F1405Z-VB Datasheet N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
发布时间：
2025-10-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
F1405Z-VB
本数据手册详细介绍了F1405Z-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET的全面技术规格与性能参数。该器件采用TO-220AB封装，具备极低的导通电阻（0.003Ω至0.009Ω）和高达210A的漏极电流处理能力，其阈值电压范围为2.0V至3.5V，绝对最大额定值支持60V漏源电压及±20V栅源电压。资料深入阐述了该MOSFET的电气性能、热阻评级（结到环境热阻为40°C/W）及典型特性曲线，为设计人员提供了精确的选型参考与热设计依据，适用于各类对功率密度与效率有较高要求的电子应用场景。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
VBsemi 授权代理店 >>
专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
访问VBsemi 品牌主页 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合VBsemi原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
立即获取 VBsemi 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供VBsemi快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 VBsemi 企业采购服务 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IRF1405Z-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
F1405ZF-VB 数据手册 N沟道 60V（漏极-源极）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
F1405ZS-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道60V（漏极-源极）MOSFET AUF1405ZL-VB 数据手册
2025/10/31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
F1405ZL-7P-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）175°C MOSFET
2025/10/31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
F1405ZS-7P-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）175°C MOSFET
2025/10/31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IRF1405ZSPBF-VB 数据手册 N沟道 60V（D-S）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道60V（漏极-源极）MOSFET AUIRF1405ZL-VB 数据手册
2025/10/31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AUF1405ZS-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IRF1405ZS-7PPBF-VB 数据手册 N沟道 60V（D-S）175°C MOSFET
2025/10/31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IRF1405ZF-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IRF1405ZL-7PPBF-VB 数据手册 N沟道 60V（D-S）175°C MOSFET
2025/10/31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AUIRF1405ZSTRR-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AUIRF1405ZSTRL-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AUIRF1405ZS-VB 数据手册 N沟道 60V（D-S）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
F1405-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道40 V（D-S）MOSFET
2025/10/29
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
F1405L-VB 数据手册
2025/10/31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AUF1405-VB 数据手册 N沟道 60V（漏-源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IRF1405STRLPBF-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IRF1405S-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
N/A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道60V（漏极-源极）MOSFET IRF1405LPBF-VB 数据手册
2025/10/31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AUIRF1405-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IRF1405STRR-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET
N/A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道贴片MOS管
2025/11/08
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
VBGQA1254N N沟道 250V (D-S) MOSFET
A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
VBM1205N N沟道200V VDS MOSFET
2025/12/15
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
VBGQA1151N N沟道 150V (D-S) MOSFET
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
WSF28N06-VB 数据手册 N沟道 6 0-V（D-S）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
VBN1405 N沟道 40V (D-S) 175°C MOSFET
A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
110N10F7-VB 数据手册 N沟道 100V（D-S）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
NCE8295AWD-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
650V N沟道MOSFET
2026/04/06
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
VBGQA1103 N沟道 100V (D-S) MOSFET
A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IPP08CN10N G-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
IPB04CNE8N G-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
25N06L-TN3-VB 数据手册 N沟道 60-V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
04CNE8N-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
50N06-VB TO220F 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
IPB093N04L G-VB 数据手册 N沟道 40V（漏源）MOSFET
2025/10/30
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
高端血压计袖带充气泵功率链路优化：基于泵浦驱动、阀控与电源管理的MOSFET精准选型方案
本文以系统化、协同化的设计思维，深入剖析高端血压计袖带充气泵在功率路径上的核心挑战：如何在满足快速响应、低噪音、低功耗、高可靠性及极致紧凑空间的多重约束下，为微型气泵电机驱动、高速排气阀控制及系统电源管理这三个关键节点，甄选出最优的功率MOSFET组合。
阅读原文 >>
Practical Design of the Power Chain for UAVs: Balancing Power Density, Efficiency, and System Reliability
Practical Design of the Power Chain for UAVs: Balancing Power Density, Efficiency, and System ReliabilityAs unmanned aerial vehicles (UAVs) evolve towards longer endurance, higher payload capacity, and greater operational robustness, their onboard power management and motor drive systems are critical determinants of mission success. A meticulously designed power chain is the physical foundation for achieving agile flight control, efficient power utilization, and resilience against harsh aerial environments like vibration and temperature extremes. This requires a strategic selection of semicond
阅读原文 >>
Practical Design of the Power Chain for High-End Photovoltaic Desert Control and Energy Storage Power Stations: Balancing Efficiency, Density, and Extreme Environment Reliability
As high-end photovoltaic desert control and energy storage power stations evolve towards higher capacity, greater intelligence, and unmanned operation in harsh environments, their internal power conversion and management systems are the core determinants of station efficiency, power density, and operational lifespan. A well-designed power chain is the physical foundation for these stations to achieve maximum power point tracking (MPPT) efficiency, high-rate bidirectional energy flow, and decades of maintenance-free operation under extreme temperature swings and sandy conditions.
阅读原文 >>
MOSFET Selection Strategy and Device Adaptation Handbook for High-End Medical Monitors with High-Efficiency and Reliability Requirements
The selection of power MOSFETs directly determines system efficiency, EMC performance, power density, and reliability. Addressing the stringent requirements of medical monitors for safety, precision, low noise, and continuous operation, this article focuses on scenario-based adaptation to develop a practical and optimized MOSFET selection strategy.
阅读原文 >>
Smart Charging Dock for High-End Robot Vacuum Power MOSFET Selection Solution: Efficient and Intelligent Power Management System Adaptation Guide
The selection of power MOSFETs directly determines the system‘s charging efficiency, thermal performance, power density, and operational reliability. Addressing the stringent demands of charging docks for fast charging, low heat generation, compact integration, and safety, this article reconstructs the MOSFET selection logic based on scenario adaptation, providing an optimized, ready-to-implement solution.
阅读原文 >>
面向畜牧养殖巡检机器人的功率MOSFET选型分析——以高集成度、高可靠电机驱动与电源管理系统为例
功率MOSFET的选型，深刻影响着系统的功率密度、动态响应、热性能及整机续航。本文针对畜牧养殖巡检机器人这一对空间紧凑、多轴控制、环境适应性强要求严苛的应用场景，深入分析关键功率节点的MOSFET选型考量，提供一套完整、优化的器件推荐方案。
阅读原文 >>
智能冰箱功率链路优化：基于多路负载与高效转换的MOSFET精准选型方案
本文探讨了智能冰箱功率链路优化中的MOSFET选型方案，聚焦于多路负载与高效转换场景下的器件选择与系统集成设计。
阅读原文 >>
功率MOSFET在AI LED封装自动化产线中的应用选型方案——高效、精准与可靠驱动系统设计指南
本文探讨功率MOSFET在AI LED封装自动化产线中的选型方案，涵盖精密运动控制、模块化供电单元及高速信号切换等场景，提出高效、精准与可靠驱动系统设计指南。
阅读原文 >>
AI智能魔镜的健康神经：HealthMirror-X系列智能魔镜专用MOSFET解决方案，重构健康监测的精准与智能边界
VBsemi推出的HealthMirror-X系列智能魔镜专用MOSFET解决方案，应用于多模态生物传感、边缘AI诊断、人机交互、医疗级安全及能源管理五大系统，提升健康监测精度、响应速度与系统可靠性，支持心率、血氧、体脂等检测及AI健康评估，满足家庭健康中枢需求。
阅读原文 >>
The Healthy Nerves of AI Smart Mirrors: How MOSFET Reconstructs the Boundaries O
As an innovation leader in the field of power semiconductors, VBsemi‘s latest HealthMirror-X series of MOSFET solutions for smart magic mirrors are redefining the accuracy, response speed and system reliability of health monitoring. This article will systematically analyze the five innovative application scenarios and key technological breakthroughs of VBsemi MOSFET in AI smart magic mirrors.
阅读原文 >>
