REACH Compliance Declaration
发布时间：
2025-12-11
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
丽正国际（RECTRON）
型号：
-
RECTRON LTD. 声明其产品完全符合RoHS指令、WEEE指令和REACH法规，但其中一种禁止的SVHC物质（REACH项目编号189，铅）含量超过1000 PPM允许浓度。该物质目前根据RoHS指令豁免。声明中还列出了REACH候选清单中的251种SVHC物质。
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丽正国际官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是丽正国际的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供丽正国际的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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全球知名整流器厂商——丽正国际（Rectron）
丽正国际(Rectron)成立于1975年，台湾上市公司，是一家拥有超过40年的整流器制造经验的分立半导体优质制造商，产品涉及整流器，TVS/ESD二极管，碳化硅肖特基，晶体管，MOSFET，齐纳稳压管等器件，为Apple，ZTE，LG，Honeywell等全球知名品牌供货商。
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现货平台 / 丽正国际 授权代理店
| 订货型号 | RMA7N20ED1 | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RMA7N, RMA7N20ED1 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=0.7;Rds-on(typ)(mOhms)=180;Total Gate Charge(typ)=1.1;Maximum Power Dissipation(W)=0.55;Vgs(th)(typ)=0.8;Input Capacitance(Ciss)(pF)=40 | 封装/外壳/尺寸 | DFN |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss(V) | 20 | ID(TA=25℃)(A) | 0.7 |
| Rds-on(typ)(mOhms) | 180 | Total Gate Charge(typ) | 1.1 |
| Maximum Power Dissipation(W) | 0.55 | Vgs(th)(typ) | 0.8 |
| Input Capacitance(Ciss)(pF) | 40 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1576
库存：
5,000
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| 订货型号 | RMA7P20ED1 | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RMA7P, RMA7P20ED1 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=0.7;Rds-on(typ)(mOhms)=360;Total Gate Charge(typ)=0.8;Maximum Power Dissipation(W)=0.9;Vgs(th)(typ)=0.6;Input Capacitance(Ciss)(pF)=52 | 封装/外壳/尺寸 | DFN |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss(V) | 20 | ID(TA=25℃)(A) | 0.7 |
| Rds-on(typ)(mOhms) | 360 | Total Gate Charge(typ) | 0.8 |
| Maximum Power Dissipation(W) | 0.9 | Vgs(th)(typ) | 0.6 |
| Input Capacitance(Ciss)(pF) | 52 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1576
库存：
5,000
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| 订货型号 | RM4953 | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM495 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=30;ID(TA=25℃)(A)=5.1;Rds-on(typ)(mOhms)=43;Total Gate Charge(typ)=11;Maximum Power Dissipation(W)=2.5;Vgs(th)(typ)=1.6;Input Capacitance(Ciss)(pF)=520 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss(V) | 30 | ID(TA=25℃)(A) | 5.1 |
| Rds-on(typ)(mOhms) | 43 | Total Gate Charge(typ) | 11 |
| Maximum Power Dissipation(W) | 2.5 | Vgs(th)(typ) | 1.6 |
| Input Capacitance(Ciss)(pF) | 520 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4335
库存：
4,000
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RM4953 在线购买 >>
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| 订货型号 | RM5N150S8 | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM5N150, RM5N150S8 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=150;ID(TA=25℃)(A)=4.6;Rds-on(typ)(mOhms)=63;Total Gate Charge(typ)=6.5;Maximum Power Dissipation(W)=3.1;Vgs(th)(typ)=2;Input Capacitance(Ciss)(pF)=625 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss(V) | 150 | ID(TA=25℃)(A) | 4.6 |
| Rds-on(typ)(mOhms) | 63 | Total Gate Charge(typ) | 6.5 |
| Maximum Power Dissipation(W) | 3.1 | Vgs(th)(typ) | 2 |
| Input Capacitance(Ciss)(pF) | 625 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.1334
库存：
3,990
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| 订货型号 | 2N7002KS6 | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | 2N7002 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET;Vdss:60 V;Id @ 25C:0.25 A;Rds-on (typ):1500 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ:80 mS;Maximum Power Dissipation:0.35 W;Vgs(th) (typ):1.45 V;Polarity:N-Channel;Mounting Style:SMD/SMT | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss | 60 V | Id @ 25C | 0.25 A |
| Rds-on (typ) | 1500 mOhms | Total Gate Charge typ | 80 mS |
| Maximum Power Dissipation | 0.35 W | Vgs(th) (typ) | 1.45 V |
| Polarity | N-Channel | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2155
库存：
3,100
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| 订货型号 | 2N7002K-T | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | 2N7002K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET;Vdss:60 V;Id @ 25C:0.3 A;Rds-on (typ):1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ:1.7 nQ;Maximum Power Dissipation:0.35 W;Vgs(th) (typ):1.7 V;Input Capacitance (Ciss):21 pF;Polarity:N-Channel;Mounting Style:SMD/SMT | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss | 60 V | Id @ 25C | 0.3 A |
| Rds-on (typ) | 1300 mOhms | Total Gate Charge typ | 1.7 nQ |
| Maximum Power Dissipation | 0.35 W | Vgs(th) (typ) | 1.7 V |
| Input Capacitance (Ciss) | 21 pF | Polarity | N-Channel |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0866
库存：
3,100
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2N7002K-T 在线购买 >>
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2N7002K-T 交期查询 >>
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| 订货型号 | RM3400 | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM340 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=30;ID(TA=25℃)(A)=5.8;Rds-on(typ)(mOhms)=45;Total Gate Charge(typ)=9.5;Maximum Power Dissipation(W)=1.4;Vgs(th)(typ)=0.9;Input Capacitance(Ciss)(pF)=820 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss(V) | 30 | ID(TA=25℃)(A) | 5.8 |
| Rds-on(typ)(mOhms) | 45 | Total Gate Charge(typ) | 9.5 |
| Maximum Power Dissipation(W) | 1.4 | Vgs(th)(typ) | 0.9 |
| Input Capacitance(Ciss)(pF) | 820 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2198
库存：
3,000
世强硬创平台提供RM3400在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
RM3400 在线购买 >>
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RM3400 交期查询 >>
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| 订货型号 | RM3415 | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM341 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=4;Rds-on(typ)(mOhms)=34;Total Gate Charge(typ)=12;Maximum Power Dissipation(W)=1.4;Vgs(th)(typ)=0.55;Input Capacitance(Ciss)(pF)=950 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss(V) | 20 | ID(TA=25℃)(A) | 4 |
| Rds-on(typ)(mOhms) | 34 | Total Gate Charge(typ) | 12 |
| Maximum Power Dissipation(W) | 1.4 | Vgs(th)(typ) | 0.55 |
| Input Capacitance(Ciss)(pF) | 950 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3454
库存：
3,000
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RM3415 样品申请 >>
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RM3415 批量询价 >>
世强硬创平台提供RM3415交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
RM3415 交期查询 >>
世强硬创平台提供RM3415期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
RM3415 期货订购 >>
| 订货型号 | RM2310 | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM231 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=60;ID(TA=25℃)(A)=3;Rds-on(typ)(mOhms)=78;Total Gate Charge(typ)=6;Maximum Power Dissipation(W)=1.7;Vgs(th)(typ)=1.2;Input Capacitance(Ciss)(pF)=247 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss(V) | 60 | ID(TA=25℃)(A) | 3 |
| Rds-on(typ)(mOhms) | 78 | Total Gate Charge(typ) | 6 |
| Maximum Power Dissipation(W) | 1.7 | Vgs(th)(typ) | 1.2 |
| Input Capacitance(Ciss)(pF) | 247 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3580
库存：
3,000
世强硬创平台提供RM2310在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
RM2310 在线购买 >>
世强硬创平台提供RM2310样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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RM2310 批量询价 >>
世强硬创平台提供RM2310交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
RM2310 交期查询 >>
世强硬创平台提供RM2310期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
RM2310 期货订购 >>
| 订货型号 | RM2305B | 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM2305 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=4.1;Rds-on(typ)(mOhms)=39;Total Gate Charge(typ)=7.8;Maximum Power Dissipation(W)=1.7;Vgs(th)(typ)=0.7;Input Capacitance(Ciss)(pF)=740 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vdss(V) | 20 | ID(TA=25℃)(A) | 4.1 |
| Rds-on(typ)(mOhms) | 39 | Total Gate Charge(typ) | 7.8 |
| Maximum Power Dissipation(W) | 1.7 | Vgs(th)(typ) | 0.7 |
| Input Capacitance(Ciss)(pF) | 740 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1545
库存：
3,000
世强硬创平台提供RM2305B在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
RM2305B 在线购买 >>
世强硬创平台提供RM2305B样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
RM2305B 样品申请 >>
世强硬创平台提供RM2305B批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
RM2305B 批量询价 >>
世强硬创平台提供RM2305B交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
RM2305B 交期查询 >>
世强硬创平台提供RM2305B期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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资料平台
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
1N5820停产（20220421001）
2022/04/21
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| 数据手册 - 英文 |
R1000高压整流器电压范围1000伏电流30毫安
REV:O
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| 数据手册 - 英文 |
RS3505MH至RS3507MH单相玻璃钝化硅桥式整流器
REV:D
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| 数据手册 - 英文 |
RM30P55LD P沟道增强型功率MOSFET
REV:A
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| 数据手册 - 英文 |
1N5817W至1N5819W肖特基势垒整流器电压范围20至40伏电流1.0安培
REV:E
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| 数据手册 - 英文 |
MJD44H11硅NPN功率三极管
REV:D
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| 数据手册 - 英文 |
RS201M至RS207M玻璃钝化结硅整流器
REV: F
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| 数据手册 - 英文 |
RM110P40HDV P沟道增强型MOSFET
REV: O
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| 数据手册 - 英文 |
SLDB101S至SLDB107S单相玻璃钝化硅桥式整流器
REV: G
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| 数据手册 - 英文 |
RM110N55T7 N沟道增强型功率MOSFET
REV:O
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| 数据手册 - 英文 |
SC3S12020B 200V/20A碳化硅肖特基二极管
REV:B
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2N7002KC N沟道增强型功率MOSFET
REV:O
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10A05至10A10硅整流器
REV:C
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SA1至SA7表面贴装硅整流器电压范围50至1000伏电流1.0安培
REV: F
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SS20通过SS100表面贴装肖特基势垒整流器电压范围20至100伏电流1.0安培
REV: A
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1SMAF2EZ3.6至1SMAF2EZ200表面贴装硅齐纳二极管电压3.6~200伏功率2瓦
REV:A
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2SC3632/2SC3632Z硅NPN功率晶体管
REV:B
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DRS401K至DRS407K玻璃钝化桥式整流器
REV: G
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SF106C至SF107C玻璃钝化超快速整流器
REV:A
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RMP7N600LD N沟道功率MOSFET
REV:O
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SRL40100C肖特基势垒整流器
REV:A
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| 测试报告 - 英文 |
SOD523二极管
2022/3/16
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| 测试报告 - 英文 |
DO214AC（SMA）整流器
2022/3/16
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| 测试报告 - 英文 |
DO214AA（SMB）整流器
2022/3/16
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| 数据手册 - 英文 |
SR860P表面贴装肖特基势垒整流器
REV: F
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EFM101V至EFM107V表面贴装玻璃钝化超快硅整流器
REV:A
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| 数据手册 - 英文 |
TIP132 NPN高压功率达林顿晶体管
REV:O
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MMBD4448QW规格书
REV:O
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M7表面贴装玻璃钝化硅整流器
REV:A
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RS3508TB至RS3510TB通用三相桥式整流器
REV: C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
MELF系列EOL（20211013001）
Rev:C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Rectron WOM封装PCN（2020042002RB15）
Rev:C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
RS-1M封装尺寸变更最终产品/材料变更通知（2020040702RS1M）
Rev:C
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RM5N150D3 N沟道增强型功率MOSFET
REV:B
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ISR40100C肖特基势垒整流器
REV:D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
HER1608C PCN通知（20210820001）
Rev.C
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EFM301V至EFM307V表面贴装玻璃钝化超快硅整流器
REV:O
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| 数据手册 - 英文 |
RM110N150T2 N沟道超级沟槽功率MOSFET
REV:O
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
RL201-RL207在4M变更中的应用
Rev:B
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技术论坛
目前在做400W的DCDC电源模块，需要两颗大电流的MOS，VDS 100V，ID 150A，封装to-263。
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MJD44H11和MJD45H11这两款三极管的国产替代品有吗？做功率放大用的。
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世强AI
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应用/方案
Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor ESD1201CD Designed to Provide ESD Protection for High-Speed Data Interfaces
ESD1201CD is an ultra low capacitance Transient Voltage Suppressor (TVS) designed to provide electrostatic discharge (ESD) protection for high-speed data interfaces. With typical capacitance of 0.25pF, ESD1201CD is designed to protect parasitic-sensitive systems against over-voltage and over-current transient events. Each ESD1201CD device can protect one high-speed data line.
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Low Capacitance Bidirectional TVS/ESD Protection Diode TEP5Z12C with the Working Voltages of 12V and Peak Power Dissipation of 150W (8/20μs)
The TEP5Z12C is designed to protect voltage sensitive components from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at a premium. Because of its small size, it is suited for use in cellular phones, portable devices, digital cameras, power supplies and many other portable applications where board space comes at a premium. Also because of its low capacitance, it is suited for use in high frequency designs such as high speed line applications.
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【产品】漏-源电压150V的N沟道增强型MOS功率管RM5N150S8，具备完全表征雪崩电压和电流
丽正国际推出的N沟道增强型MOS功率管RM5N150S8采用先进的沟槽技术与设计，特殊工艺技术保证了高ESD能力，完全表征雪崩电压和电流；导通电阻优异，栅电荷低，应用领域非常广泛。
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【产品】采用超小型SOD-523封装的快速开关二极管1N4148WT，耗散功率达200mW
丽正国际推出的快速开关二极管1N4148WT、1N4448WT和1N914BWT采用超小型SOD-523封装，该系列器件的耗散功率的绝对最大额定值为200mW，连续正向电流的绝对最大额定值为150mA，存储温度范围为-55℃~+150℃。
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【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60DFV，可提供优良的低导通电阻
RM100N60DFV是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，该产品适用于多种应用。
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【产品】漏源电压为100V的N沟道增强型功率MOSFET RM85N100DF，可提供优良的低栅极电荷
RM85N100DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件可以提供优良的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于负荷开关和电源管理等。
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【产品】丽正国际单相玻璃钝化硅桥整流器产品4RS201M~4RS207M，最大平均正向整流电流4.0A
4RS201M~4RS207M是丽正国际推出的一款单相玻璃钝化硅桥整流器产品，产品的电压范围为50~1000V，最大平均正向整流电流为4.0A。该产品有着低漏电流、低正向电压等优良特性，采用了环氧树脂材质，符合UL94V-0阻燃等级。
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【产品】UMB05F--UMB10F系列超小型玻璃钝化单相表面贴装平面桥整流器，器件高度最大仅1.3mm
UMB05F--UMB10F系列是丽正国际推出的超小型玻璃钝化单相表面贴装平面桥整流器，它们采用SOF2-4封装，高度低于1.3mm，适合于自动化贴装。该系列产品的最大反向重复峰值电压从50V到1000V，最大平均正向整流电流0.8A（在铝基板上）。
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