BUZ32 H-VB Datasheet N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
发布时间：
2025-10-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
BUZ32 H-VB
本数据手册详细介绍了BUZ32 H-VB N-Channel 200 V (D-S) MOSFET的产品特性、规格参数及应用领域。作为一款DT-Trench Power MOSFET，该器件专为高性能主侧开关应用设计，具备175°C的高结温能力和PWM优化特性，能够有效应对严苛的工作环境。产品在生产过程中经过了100%的Rg测试，确保了性能的稳定性与一致性，同时完全符合RoHS指令2002/95/EC的环保要求。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。文中所述相关产品在平台上支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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