N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET
发布时间：
2025-10-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
6 0-V (D-S) MOSFET
本资料主要介绍了一种N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻率、规格、典型特性和热评级。资料详细描述了该MOSFET的电气性能、热性能和应用注意事项。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
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资料平台
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N沟道60-V（漏源）超级沟槽功率MOSFET
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IRF7493TRPBF-VB 数据手册 N沟道 80V（D-S）超级沟槽功率MOSFET
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2N06L07-VB TO220 数据手册 N沟道60V（漏-源）MOSFET • 175°C 结温 • 沟槽功率MOSFET 材料分类：
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N沟道80V（漏源）超级沟槽功率MOSFET VSO007N07MS-VB 数据手册
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STU15N20-VB 数据手册 N沟道 200V（漏源）MOSFET
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N沟道80V（漏极-源极）超级沟槽功率MOSFET TPC8051-H-VB 数据手册
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2025/10/30
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UD4003-VB 数据手册 P沟道 4 0 V（D-S）MOSFET
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APM4303KC-TRL-VB 数据手册 P沟道 30-V（漏源）MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D用在电动工具中，拥有180A的脉冲漏级电流
虹美功率半导体的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D可以被安全地应用在绝大多数的电动工具应用上，拥有180A的脉冲漏级电流，可以让电动工具在急速启停时拥有足够的通流能力，用以保障系统的稳定运行。出厂时是100％进行UIS测试，最大程度保证其雪崩特性的有效性和一致性，为广大产品应用保驾护航。
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【产品】-30V/-90A NCEP30P90K P沟道超沟槽功率MOSFET，提供最高效的高频开关性能
NCEP30P90K采用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于高频开关和同步整流。
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