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IXFP12N65X2 SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
发布时间: 2026-01-04
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRONIC)
型号:
IXFP12N65X2
本数据手册详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的IXFP12N65X2型号N沟道增强型SiC功率MOSFET。该器件基于先进的宽禁带SiC技术,具备低导通电阻、高阻断电压、低电容及高速开关等显著特性,同时拥有低反向恢复电荷,且符合无卤素与RoHS环保标准。凭借这些技术优势,IXFP12N65X2能够有效提升系统效率,被广泛应用于开关电源、可再生能源系统、车载充电器以及高压DC/DC转换器等高功率密度场景。针对文中所述器件,HUA XUAN YANG ELECTRONICS在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。此外,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRON)
华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRON)是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理,电源管理,电机控制,数码产品以及家电。其中,MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案,最多的时候,帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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现货平台 / 华轩阳电子 授权代理店
订货型号 IXFP12N65X2 品牌 华轩阳电子
型号系列 IXFP12N65X2 品类 碳化硅场效应管
描述/说明 ID:9A,VDSS:650V,RDON:306mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道 封装/外壳/尺寸 TO-220C
最小包装量 50 包装形式 管装
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
ID 9A VDSS 650V
RDON 306mR VGS -8/+20V
TYPE N沟道
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥4.6000
库存:
0
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订货型号 LL4148 品牌 华轩阳电子
型号系列 LL4148 品类 开关二极管
描述/说明 功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳/尺寸 LL-34
最小包装量 2,500 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
直流反向耐压VR(V) 75V 平均整流电流IO(mA/A) 200mA
正向压降VF(V) 1V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.0223
库存:
0
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订货型号 HESD5341N 品牌 华轩阳电子
型号系列 HESD5341N 品类 保护二极管
描述/说明 IPP:4A,VRWM:5V,CJ:0.6pF,LINE:1通道,TYPE:Uni单向 封装/外壳/尺寸 DFN1006-2L
最小包装量 10,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
IPP 4A VRWM 5V
CJ 0.6pF LINE 1通道
TYPE Uni单向
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.0591
库存:
0
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订货型号 SD103AW 品牌 华轩阳电子
型号系列 SD103AW 品类 肖特基二极管
描述/说明 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V 封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
VR直流反向耐压(V) 40V 平均整流电流IO(A/mA) 350mA
正向压降VF(V) 0.6V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.0236
库存:
100
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订货型号 1N5819W 品牌 华轩阳电子
型号系列 1N5819W 品类 肖特基二极管
描述/说明 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V 封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
VR直流反向耐压(V) 40V 平均整流电流IO(A/mA) 350mA
正向压降VF(V) 0.6V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.0236
库存:
100
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订货型号 ESD5451N 品牌 华轩阳电子
型号系列 ESD5451N 品类 Bi-directional ESD Protection Diode
描述/说明 VRWM:5V,IPP:9A,VC:10V,C:15pF,1通道的双向二极管 封装/外壳/尺寸 DFN1006-2L
最小包装量 10,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
VRWM(V) 5V VC(V) 10V
CJ(pF) 15pF IPP(A) 9A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.0207
库存:
50
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订货型号 MBRX160 品牌 华轩阳电子
型号系列 MBRX160 品类 肖特基二极管
描述/说明 IF:1A,VR:60V,VF:0.72V,IR:300uA,IFSM:20A 封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
IF 1A VR 60V
VF 0.72V IR 300uA
IFSM 20A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.0875
库存:
0
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订货型号 MBR0530T1G 品牌 华轩阳电子
型号系列 MBR0530T1G 品类 肖特基二极管
描述/说明 IF:0.5A,VR:30V,VF:0.55V,IR:80uA,IFSM:5.5A 封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
IF 0.5A VR 30V
VF 0.55V IR 80uA
IFSM 5.5A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.0649
库存:
0
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订货型号 BZT52C10 品牌 华轩阳电子
型号系列 BZT52C10 品类 稳压二极管
描述/说明 IF:0.01A,VR:10V,VF:0.85V,IR:0.08uA,PD:0.5W 封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
IF 0.01A VR 10V
VF 0.85V IR 0.08uA
PD 0.5W
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.0313
库存:
0
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供华轩阳电子快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
NLM(日轻)以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺,为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器,热阻≤0.03 K/W。
立即提交 车规级高功率密度功率模块冷却器定制 >>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
立即提交 笔电热管/高功率热管/平头热管定制 >>
资料平台
数据手册 - 英文
IXFP12N65X2M TO-220F HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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数据手册 - 英文
IXFP34N65X3 HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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数据手册 - 英文
IXFP34N65X2 HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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数据手册 - 英文
IXFP18N65X2 碳化硅功率MOSFET
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IXFP34N65X2W 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
IXFP34N65X2M TO-220F HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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数据手册 - 英文
IXFP26N65X2 HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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数据手册 - 英文
IXFP18N65X2M HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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数据手册 - 英文
IXFP110N15T2 SGT MOSFET
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IXFP110N15T2 N沟道MOSFET
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IXFP22N65X2M 高速开关MOSFET
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数据手册 - 英文
HIXFP110N15T2 N沟道MOSFET
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数据手册 - 英文
HIXFP110N15T2 N-SGT 增强型MOSFET
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数据手册 - 英文
IMW65R033M2HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
IMW65R050M2HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
IMT65R033M2HXUMA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
IMT65R015M2HXUMA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
IMT65R50M2HXUMA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
DIF065SIC030 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IMW65R015M2HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
IMW65R072M1HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
SIHG33N65EF-GE3 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
SIHG075N65E-GE3 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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STW38N65M5-4 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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SIHG125N65E-GE3 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IMT65R060M2HXUMA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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SCT040W65G3-4AG 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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STL45N65M5 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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TPP65R280D SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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SICW020N065H4-BP 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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GC041N65QF SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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R6524KNX3C16 SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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STH30N65DM6-7AG SiC功率MOSFET N沟道增强型
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NTMT190N65S3HF SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
YJD212025NCTGH 电子有限公司 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
TK14A65W5,S5X 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
STP5NK65ZFP SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
C2M0080120K SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 中文
IPP65R099CFD7AAKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
IMZA65R057M1HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
NTH4L040N120SC1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
NTH4LN067N65S3H 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
NTH4LN067N65S3H 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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数据手册 - 英文
SIHH190N65E-T1-GE3 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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数据手册 - 英文
SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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