STM4973-VB Datasheet Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
发布时间：
2025-11-05
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
STM4973-VB
本数据手册详细介绍了STM4973-VB型双P-通道30V（D-S）MOSFET的产品特性、应用领域及典型性能参数。作为一款Trench功率MOSFET，该器件具备卤素免费环保特性，并经过100% UIS测试，确保了应用的可靠性。在关键电气参数方面，其漏源电压（VDS）为-30V，在VGS=-10V条件下导通电阻（RDS(on)）低至0.035Ω，连续漏极电流（ID）为-7.3A，且具有17 nC的典型总栅极电荷（Qg）。凭借这些优异特性，该MOSFET非常适合用于负载开关等应用场景。STMicroelectronics在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | STM4973-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | STM4973-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-P+P,Vds(V):-30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-P+P | Vds(V) | -30V |
| Vth(V) | -1.7V | Ida(A) | -7.3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | VBA5104N | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBA5104N | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.SOP8.N+P-Channel沟道,±100V.6.3/-5.2A.RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=±1~±3V.是一款双N沟道和P沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于各种电源和功率控制应用。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+P | Vds | ±100V |
| Vth | ±2V | Ida | 6.3/-5.2A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.9440
库存：
0
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| 订货型号 | VBL2104N | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | VBL2104N | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 台积电流片,长电科技封装.TO263.P-Channel沟道,-100V.-43A.RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V.Vth=-1~-3V.是一款采用Trench技术高性能的P沟道MOSFET,适用于开关电源、工业自动化等领域和模块。 | 封装/外壳/尺寸 | TO263 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-P | Vds | -100V |
| Vth | -1.85V | Ida | -43A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥5.2320
库存：
0
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VBL2104N 交期查询 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
6A17-VB 数据手册 P沟道 6 0-V（D-S）MOSFET
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
D2 P沟道MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
双通道P沟道60 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SFP9Z14-VB 数据手册 P沟道 60-V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
双通道P沟道30 V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
2SJ265-VB 数据手册 P沟道 60V（漏-源）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
2SJ177-VB 数据手册 P沟道 60V（漏源）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
UF9Z24-VB 数据手册 P沟道 60-V（漏-源）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
MTB90P06Q8-VB 数据手册 P沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
NDS9407-VB 数据手册 P沟道 60V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
MTP9575Q8-VB 数据手册 P沟道 60V（漏极-源极）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
IRF5805TRPBF-VB 数据手册 P沟道 30-V（漏-源）MOSFET
N/A
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| 数据手册 - 英文 |
NTF2955T1G-VB 数据手册 P沟道 60-V（漏极-源极）MOSFET
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
NTF2955T1G-VB 数据手册 P沟道 60-V（漏极-源极）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
CEM4948-VB 数据手册 双P沟道 60-V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
CEM4948-VB 数据手册 双P沟道 60-V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
UPA1774G-VB 数据手册 双P沟道 60-V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
UPA1774G-VB 数据手册 双P沟道 60-V（漏源）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
HM30P10L-VB 数据手册 P沟道 100V（D-S）175°C MOSFET
未指定
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
双核守护，安全新标：VBsemi VBC9P3033双P沟道MOSFET——重新定义电池保护系统的可靠性与效率
电池系统正面临日益严峻的安全与能效考验，过充、过放、短路等故障可能引发热失控风险，而系统待机功耗与空间限制也对保护电路提出了更高要求：需在微安级静态电流下实现快速响应，在有限面积内集成强大保护功能，并确保整个电池生命周期内的绝对可靠。在此背景下，VBsemi微碧半导体推出的VBC9P3033双P沟道MOSFET并非单一器件，而是为电池保护模块量身打造的高集成度、高可靠性解决方案。
阅读原文 >>
国内首款 TO-252 -500V/4A P沟道高压小电流MOSFET-VBE25R04
VBE25R04是国内首款采用TO-252封装的-500V/4A P沟道高压MOSFET，具备高耐压、小体积、低导通电阻特性，适用于LED驱动、工业辅助电源及家电安全控制，显著节省PCB面积并提升系统可靠性。
阅读原文 >>
