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600V N-Channel e MOS PD Power MOSFET CFK30N60
发布时间: 2025-12-04
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
创飞芯源(CF-Xpower)
型号:
CFK30N60
本数据手册详细介绍了600V N-Channel e MOS PD Power MOSFET CFK30N60的产品特性、电气参数、热特性及封装信息。该器件基于先进的E7技术打造,具备650V漏源击穿电压、10V驱动下低于30mΩ的导通电阻以及75A的最大漏极电流,能够满足高功率应用需求。其关键特性包括超快恢复体二极管、低栅极电阻以及100%雪崩测试,确保了在软开关拓扑、电信和服务器电源、电动汽车充电器及工业电源等场景下的高效稳定运行,且产品符合无铅和RoHS环保标准。针对文中所述器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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创飞芯源官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是创飞芯源的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供创飞芯源的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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专注于高性能、高品质功率器件及功率模块的研发与销售——创飞芯源(CF-Xpower)
深圳市创飞芯源(CF-Xpower)半导体有限公司,背靠12寸晶圆制造和封测厂,既有通用功率器件,又可为客户提供量身定制功率器件晶圆和成品。目前已自主开发出一百余款高性能的MOSFET,IGBT,电机控制模块等产品,产品性能和品质超越。创飞芯源还是国内多家电源管理芯片品牌的功率器件晶圆合作商,为多家品牌客户提供定制功率器件晶圆。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合创飞芯源原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供创飞芯源快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
新电元(Shindengen)公司推出的功率 MOSFET P86F6SN,采用绝缘封装,使用10V栅极驱动,具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ,可满足大功率驱动应用需求。
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创飞芯源750V SiC MOSFET CFD075SC380,适用于光伏逆变器
创飞芯源发布CFD075SC380平面型碳化硅MOSFET,采用750V宽禁带技术,在TO-252封装内实现260mΩ超低导通电阻(18V驱动)与11A电流能力,175°C高温下仍保持325mΩ,显著优于硅基方案。
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创飞芯源两款全新功率MOSFET,以卓越能效简化电源设计
创飞正式发布CFN2R2DN20与CFN4R5DN20两款功率MOSFET,旨在为高效率电源与电池管理系统提供更优解。新品兼具低导通电阻与业界领先的低栅极电荷特性,能显著提升系统效率并简化驱动设计。
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