPM32M08x
1.3
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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德普微电子推出30V/60A N-MOSFETDP045N03MTL，采用DFN3.3*3.3小型封装
DP045N03MTL是德普微电子推出的一款采用Trench工艺，DFN3.3*3.3封装的MOSFET新品，为锂电池保护板、DC-DC、PD电源Vbus等应用提供了更加优质的解决方案。
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