AS6C4016-55BIN vs AS6C4016A-55BIN vs AS6CE4016B-45BIN Comparison
发布时间：
2025-12-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ALLIANCE
型号：
AS6C4016-55BIN; AS6C4016A-55BIN; AS6CE4016B-45BIN
本产品对比资料详细分析了三款低功耗ASRAM器件AS6C4016-55BIN、AS6C4016A-55BIN与AS6CE4016B-45BIN的性能差异。这三款器件均具备4Mb存储容量，内存组织为256K x 16bits，支持工业级工作温度范围（-40°C至85°C），并采用无铅无卤素的环保封装材料。资料重点对比了它们在读写周期时间、访问时间及封装尺寸上的细微区别，其中读写周期时间分为55ns和45ns两个等级，封装形式涵盖6mm x 8mm FBGA、6mm x 7mm FBGA及6mm x 8mm BGA。在电气特性方面，器件支持2.7V至5.5V的宽工作电压，待机电流低至4uA，且支持单芯片使能功能，能够有效满足低功耗设计需求。Alliance Memory在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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ALLIANCE官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供ALLIANCE的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Alliance Memory——全球领先的工业级、汽车级RAM存储器厂家
Alliance Memory，总部位于美国，收购了Alliance Semiconductor存储器部门，是全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家，wafer及封测厂家均由全球知名厂家提供。Wafer由全球第三大wafer供应商Global Foundries及全球排名第五的以色列公司Tower提供，封测服务则由专业的封测厂家ChipMOS提供，保证一流的品质。
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| 订货型号 | AS6C4016-55BIN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS6C4016 | 品类 | SRAM |
| 描述/说明 | 256K X 16 BIT SUPER LOW POWER CMOS SRAM | 封装/外壳/尺寸 | 48ball TFBGA |
| 最小包装量 | 480 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 4M Low Power | ORGANISATION | 256K x 16 |
| VCC | 2.7-5.5V | TEMPERATURE RANGE | Industrial (-40 ~ 85°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | YES |
| HTS CODE | 8542.32.0041 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | AS4C32M16MSA-6BIN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C32M16MSA | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 512M(32Mx16) Low Power SDRAM | 封装/外壳/尺寸 | 54-ball BGA (8x8mm) |
| 最小包装量 | 319 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 512M | ORGANISATION | 32M x 16 |
| VCC | 1.8V | TEMPERATURE RANGE | Industrial (-40~ 85°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | Yes |
| HTS CODE | 8542.32.0028 | CLOCK | 166MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证,
限量折扣
价格：
￥48.2906
库存：
13,510
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| 订货型号 | AS4C16M16SB-7TCN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C16M16SB | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM) | 封装/外壳/尺寸 | 54pin TSOP II |
| 最小包装量 | 108 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 256M-B die | ORGANISATION | 16M x 16 |
| VCC | 3.3V | TEMPERATURE RANGE | Commercial (0 ~ 70°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | YES |
| HTS CODE | 8542.32.0024 | CLOCK | 143Mhz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥24.4589
库存：
392
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| 订货型号 | AS4C256M16D3LC-12BCN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C256M16D3LC | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | The 4Gb Double-Data-Rate-3 (DDR3L) DRAMs is double data rate architecture to achieve high-speed operation. It is internally configured as an eight bank DRAM. | 封装/外壳/尺寸 | 96-ball FBGA |
| 最小包装量 | 209 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 4G - C DIE | ORGANISATION | 256M x 16 |
| VCC | 1.35V | TEMPERATURE RANGE | Commercial (Extended) (0 ~ 95°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | Yes |
| HTS CODE | 8542.32.0036 | CLOCK | 800MHz |
| MODE or DATA RATE | DDR3-1600Mbps/pin | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥106.6155
库存：
1,015
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| 订货型号 | AS4C16M16SA-7TCN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C16M16SA | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 256M – (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM) | 封装/外壳/尺寸 | 54pin TSOP II |
| 最小包装量 | 1,080 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 256M-A die | ORGANISATION | 16M x 16 |
| VCC | 3.3V | TEMPERATURE RANGE | Commercial (0 ~ 70°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | YES |
| HTS CODE | 8542.32.0024 | CLOCK | 143Mhz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥25.0860
库存：
0
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| 订货型号 | AS4C4M32SA-6TCN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C4M32SA | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | The 128Mb SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 134,217,728 Mbits. | 封装/外壳/尺寸 | 86pin TSOP II |
| 最小包装量 | 108 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 128M-A die | ORGANISATION | 4M x 32 |
| VCC | 3.3V | TEMPERATURE RANGE | Commercial (0 ~ 70°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | YES |
| HTS CODE | 8542.32.0024 | CLOCK | 166Mhz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥27.5946
库存：
4,095
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| 订货型号 | AS4C64M16D2A-25BCNTR | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C64M16D2A | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 64M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM) | 封装/外壳/尺寸 | 84ball FBGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 1G - A DIE | ORGANISATION | 64M x 16 |
| VCC | 1.8V | TEMPERATURE RANGE | Commercial (-0 ~ 85°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | Yes |
| HTS CODE | 8542.32.0032 | CLOCK | 400MHz |
| MODE or DATA RATE | 800Mbps/pin | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥32.6118
库存：
2,490
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| 订货型号 | AS4C16M16SA-6BINTR | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C16M16SA | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 256M – (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM) | 封装/外壳/尺寸 | 54ball FBGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 256M-A die | ORGANISATION | 16M x 16 |
| VCC | 3.3V | TEMPERATURE RANGE | Industrial (-40 ~ 85°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | YES |
| HTS CODE | 8542.32.0024 | CLOCK | 166Mhz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥36.3747
库存：
2,100
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| 订货型号 | AS4C4M32S-6BCN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C4M32S | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 4M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM) | 封装/外壳/尺寸 | 90ball TFBGA |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 128M - NEW OPTION | ORGANISATION | 4M x 32 |
| VCC | 3.3V | TEMPERATURE RANGE | Commercial (0 ~ 70°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | YES |
| HTS CODE | 8542.32.0024 | CLOCK | 166Mhz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥29.4761
库存：
2,000
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世强硬创平台提供AS4C4M32S-6BCN期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | AS4C512M8D3LB-12BIN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C512M8D3LB | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | HIGH PERFORMANCE 4Gbit DDR3L SDRAM | 封装/外壳/尺寸 | 78-ball FBGA |
| 最小包装量 | 220 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| DENSITY | 4G | ORGANISATION | 512M x 8 |
| VCC | 1.35V | TEMPERATURE RANGE | Industrial (-40 ~ 95°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | Yes |
| HTS CODE | 8542.32.0036 | CLOCK | 800MHz |
| MODE or DATA RATE | DDR3-1600Mbps/pin | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥84.0381
库存：
1,975
世强硬创平台提供AS4C512M8D3LB-12BIN在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
AS4C512M8D3LB-12BIN 在线购买 >>
世强硬创平台提供AS4C512M8D3LB-12BIN样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
AS4C512M8D3LB-12BIN 样品申请 >>
世强硬创平台提供AS4C512M8D3LB-12BIN批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
AS4C512M8D3LB-12BIN 批量询价 >>
世强硬创平台提供AS4C512M8D3LB-12BIN交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
AS4C512M8D3LB-12BIN 交期查询 >>
世强硬创平台提供AS4C512M8D3LB-12BIN期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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加工定制
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory AS6C4016 SRAM数据手册
V 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
AS6CE4016B-45BIN 4M SRAM 48L BGA（6x8）可靠性测试报告（310-9N8-AE6）
Rev : A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance4M、8M和16M“A”型低功耗SRAM（20200923/SM）的产品变更通知（PCN）
REVISION*A
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C4016A-55BIN与AS6C4016B-45BIN与AS6CE4016B-45BIN比较
2025/08/02
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| 数据手册 - 英文 |
AS6CE4016B 256K X 16位带纠错码（ECC）的低功耗CMOS SRAM
Rev 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
AS6CE4016B-45BIN 48B BGA（6x8）材料声明
Jun./07/2022
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| 技术文档 - 英文 |
CY62147EV30LL-45B2XI 与 AS6C4016-55BIN 与 AS6CE4016B-45BIN 比较
2025/08/02
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| 数据手册 - 英文 |
256K x 16位超低功耗CMOS SRAM
V 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
AS6CE4016B-45ZIN 4M SRAM 44L TSOP II（400mil）可靠性测试报告（310-9N8-AE5）
Rev : A
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C4016A-45BIN与AS6C4016-55BIN对比
2025/08/02
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| 数据手册 - 英文 |
AS6C4016A-45BIN 与 AS6C4016B-45BIN 与 AS6CE4016B-45BIN 比较
2025/08/02
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| 测试报告 - 英文 |
AS6CE4016B-45ZIN 44L 400mil TSOPII材料声明
Jun./08/2022
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| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory AS6C4016A SRAM数据手册
2011年01月01日
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| 测试报告 - 英文 |
4M SRAM 48L BGA可靠性测试报告（310-9N8-AG4）
Rev : A
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| 数据手册 - 英文 |
AS6C4016B 256K X 16位低功耗CMOS SRAM
Rev 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
AS6C4016B-45ZIN材料声明
Mar./17/2023
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| 测试报告 - 英文 |
4M SRAM 44L TSOP II（400mil）可靠性测试报告（310-9N8-AG3）
Rev : A
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| 测试报告 - 英文 |
AS6C4016B-45BIN材料声明
Mar./17/2023
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| 数据手册 - 英文 |
AS6C1616A-55BIN与AS6C1616B-55BIN对比
2025/08/02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
16MB低功耗ASRAM和1MB快速ASRAM的产品停产通知（PDN）（PDN#20220225）
February 25th,2022
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C1008-55SIN与CY62128ELL-45SXI对比
2025/08/02
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| 数据手册 - 英文 |
AS6C1616-55BIN与AS6C1616B-55BIN比较
2025/08/02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
4MB低功耗ASRAM产品的产品停产通知（PDN）（PDN#20220331）
March 31st, 2022
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C3216A-55BIN与AS6C3216-55BIN比较
2025/08/02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance 32MB低功耗ASRAM产品变更通知（PCN）（PCN#20210320）
March 20 th, 2021
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C1616-55BIN、AS6C1616A-55BIN 和 AS6C1616B-55BIN 比较
2025/08/02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
AS6C1616-55TINL和AS6C8008A-45BIN的产品停产通知（PDN）（PDN#20230301）
March 01 st, 2023
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C1616-55TIN & AS6C1616B-55TIN 比较
Rev.0, Rev.B
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C4008-55ZIN与CY62148EV30LL-45ZSXI比较
未知
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C8016-55BIN与AS6C8016B-55BIN对比
无明确提及版本号
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C4008-55SIN与CY62148ELL-55SXI比较
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C8008B-45ZIN与CY62158EV30LL-45ZSXI比较
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C62256A-70SIN 与 AS6C62256-55SIN 比较
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C4008-55SIN与CY62148ELL-45SXI比较
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C4008-55SIN与CY62148ELL-45SXI比较
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C62256A-70SCN & U62256AS2C07LLG1 & AS6C62256-55SCN 比较
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C3216A-55BIN与CY62177EV30LL-55BAXI对比
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C1008-55SIN与IS62C1024AL-35QLI比较
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C6264-55PIN与TC5564APL-15对比
2025/08/02
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| 技术文档 - 英文 |
AS6C8016-55ZIN & AS6C8016B-55ZIN 比较
2025/08/02
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| 测试报告 - 英文 |
AS4C128M16D3C-93BCN/AS4C128M16D3C-93B联盟内存MDS报告
2024/5/6
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| 数据手册 - 英文 |
归档设备Express
2019/7/19
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世强AI
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应用/方案
Alliance Memory Expanded its Portfolio of LPSRAM with New 1Mb AS6CE1016A and 4Mb AS6CE4016B Devices that Feature ECC
ALLIANCE new AS6CE1016A (1Mb) and AS6CE4016B (4Mb) offer better failure in time (FIT) and mean time to failure (MTTF) characteristics with reduced soft error rates (SER) for more reliable operation in a wide range of consumer, industrial, communications, and medical applications.
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Alliance新推1/4Mb低功耗异步SRAM AS6CE1016A/AS6CE4016B，降低软错误率
Alliance宣布，低功耗异步SRAM(LPSRAM)系列产品推出了新的1Mb和4Mb设备，这些设备具有嵌入式纠错码(ECC)。与上一代设备相比，新的AS6CE1016A(1Mb)和AS6CE4016B(4Mb)具有更低的失效时间和平均故障时间。
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Alliance Memory Launches New LPSRAMs AS6CE1016A (1Mb) and AS6CE4016B (4Mb) With Embedded Error-Correction Code
The new AS6CE1016A (1Mb) and AS6CE4016B (4Mb) offer better failure in time (FIT) and mean time to failure (MTTF) characteristics with reduced soft error rates (SER) for more reliable operation in a wide range of consumer, and industrial, communications, and medical applications.
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【产品】4M低功率CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，存取速度可达55ns
AS6C4008A系列是Alliance Memory推出的一款4M（512K × 8bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该款低功率CMOS静态随机存取存储器芯片采用高性能、高可靠性的CMOS技术制成，具有低功耗、高可靠性等特性，适合低功耗系统应用，尤其适用于电池供电的非易失性存储。
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【产品】4M（256K×16bit）低功率CMOS静态随机存取存储器，存取速度可达45 ns
Alliance的AS6C4016A是4M（256 K × 16 bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。与CYPRESS赛普拉斯存储器CY62147EV30LL-45ZSXI、CY62146GN30-45ZSXI、CY621472G30-45ZSXI属于pin对pin关系，但是AS6C4016A-45ZIN价格相比它们要便宜10%以上，在工业及汽车领域非常有优势。
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