GFB70N03-VB Datasheet N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
发布时间：
2025-10-27
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
GFB70N03-VB
本数据手册详细介绍了GFB70N03-VB型N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的产品特性、技术参数及应用场景。作为一款Trench Power MOSFET，该器件经过100% Rg和UIS测试，并符合RoHS指令2011/65/EU环保要求。资料内容涵盖了器件的绝对最大额定值、热阻评级以及详细的静态和动态规格参数，并提供了RDS(on)与VGS及温度的关系、正向二极管电压与温度的关系等典型特性曲线图，为工程师进行精确设计提供了可靠的数据支持。该MOSFET主要应用于OR-ing电路、服务器电源以及DC/DC转换器等领域，能够满足高效能电源管理的需求。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | GFB70N03-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | GFB70N03-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO263,沟道Single-N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | TO263 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 98A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
0
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资料平台
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N沟道贴片MOS管
2025/11/08
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VBGQA1254N N沟道 250V (D-S) MOSFET
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VBM1205N N沟道200V VDS MOSFET
2025/12/15
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VBGQA1151N N沟道 150V (D-S) MOSFET
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WSF28N06-VB 数据手册 N沟道 6 0-V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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VBN1405 N沟道 40V (D-S) 175°C MOSFET
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110N10F7-VB 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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NCE8295AWD-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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650V N沟道MOSFET
2026/04/06
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VBGQA1103 N沟道 100V (D-S) MOSFET
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IPP08CN10N G-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
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IPB04CNE8N G-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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25N06L-TN3-VB 数据手册 N沟道 60-V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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04CNE8N-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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50N06-VB TO220F 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
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IPB093N04L G-VB 数据手册 N沟道 40V（漏源）MOSFET
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06CN10N-VB TO220 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
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9466GS-VB 数据手册 N沟道 40V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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2SK357-VB 数据手册 N沟道 200V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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NP32N055SDE-E1-AY-VB 数据手册 N沟道 60-V（漏源）MOSFET
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SW100N10A-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
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IRFR540ZTRPBF-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏源）MOSFET
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SW100N10B-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
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STH80N10F7-2-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏源）MOSFET
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PSMN5R6-100PS-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
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RU140N10R-VB 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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SW150N10A-VB 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
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P60NF06-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
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IRL3714PBF-VB 数据手册 N沟道 30-V（漏源）MOSFET
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SW70N10V-VB TO252 数据手册 N沟道 100-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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N沟道60-V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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IRFZ44PBF-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
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STP315N10F7-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
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2025/11/08
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N沟道80v（D-S）MOSFET
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SPN6098-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
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NP80N055MLE-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
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N沟道100-V（D-S）MOSFET
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N沟道100-V（D-S）MOSFET
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MTP52N06VL-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
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F3710-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏源）MOSFET
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NCE80H11D-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
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ME70N06T-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
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N10L16-VB TO263 数据手册 N沟道 100-V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
VBsemi releases third-generation SiC MOSFET: 21mΩ ultra-low impedance redefines
As a leading company focusing on high-performance MOSFET design, VBsemi has launched a number of MOSFET products based on third-generation SiC technology for key areas such as DC fast charging of electric vehicles, energy storage systems (ESS) and bidirectional charging (V2G). With ultra-low on-resistance, high switching efficiency and excellent heat dissipation performance, these devices can perfectly replace traditional silicon-based solutions and help customers build more compact and efficient power systems.
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半桥LLC空载电压尖峰的电路设计改善方案
本文分析半桥LLC在空载时下管电压尖峰问题，指出因下管导通时谐振电感电流无法反向及体二极管反向恢复导致瞬时直通，引发电压尖峰。通过选用小漏源电容、恢复特性好的功率管，并缩短死区时间（如从190nS减至120nS），可显著降低电压尖峰，改善非ZVS状态下的电压应力。
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