S3M0160120J 碳化硅功率MOSFET
发布时间：
2025-11-19
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SMC（桑德斯）
型号：
S3M0160120J
本资料为S3M0160120J硅碳化物功率MOSFET的技术数据手册，详细介绍了该产品的特性、电气特性、热机械规格、订购信息和机械尺寸。该产品具有正温度特性、低导通电阻、快速开关速度和低开关损耗等特点，适用于电动汽车快速充电模块、电动汽车车载充电器、太阳能逆变器、在线UPS/工业UPS、开关模式电源、DC-DC转换器和能量存储系统等领域。
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SMC官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是SMC的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供SMC的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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拥有完整SIC产品体系——桑德斯（SMC）
桑德斯（SMC）成立于1997年，2000年建成晶圆生产线，并不断扩建改造。如今已经形成4英寸和6英寸片的关键工艺生产线。自量产以来，先后为韩国三星、LG、欧洲空客、松下，国内中兴通讯、熊猫电子等一批国际著名企业提供大量优质器件。
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技术支持/研发服务
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NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
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可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
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资料平台
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S3M0160120J 碳化硅功率MOSFET
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S3M0080120I 碳化硅功率MOSFET
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S1M0032065K 碳化硅功率MOSFET
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S1M0032065K 碳化硅功率MOSFET
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S3M0160120T 碳化硅功率MOSFET
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S3M0080120T 碳化硅功率MOSFET
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S3M0130150K 碳化硅功率MOSFET
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S4M0200075KA1碳化硅功率MOSFET
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S3M0160120I 碳化硅功率MOSFET
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S1M0032065D 碳化硅功率MOSFET
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S1M0032065D 碳化硅功率MOSFET
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S3M0080120B 碳化硅功率MOSFET
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S4M0009075KA1 碳化硅功率MOSFET
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S4M0040120DA1 碳化硅功率MOSFET
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S1M0060065J 650V 碳化硅功率MOSFET
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S1M0060065B 650V 碳化硅功率MOSFET
N2949, REV.-
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S1M1000170K 1700V碳化硅功率MOSFET
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S1M1000170K 1700V碳化硅功率MOSFET
2024/8/28
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S3M0300120K 碳化硅功率MOSFET
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S1M1000170D 1700V碳化硅功率MOSFET
REV.A
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S1M1000170D 1700V碳化硅功率MOSFET
2024/9/29
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S1M0060065T 碳化硅功率MOSFET
2026/02/03
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S4M0200075DA1 碳化硅功率MOSFET
N3041, Rev. -
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技术数据数据表 N3072，草案
N3072
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S2M0016120D-1 1200V 碳化硅功率MOSFET
Rev. A
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S1M1000170K 1700V 碳化硅功率MOSFET 数据手册
Rev. A
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S4M0040120KA1 碳化硅功率MOSFET数据手册
Rev.-
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REACH SVHC声明
Jan-24th-2024
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STF20200C（R）肖特基整流器数据表
Rev. C
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SD103BWSA肖特基势垒二极管数据手册
Rev. E
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S2M0016120K-1 1200V SiC功率MOSFET数据表
REV.A
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S2M0040120K-1 1200V SiC功率MOSFET数据表
REV.A
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S2M0040120J-1 1200V SiC功率MOSFET数据表
REV.A
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STD10300肖特基整流器数据手册
2024/4/29
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SKMS320-100高电压功率肖特基整流器数据表
2024/6/21
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ST6045C肖特基整流器数据表
2023/2/1
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SDURB1020CT-A超快整流器数据表
Rev. A
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SDUR2060W超快整流器数据表
Rev. A
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SDURF2040超快整流器数据表
Rev. B
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SDURD2060超快整流器数据表
2024/6/6
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】高阻断电压和低导通电阻的1200V碳化硅功率MOSFET裸片SPM2-1200-0025A，易于并联和驱动简单
SMC推出的一款1200V/81A碳化硅功率MOSFET裸片SPM2-1200-0025A，该器件具有高阻断电压、低导通电阻，高速开关、低电容，易于并联、驱动简单，抗闩锁效应等特性。
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【产品】1200V/41A碳化硅功率MOSFET SPM2-1200-0080A，具有导通电阻低、驱动简单等特性
SMC推出的一款1200V/41A碳化硅功率MOSFET SPM2-1200-0080A，该器件具有高阻断电压、低导通电阻，高速开关、低电容，易于并联、驱动简单，抗闩锁效应等特性，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器、电池充电、脉冲电源应用等。
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瑶芯微碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM可用于车载充电器，低阻值低损耗更具性价比
车载充电器（OBC）作为连接电动汽车与电网的关键组件，其销售额也在迅速增长，2024年第一季度装机量达到了170.12万套，同比增长42.68%。车载充电器可以直接从电源插座接收电力，为电动汽车提供便捷的充电方式，相比于车外充电器，OBC因尺寸和成本等限制，对效率和可靠性的要求更高。瑶芯微碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM可用于车载充电器，低阻值低损耗更具性价比。
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【产品】CETC推出TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，最大漏源电压650V
中电国基南方推出的WM2A017065K是采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，TC=25℃时VDS最大值为650V，且VGS=18V时ID为81A，RDS(on)典型值低至17mΩ；可用于EV充电、服务器电源、DC/DC转换器等。
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【产品】美浦森推出漏源电压达1200V的碳化硅功率MOSFET，具有N沟道增强模式
美浦森推出的碳化硅功率MOSFET，有MSH080120M1和MSK080120M1两个型号，具有N沟道增强模式，具有动态特性，包括输入电容、输出电容和反向传输电容。系统效率较高，易于并联且易于驱动，无卤素，符合RoHS。
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【产品】采用TO-263-7L封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，静态漏源导通电阻低至45mΩ
SCT4045DW7HR是ROHM公司推出的一款采用TO-263-7L封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，通过AEC-Q101认证，并具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单的特点。
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【产品】国产1200V N通道增强型碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装
长联推出了CL2M0040120D和CL2M0080120D N通道增强型碳化硅功率MOSFET，均采用TO-247-3封装形式，漏源电压1200V，适用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压DC/DC转换器、电池充电器、电机驱动、脉冲功率应用。
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【产品】1200V/40A/80mΩ碳化硅功率MOSFET G1M080120S，导通电阻与温度密切联系
泰科天润推出1200V/40A/80mΩ碳化硅功率MOSFET，漏源电压最大额定值1200V，连续漏极电流为40A。器件的漏源导通电阻典型值为80mΩ。器件的工作结温和存储温度范围宽至-55 ~ +220˚C。器件采用SMD1.0封装，具有低导通电阻，低电容和高速开关特性，可用于太阳能逆变器，开关电源和高压DC / DC转换器等领域。
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【经验】碳化硅功率MOSFET的开关特性以及如何评估？
碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们即可以快速切换，又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也存在潜在的缺点。本篇，Littelfuse将为大家讲述为什么很难描述SiC功率MOSFET的特性以及如何评估碳化硅器件的开关性能。
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【产品】碳化硅功率MOSFET CPM3-1200-0021A，采用C3M平面MOSFET 技术和N沟道增强模式
Wolfspeed公司推出的碳化硅功率MOSFET CPM3-1200-0021A，采用C3M Planar MOSFET 技术和N通道增强模式。这款新器件实现导通电阻Rds(on)低到仅21mΩ，并且在整个工作温度范围内具有1200V阻断电压，从而大大降低了降额要求。它可以应用于太阳能逆变器，EV充电器，高压DC / DC转换器，开关电源和负载开关。
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