K80D08K3-VB Datasheet N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
发布时间：
2025-10-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
K80D08K3-VB
本资料详细介绍了VBsemi公司生产的K80D08K3-VB型号N通道80V（D-S）MOSFET。资料涵盖了产品的特性、绝对最大额定值、热阻、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。
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世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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资料平台
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TK80D08K3-VB 数据手册 N沟道 80V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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N沟道贴片MOS管
2025/11/08
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VBGQA1254N N沟道 250V (D-S) MOSFET
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06CN10N-VB TO220 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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04CNE8N-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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2SK357-VB 数据手册 N沟道 200V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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NP32N055SDE-E1-AY-VB 数据手册 N沟道 60-V（漏源）MOSFET
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VBM1205N N沟道200V VDS MOSFET
2025/12/15
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IPB12CNE8N G-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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WSF28N06-VB 数据手册 N沟道 6 0-V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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VBGQA1151N N沟道 150V (D-S) MOSFET
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SW150N10A-VB 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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IPD25N06S2-40-VB 数据手册 N沟道 60-V（漏-源）MOSFET
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650V N沟道MOSFET
2026/04/06
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IRFR3410TRPBF-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏-源）MOSFET
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110N10F7-VB 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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NP109N055PUJ-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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25N06L-TN3-VB 数据手册 N沟道 60-V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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RU30160R-VB 数据手册 N沟道 30V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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IPP08CN10N G-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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NP40N055KHE-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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50N06-VB TO220F 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
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NCE8295AWD-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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PSMN5R6-100PS-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
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VBGQA1103 N沟道 100V (D-S) MOSFET
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RU140N10R-VB 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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VBN1405 N沟道 40V (D-S) 175°C MOSFET
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SW100N10A-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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P1504ES-VB 数据手册 N沟道 40V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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SW100N10B-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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NTD6415ANT4G-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏源）MOSFET
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N沟道60-V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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AP9990GI-HF-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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STP315N10F7-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
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IPB70N10SL-16-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏源）MOSFET
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SPN6098-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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IPB144N12N3 G-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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F3710-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏源）MOSFET
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N沟道100v（D-S）MOSFET
2025/10/29
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N沟道100-V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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N沟道100-V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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MTP52N06VL-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
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ME70N06T-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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N沟道200 V（D-S）MOSFET
2026/03/09
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N沟道200 V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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NCE82H110WD-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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IRFZ44STRR-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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BR50N06-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
VBsemi releases third-generation SiC MOSFET: 21mΩ ultra-low impedance redefines
As a leading company focusing on high-performance MOSFET design, VBsemi has launched a number of MOSFET products based on third-generation SiC technology for key areas such as DC fast charging of electric vehicles, energy storage systems (ESS) and bidirectional charging (V2G). With ultra-low on-resistance, high switching efficiency and excellent heat dissipation performance, these devices can perfectly replace traditional silicon-based solutions and help customers build more compact and efficient power systems.
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半桥LLC空载电压尖峰的电路设计改善方案
本文分析半桥LLC在空载时下管电压尖峰问题，指出因下管导通时谐振电感电流无法反向及体二极管反向恢复导致瞬时直通，引发电压尖峰。通过选用小漏源电容、恢复特性好的功率管，并缩短死区时间（如从190nS减至120nS），可显著降低电压尖峰，改善非ZVS状态下的电压应力。
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