Power MOSFET
发布时间：
2025-10-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
VBE17R02
本资料详细介绍了VBE17R02型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。资料还提供了产品规格、绝对最大额定值、工作温度范围、封装类型等信息。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | VBE17R02S |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBE17R02S |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO252.N-Channel沟道,650V.2A.RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V,VGS=30V.Vth=2~4V.是一款采用SJ_Multi-EPI技术的单N沟道场效应管,适用于多种电子领域和模块。 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds | 700V |
| Vth | 3.5V |
| Ida | 2A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8000
库存：
0
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| 订货型号 | VBA4101M |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA4101M |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.2个P-Channel沟道,-100V.-4.5A.RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=-1.1~-2.6V.是一款双P通道功率MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电子领域和模块。 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-P+P |
| Vds | -100V |
| Vth | -2V |
| Ida | -4.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
0
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| 订货型号 | VBA5606 |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA5606 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.N+P-Channel沟道,±60V.13/-10A.RDS(ON)=6/12mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V.是一款双N型和P型沟道功率MOSFET,采用Trench工艺,适用于各种电路设计。 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+P |
| Vds | ±60V |
| Vth | 2.8/-1.8V |
| Ida | 13/-10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.3880
库存：
0
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| 订货型号 | VBA2207 |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA2207 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.P-Channel沟道,-20V.-15A.RDS(ON)=8mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V.Vth=-0.5~-1.2V.是一款单P型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于各种功率控制和开关电路。 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-P |
| Vds | -20V |
| Vth | -0.6V |
| Ida | -15A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5000
库存：
0
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| 订货型号 | VBA5101M |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA5101M |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.N+P-Channel沟道,±100V.4.6/-3.4A.RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=±1.5~±2.5V.是一款双N+P沟道功率MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电力电子应用。 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+P |
| Vds | ±100V |
| Vth | ±2V |
| Ida | 4.6/-3.4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8000
库存：
0
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| 订货型号 | VBP112MC30 |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBP112MC30 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SIC.TO247.N-Channel沟道,1200V.30A.RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V.Vth=2.5~4.5V.是一种单N型碳化硅功率MOSFET器件,采用SiC-S技术,适用于电力电子转换器、汽车电子模块等电子领域。 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO247 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds | 1200V |
| Vth | 2~4 |
| Ida | 30A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥22.3800
库存：
0
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| 订货型号 | VBL185R04 |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBL185R04 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO263.N-Channel沟道,850V.4.1A.RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V,VGS=30V.Vth=2~4V.是一款采用Plannar技术单N沟道功率MOSFET,适用于电源模块、风能转换系统等领域和模块。 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO263 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds | 850V |
| Vth | 3.3V |
| Ida | 4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.9880
库存：
0
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| 订货型号 | VBP165R11 |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBP165R11 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO247.N-Channel沟道,650V.11A.RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=30V.Vth=2~4V.是一款采用Plannar技术单N型功率MOSFET,适用于工业电力系统、电动汽车控制器等领域和模块。 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO247 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds | 650V |
| Vth | 3.5V |
| Ida | 11A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥5.9760
库存：
0
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| 订货型号 | VBP165R11S |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBP165R11S |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO247.N-Channel沟道,650V.11A.RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V,VGS=30V.Vth=2~4V.是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道功率MOSFET,适用于工业电源、太阳能逆变器等领域和模块。 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO247 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds | 650V |
| Vth | 3.5V |
| Ida | 11A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥5.9760
库存：
0
世强硬创平台提供VBP165R11S在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | VBL165R05 |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBL165R05 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO263.N-Channel沟道,650V.5A.RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=2~4V.是一款采用Plannar技术单N型功率MOSFET,适用于电源模块、工业自动化设备等领域和模块。 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO263 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds | 650V |
| Vth | 3.5V |
| Ida | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
0
世强硬创平台提供VBL165R05在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合VBsemi原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供VBsemi快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
立即提交 车规级高功率密度功率模块冷却器定制 >>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
立即提交 笔电热管/高功率热管/平头热管定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
VBM17R0 / VBMB17R0 VBE17R0 / VBFB17R0
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
VBM17R0 / VBMB17R0 VBE17R0 / VBFB17R0
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/10/29
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
VBM17R07 / VBMB17R07 VBE17R07 / VBFB17R07
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29
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VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29
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VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29
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VBE17R07S / VBFB17R07S VBM17R07S / VBMB17R07S
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功率 MOSFET
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P3HNK90Z-VB 数据手册 功率MOSFET
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功率MOSFET FQP5P20-VB 数据手册
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K952-VB 数据手册 功率MOSFET
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N10L26-VB 数据手册 功率MOSFET
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B40NF10-VB 数据手册 功率MOSFET
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应用/方案
血糖仪功率MOSFET选型方案：高效可靠电源与负载管理适配指南
血糖仪电源管理系统与负载驱动电路作为整机“能量枢纽与执行单元”，需为传感器供电、电机驱动（如试纸弹出）、信号处理及无线通信等关键模块提供精准稳定的电能转换与控制，而功率MOSFET的选型直接决定了系统的功耗、响应速度、集成度及可靠性。本文针对血糖仪对低功耗、小型化、高精度及电池寿命的严苛要求，以场景化适配为核心，重构功率MOSFET选型逻辑，提供一套可直接落地的优化方案。
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