-25A -100V P-Channel MOSFET
发布时间：
2025-12-24
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
晶导微电子（JingDao Microelectronics）
型号：
D80RP100XR
该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的-25A -100V P-Channel MOSFET。该器件设计用于提供优异的RDS(on)和低栅极电荷，适用于多种应用。它采用先进的沟槽技术，具有快速开关能力，并通过了100%雪崩和△VDS测试。
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晶导微电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是晶导微电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供晶导微电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业——晶导微电子（JingDao Microelectronics）
晶导微电子（JingDao Microelectronics）是一家专业从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业。公司拥有先进的GPP芯片生产线和高度自动化的封测生产线，实现了芯片、框架和封测的产业链整合，已拥有150多项专利。
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P通道MOSFET晶体管
2026/03/20
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P通道MOSFET晶体管
2026/03/20
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P通道MOSFET晶体管
2026/03/11
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P通道MOSFET晶体管
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P通道MOSFET晶体管
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P通道MOSFET晶体管
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P通道MOSFET晶体管
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P通道MOSFET晶体管
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PM3139KDC P沟道MOSFET
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PM7P20BWR P沟道MOSFET
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-11A -60V P沟道MOSFET
2025/12/24
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-40A -100V P沟道MOSFET
2026/03/11
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-40A -100V P沟道MOSFET
2026/03/11
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-40A -100V P沟道MOSFET
2026/02/02
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-12A -30V P沟道MOSFET
2025/12/04
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PM6P20BWD -6A -20V P沟道MOSFET
2026/03/20
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-18A/-100V P-Channel MOSFET
2026/03/11
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-18A/-100V P-Channel MOSFET
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-30A -40V P-Channel MOSFET
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-30A -40V P-Channel MOSFET
D11RP40XR
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-13A/-100V P-Channel MOSFET
2026/03/11
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-14A/-40V P-Channel MOSFET
2026/03/11
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PM3401A-3.0A-30V P沟道MOSFET
2022.03.14
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Rev 1.1
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PM3401CWR -4.4A -30V P-CHANNEL MOSFET
2026/03/11
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PM3407DWD -4.3A -30V P-CHANNEL MOSFET
2026/03/11
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PM3407DWR -4.3A -30V P-CHANNEL MOSFET
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-4A -30V P-CHANNEL MOSFET PM3401BWD
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PM3407GWD -4.1A -30V P-CHANNEL MOSFET
2026/03/11
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PM3401B-4.2A-30V P沟道MOSFET
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AT-PM3401BWD -4.2A -30V P-CHANNEL MOSFET
2026/03/11
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-35A/-40V P-Channel MOSFET
Rev 2.2
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GBJ50005G THRU GBJ5010G BRIDGE RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts FORWARD CURRENT - 50 Amperes
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GBJ35005 THRU GBJ3510 BRIDGE RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts FORWARD CURRENT - 35 Amperes
2026/03/11
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GBJ20005 THRU GBJ2010 BRIDGE RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts FORWARD CURRENT - 20 Amperes
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表面贴装超快恢复整流器
2026/03/11
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表面贴装超快恢复整流器
2026/03/11
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表面贴装超快恢复整流器
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
12A/650V N-Channel Power MOSFET F12N65 with Fast Switching Time, Low Gate Charge, Low On-state Resistance and High Rugged Avalanche Characteristics
The F12N65 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance, and a high rugged avalanche characteristics. This N-Channel power MOSFET is usually used at high speed switching applications in switching power supplies and adaptors.
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12A/600V N-Channel Power MOSFET F12N60 with Fast Switching Time, Low Gate Charge, Low On-State Resistance and High Rugged Avalanche CAharacteristics
The F12N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in switching power supplies and adaptors.
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