Power MOSFET
发布时间：
2025-10-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
VBM165R01
本数据手册详细介绍了一款N-Channel Power MOSFET的技术规格与应用特性。该器件具备650V的漏源电压（VDS）及8.5mΩ的低导通电阻（RDS(on)），同时拥有14nC的低栅极电荷（Qg）特性，使其驱动电路设计更为简便。产品采用单配置结构，在栅极、雪崩及动态dV/dt鲁棒性方面进行了显著改进，并对电容、雪崩电压和电流进行了完整表征，确保了在严苛环境下的可靠性。凭借其优异的电气性能，该MOSFET主要适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及功率因数校正（PFC）等高效能电源管理领域。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | VBM165R01 | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBM165R01 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO220.N-Channel沟道,650V.1.4A.RDS(ON)=8500mΩ@VGS=10V,VGS=30V.Vth=2~4V.是一款采用Plannar技术单N沟道MOSFET,适用于电源管理模块、工业自动化等领域和模块。 | 封装/外壳/尺寸 | TO220 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds | 650V |
| Vth | 3.5V | Ida | 1A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5000
库存：
0
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| 订货型号 | VBA4101M | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA4101M | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.2个P-Channel沟道,-100V.-4.5A.RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=-1.1~-2.6V.是一款双P通道功率MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电子领域和模块。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-P+P | Vds | -100V |
| Vth | -2V | Ida | -4.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
0
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| 订货型号 | VBA5606 | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA5606 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.N+P-Channel沟道,±60V.13/-10A.RDS(ON)=6/12mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V.是一款双N型和P型沟道功率MOSFET,采用Trench工艺,适用于各种电路设计。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+P | Vds | ±60V |
| Vth | 2.8/-1.8V | Ida | 13/-10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.3880
库存：
0
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| 订货型号 | VBA2207 | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA2207 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.P-Channel沟道,-20V.-15A.RDS(ON)=8mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V.Vth=-0.5~-1.2V.是一款单P型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于各种功率控制和开关电路。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-P | Vds | -20V |
| Vth | -0.6V | Ida | -15A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5000
库存：
0
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| 订货型号 | VBA5101M | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA5101M | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.N+P-Channel沟道,±100V.4.6/-3.4A.RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=±1.5~±2.5V.是一款双N+P沟道功率MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电力电子应用。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+P | Vds | ±100V |
| Vth | ±2V | Ida | 4.6/-3.4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8000
库存：
0
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| 订货型号 | VBP112MC30 | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBP112MC30 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SIC.TO247.N-Channel沟道,1200V.30A.RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V.Vth=2.5~4.5V.是一种单N型碳化硅功率MOSFET器件,采用SiC-S技术,适用于电力电子转换器、汽车电子模块等电子领域。 | 封装/外壳/尺寸 | TO247 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds | 1200V |
| Vth | 2~4 | Ida | 30A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥22.3800
库存：
0
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| 订货型号 | VBL185R04 | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBL185R04 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO263.N-Channel沟道,850V.4.1A.RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V,VGS=30V.Vth=2~4V.是一款采用Plannar技术单N沟道功率MOSFET,适用于电源模块、风能转换系统等领域和模块。 | 封装/外壳/尺寸 | TO263 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds | 850V |
| Vth | 3.3V | Ida | 4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.9880
库存：
0
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| 订货型号 | VBP165R11 | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBP165R11 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO247.N-Channel沟道,650V.11A.RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=30V.Vth=2~4V.是一款采用Plannar技术单N型功率MOSFET,适用于工业电力系统、电动汽车控制器等领域和模块。 | 封装/外壳/尺寸 | TO247 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds | 650V |
| Vth | 3.5V | Ida | 11A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥5.9760
库存：
0
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VBP165R11 在线购买 >>
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VBP165R11 样品申请 >>
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VBP165R11 批量询价 >>
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| 订货型号 | VBP165R11S | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBP165R11S | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO247.N-Channel沟道,650V.11A.RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V,VGS=30V.Vth=2~4V.是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道功率MOSFET,适用于工业电源、太阳能逆变器等领域和模块。 | 封装/外壳/尺寸 | TO247 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds | 650V |
| Vth | 3.5V | Ida | 11A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥5.9760
库存：
0
世强硬创平台提供VBP165R11S在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
VBP165R11S 在线购买 >>
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VBP165R11S 期货订购 >>
| 订货型号 | VBL165R05 | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBL165R05 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO263.N-Channel沟道,650V.5A.RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=2~4V.是一款采用Plannar技术单N型功率MOSFET,适用于电源模块、工业自动化设备等领域和模块。 | 封装/外壳/尺寸 | TO263 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds | 650V |
| Vth | 3.5V | Ida | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
0
世强硬创平台提供VBL165R05在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供VBL165R05样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供VBL165R05批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
立即提交 车规级高功率密度功率模块冷却器定制 >>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
立即提交 笔电热管/高功率热管/平头热管定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2026/04/13
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2026/04/06
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/11/08
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N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
[VBM165R](http://www.vishay.com)05SE
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/11/08
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N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
15SE
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/10/29
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N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/10/29
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N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
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VBM165R36S 数据手册
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
VBM165R08S 数据手册
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
VBM165R25S 数据手册
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏源）MOSFET
2025/10/29
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N沟道650V（漏源）MOSFET
2025/10/29
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N沟道650V（漏源）MOSFET
2025/10/29
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N沟道650V（D-S）功率MOSFET
2025/10/29
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N沟道650 V（D-S）超级结MOSFET
2025/10/29
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N沟道650-V（D-S）超级结MOSFET
2025/10/29
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VBM165R12S 数据手册
2025/11/08
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VBM165R11 / VBE165R11 / VBMB165R11
2025/10/29
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VBM165R07 / VBMB165R07 VBE165R07 / VBFB165R07 功率MOSFET
2025/10/29
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VBM165R05 / VBMB165R05 VBE165R05 / VBFB165R05 功率MOSFET
2025/10/29
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VBM165R10 / VBMB165R10 / VBL165R10
2025/10/29
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N沟道650V功率MOSFET（耗尽型）
2025/10/29
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N沟道650V功率MOSFET（耗尽型）
2025/10/29
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VBM165R02S/VBMB165R02S VBE165R02S/VBFB165R02S功率MOSFET
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VDS(V): 650 RDS(on) (Ω): VGS= 10 V, 2.3 Qg (Max.) (nC): 31 Qgs (nC): 4.6 Qgd (nC): 17 配置: 单个
2026/04/10
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VBM165R12 / VBMB165R12 / VBL165R12
2025/10/29
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VBM165R05S / VBMB165R05S VBE165R05S / VBFB165R05S
2025/10/29
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VBE165R07S / VBFB165R07S VBM165R07S / VBMB165R07S 功率MOSFET
2025/10/29
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VBE165R07S / VBFB165R07S VBM165R07S / VBMB165R07S 功率MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
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LZ44ZL-VB 数据手册 功率MOSFET
2025/10/31
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STB50NE10L-T4-VB 数据手册 功率MOSFET
2025/10/30
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功率MOSFET FQP5P20-VB 数据手册
2025/10/30
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PHB9NQ20T-VB 数据手册 功率MOSFET
2025/10/30
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FZ44EL-VB 数据手册 功率MOSFET
2025/10/31
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STB40NF10T4-VB 数据手册 功率MOSFET
2025/10/30
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FZ48NL-VB TO262 数据手册 功率MOSFET
2025/10/31
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9972GR-VB 数据手册 功率MOSFET
2025/10/31
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K2914-VB 数据手册 功率MOSFET
2025/10/30
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
面向AI光伏治沙储能电站高效可靠需求的功率MOSFET选型策略与器件适配手册
AI光伏治沙储能电站的电力电子变换系统作为电站的“能量心脏”，为光伏阵列MPPT、储能PCS（变流器）、智能灌溉与监测设备提供高效电能转换与精准控制，功率MOSFET的选型直接决定系统转换效率、环境耐受性、功率密度及长期可靠性。本文针对沙漠电站对高温、高湿、高尘与高可靠性的严苛要求，以场景化适配为核心，形成一套可落地的功率MOSFET优化选型方案。
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VBsemi VBM165R25S SJ MOSFET：损耗降20%，赋能AI服务器高密度电源的可靠基石
VBsemi微碧半导体推出的VBM165R25S SJ MOSFET不仅是一款参数出色的高压功率器件，更是针对AI服务器高压输入、高效转换需求而生的解决方案级产品。
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养生壶爆炸事件背后的MOSFET选型思考
本文围绕养生壶爆炸事件，分析MOSFET在小家电中的关键作用，探讨电源转换、加热控制与电池管理模块的MOSFET选型要求，强调SOA、雪崩击穿与dV/dt等失效模式对安全性的影响，提出降额设计、热仿真与量产测试等可靠性设计准则。
阅读原文 >>
