IGBT Modules
发布时间:
2025-10-18
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
扬杰科技(YANGJIE TECHNOLOGY)
型号:
MG100HF12LEC1
本数据手册详细介绍了MG100HF12LEC1型IGBT模块的技术特性与应用参数。该模块专为高频驱动、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)及电焊机等工业领域设计,核心优势在于采用NPT技术的高速IGBT,具备低开关损耗和高达10μs的短路能力。模块内部集成了超快速且具有软恢复特性的反并联二极管,并具有低电感结构,最大结温可达150℃。在电气性能方面,其集电极-发射极电压为1200V,连续集电极电流为100A,重复峰值集电极电流达200A,门极-发射极电压为±20V,总功耗为961W。资料还涵盖了模块的绝对最大额定值、电气特性曲线、封装细节及电路图,为工程师进行精确的电路设计与系统评估提供了全面参考。针对文中所述器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全程技术支持,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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扬杰科技官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是扬杰科技的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供扬杰科技的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE)
扬杰科技(YANGJIE)成立于2006年,专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展,于2014年上市,主营产品为各类分立器件芯片、整流二/三极管、整流桥、快恢复二极管、稳压二极管、功率模块、保护器件、中低高压MOSFET等,是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业。
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现货平台 / 扬杰科技 授权代理店
| 订货型号 | MG100HF12LEC1 | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG100HF12LEC1 | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT模块,VCES_Min(V):1200;IC@TC=80℃(A):100 | 封装/外壳/尺寸 | C1 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES_Min(V) | 1200 | IC@TC=80℃(A) | 100 |
| VCE(sat)_Typ(V) | 3 | Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ) | 19.4 |
| Rth(j-c)_Max((℃/W) | 0.185 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
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| 订货型号 | DGW40N120CTLQ | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | DGW40N120CTLQ | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | General Inverter for Automotive and Industrial Use,Low Collector - Emitter Saturation Voltage | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 490 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCE | 1200V | IC | 40A |
| VCE(SAT)IC=40A | 1.85V | PD | 428W |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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授权代理,
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原厂认证
价格:
¥18.0000
库存:
30
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| 订货型号 | MG200TF12MLE2A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG200TF12MLE2A | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT Modules,Motor Drivers | 封装/外壳/尺寸 | E2A |
| 最小包装量 | 6 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES _Min(V) | 1200 | IC@T100℃(A) | 200 |
| VCE(sat) _Typ(V) | 1.7 | Rth(j-c) _Max((℃/W) | 0.23 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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价格:
¥546.6670
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0
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| 订货型号 | MG75HF12TLC1 | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG75HF12TLC1 | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT模块,VCES_Min(V):1200;IC@TC=80℃(A):75 | 封装/外壳/尺寸 | C1 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES_Min(V) | 1200 | IC@TC=80℃(A) | 75 |
| VCE(sat)_Typ(V) | 1.85 | Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ) | 16.7 |
| Rth(j-c)_Max((℃/W) | 0.26 | ||
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0
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| 订货型号 | MG75HF12LEC1 | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG75HF12LEC1 | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT模块,VCES_Min(V):1200;IC@TC=80℃(A):75 | 封装/外壳/尺寸 | C1 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES_Min(V) | 1200 | IC@TC=80℃(A) | 75 |
| VCE(sat)_Typ(V) | 3 | Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ) | 13.3 |
| Rth(j-c)_Max((℃/W) | 0.19 | ||
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| 订货型号 | MG50P12E1A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG50P12E1A | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT模块,VCES_Min(V):1200;IC@TC=80℃(A):50 | 封装/外壳/尺寸 | E1A |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES_Min(V) | 1200 | IC@TC=80℃(A) | 50 |
| VCE(sat)_Typ(V) | 1.9 | Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ) | 13.06 |
| Rth(j-c)_Max((℃/W) | 0.52 | ||
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| 订货型号 | MG75P12E2 | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG75P12E2 | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT模块,VCES_Min(V):1200;IC@TC=80℃(A):75 | 封装/外壳/尺寸 | E2 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES_Min(V) | 1200 | IC@TC=80℃(A) | 75 |
| VCE(sat)_Typ(V) | 1.85 | Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ) | 15.2 |
| Rth(j-c)_Max((℃/W) | 0.339 | ||
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| 订货型号 | MG50P12E2 | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG50P12E2 | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT模块,VCES_Min(V):1200;IC@TC=80℃(A):50 | 封装/外壳/尺寸 | E2 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES_Min(V) | 1200 | IC@TC=80℃(A) | 50 |
| VCE(sat)_Typ(V) | 1.9 | Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ) | 13.06 |
| Rth(j-c)_Max((℃/W) | 0.52 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
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0
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| 订货型号 | MG50P12E2A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG50P12E2A | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT模块,VCES_Min(V):1200;IC@TC=80℃(A):50 | 封装/外壳/尺寸 | E2A |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES_Min(V) | 1200 | IC@TC=80℃(A) | 50 |
| VCE(sat)_Typ(V) | 1.9 | Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ) | 13.06 |
| Rth(j-c)_Max((℃/W) | 0.52 | ||
授权代理商:
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商品标签:
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库存:
0
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| 订货型号 | MG450HF12TFC2 | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MG450HF12TFC2 | 品类 | IGBT模块 |
| 描述/说明 | IGBT模块,VCES_Min(V):1200;IC@TC=80℃(A):450 | 封装/外壳/尺寸 | C2 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCES_Min(V) | 1200 | IC@TC=80℃(A) | 450 |
| VCE(sat)_Typ(V) | 2.25 | Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ) | 54 |
| Rth(j-c)_Max((℃/W) | 0.065 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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NLM(日轻)以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺,为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器,热阻≤0.03 K/W。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MG100HF12LEC1 IGBT模块
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100HF12LEC1 IGBT模块
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT模块
2025/12/25
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT模块
2025/12/22
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT模块
2025/10/22
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT模块
2025/10/18
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGBT模块
2025/10/18
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGBT模块
2025/04/02
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGBT模块
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MG100P12E2 IGBT模块
Rev.1.6
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| 数据手册 - 英文 |
MG100P12E2 IGBT模块
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100U12GJ IGBT Modules
Rev.2.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100P12E2 符合RoHS指令
2025/12/22
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| 数据手册 - 英文 |
MG100HF06C1 IGBT Modules
Rev.2.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100UZ12MRGJ IGBT模块
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100UZ12GJ IGBT Modules
Rev.2.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100HF12MRC1 IGBT Modules
Rev.2.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100HF12TFC1 IGBT模块
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100HF12MRC1 IGBT模块
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
MG100HF12C1 IGBT Modules
Rev.2.0
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MG100HF12C2 IGBT Modules
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MG100HF12MIC1 IGBT模块
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MG100HF12LVC1 IGBT模块
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MG100HF12TLC1
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IGBT高频系列C1模块
2022/7/20
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MG10P12E1 IGBT模块
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MG10P12E1 IGBT模块
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MG10P12P2 IGBT模块
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MG10P12P2 IGBT模块
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MG10P12P2 IGBT模块
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MG10P12P3 IGBT模块
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IGBT模块
2026/03/18
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IGBT模块
2025/12/25
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IGBT模块
2025/12/25
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IGBT模块
2025/12/25
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IGBT模块
2025/12/25
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技术论坛
我们优化设计一款20HP炼胶机变频器,输入电压为380V AC,逆变电路原采用三个英飞凌半桥34mm IGBT模块FF100R12RT4,逆变电路功率器件准备国产替代设计,请推荐封装兼容,性能相当的国产品牌IGBT半桥模块。
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我司在伺服驱动器项目中需要一款PIM,输入电压三相380V,母线基本在500-600V左右,目前有在用英飞凌的1200V 100A,EasyPIM封装的PIM模块,请问有合适的物料推荐吗?
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我司立项设计一款真空泵变频控制系统,交流输入380V, 真空泵功率1HP,原设计了英飞凌的PIM,封装为 W1T4,希望选型一款国产品牌的PIM,封装兼容WIT4,性能满足需求,请推荐合适的器件。
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近期做OEM国产化替代,PMOS可替代DMG1013UWQ-7,车规,求推荐。
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你好,寻找替换Diodes的N-MOSFET DMG1012T-7,请帮忙推荐,谢谢!
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
新品 Econo 3系列 IGBT模块,变频伺服领域"平替黑马" 发布
扬杰科技推出Econo 3系列IGBT模块,采用第七代微沟槽技术,具备高电流输出能力、低损耗和高温运行特性。产品性能接近英飞凌同类产品,适用于变频器和伺服驱动器。主要特点包括低开关损耗、正温度系数、强雪崩耐受能力等。
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IGBT高频系列C1模块
该资料宣布了一款IGBT高频系列产品的上市。产品具有C1(34mm)封装,电压等级为650V,电流范围在100A至200A之间。主要应用于工业焊机、高频电源和UPS等高频领域。产品具备环保物料,符合RoHS标准,最高结温为175℃。特点包括低关断损耗、超快速和软恢复特性的续流二极管、高短路支撑电流能力以及DBC结构的绝缘性散热底板。
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IGBT高频系列C1模块
该资料宣布了一款IGBT高频系列产品的上市。产品具有C1(34mm)封装,电压等级为650V,电流范围在100A至200A之间。主要应用于工业焊机、高频电源和UPS等高频领域。产品具备环保物料,符合RoHS标准,最高结温为175℃。特点包括低关断损耗、超快速和软恢复特性的续流二极管、高短路支撑电流能力以及DBC结构的绝缘性散热底板。
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【产品】扬杰科技新推IGBT高频系列C1模块,最高结温T175℃,适合工业焊机、UPS等高频应用
扬杰科技全新推出IGBT高频系列C1模块。该系列产品主要有C1(34mm)封装外形,电压等级为650V,电流涵盖100A~200A,主要用于工业焊机、高频电源、UPS等高频应用领域;采用环保物料,符合ROHS标准。
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伺服器及IGBT的应用
本文主要介绍了伺服系统及其在工业应用中的重要性。首先,阐述了伺服系统的基本概念,包括其定义、工作原理以及与变频器的区别。接着,详细描述了伺服系统的组成,包括电流环、速度环和位置环。此外,文章还讨论了IGBT在伺服系统中的应用要求,以及不同功率等级的伺服系统所需的IGBT模块型号和封装。
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IGBT高频系列模块 New Product Announcement
该资料介绍了高频系列 IGBT 模块的产品特性。主要包含两种封装类型:C1(34mm)和C2(62mm),电压等级为1200V,电流范围40A至300A。这些模块主要用于高频应用,如工业焊接机、感应加热和感应炉等。产品特点包括最高结温150℃,低关断损耗,适用于高频应用,并具有超快速和软恢复特性的续流二极管。此外,模块具备高短路支持电流能力,采用DBC结构的绝缘底板,符合RoHS环保标准。
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变频器IGBT模块新产品发布
该资料介绍了多种类型的频率转换器IGBT模块,包括C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3等封装,适用于工业变频器、服务器控制器、电源供应等应用。这些模块具有低饱和压降、正温度系数、高短路电流能力、良好的动态和静态参数一致性,并符合RoHS环保标准。资料还提供了电路图、封装尺寸和应用电路等信息。
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IGBT高频系列模块 新品宣告
IGBT高频系列模块产品包括C1(34mm)和C2(62mm)两款封装,电压等级1200V,电流范围40A至300A。适用于工业焊机、感应加热、电磁炉等高频应用。产品具备低关断损耗、超快速续流二极管、高短路支撑电流等特性,采用DBC结构绝缘散热底板,符合RoHS标准。
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IGBT变频器系列模块 新品宣告
IGBT变频器系列模块包括多种封装外形和拓扑结构,电压等级1200V,电流范围10A至300A。适用于工业变频器、伺服控制器和电源应用。产品具有优异的动静态参数一致性,环保物料符合RoHS标准。特点包括低饱和压降、高短路电流能力、DBC结构散热底板等。
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