IXFP34N65X3 HXY MOSFET
发布时间：
2026-01-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRONIC）
型号：
IXFP34N65X3
本数据手册详细介绍了基于宽禁带SiC技术的IXFP34N65X3 HXY MOSFET器件，涵盖其电气参数、热特性、门极电荷特性及封装尺寸等关键数据。该器件利用宽禁带技术优势，具备低导通电阻和高阻断电压特性，同时拥有低电容和高速开关性能，能有效降低反向恢复电荷。此外，产品符合无卤素及RoHS环保标准，适用于交换模式电源、可再生能源系统、车载充电器以及高压DC/转换器等高效能应用场景。针对文中所述器件，IXYS在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制，数码产品以及家电。其中，MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案，最多的时候，帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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现货平台 / 华轩阳电子 授权代理店
| 订货型号 | IXFP34N65X3-HXY | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | IXFP34N65X3-HXY | 品类 | 碳化硅场效应管 |
| 描述/说明 | ID:30A,VDSS:650V,RDON:94mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220C |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ID | 30A | VDSS | 650V |
| RDON | 94mR | VGS | -10/+25V |
| TYPE | N沟道 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥24.2353
库存：
0
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IXFP34N65X3-HXY 交期查询 >>
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| 订货型号 | LL4148 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | LL4148 | 品类 | 开关二极管 |
| 描述/说明 | 功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns | 封装/外壳/尺寸 | LL-34 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 直流反向耐压VR(V) | 75V | 平均整流电流IO(mA/A) | 200mA |
| 正向压降VF(V) | 1V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0223
库存：
0
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| 订货型号 | HESD5341N | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HESD5341N | 品类 | 保护二极管 |
| 描述/说明 | IPP:4A,VRWM:5V,CJ:0.6pF,LINE:1通道,TYPE:Uni单向 | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IPP | 4A | VRWM | 5V |
| CJ | 0.6pF | LINE | 1通道 |
| TYPE | Uni单向 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0591
库存：
0
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| 订货型号 | SD103AW | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | SD103AW | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VR直流反向耐压(V) | 40V | 平均整流电流IO(A/mA) | 350mA |
| 正向压降VF(V) | 0.6V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0236
库存：
100
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| 订货型号 | 1N5819W | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | 1N5819W | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VR直流反向耐压(V) | 40V | 平均整流电流IO(A/mA) | 350mA |
| 正向压降VF(V) | 0.6V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0236
库存：
100
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| 订货型号 | ESD5451N | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | ESD5451N | 品类 | Bi-directional ESD Protection Diode |
| 描述/说明 | VRWM:5V,IPP:9A,VC:10V,C:15pF,1通道的双向二极管 | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRWM(V) | 5V | VC(V) | 10V |
| CJ(pF) | 15pF | IPP(A) | 9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0207
库存：
50
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| 订货型号 | MBRX160 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | MBRX160 | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | IF:1A,VR:60V,VF:0.72V,IR:300uA,IFSM:20A | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IF | 1A | VR | 60V |
| VF | 0.72V | IR | 300uA |
| IFSM | 20A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0875
库存：
0
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| 订货型号 | MBR0530T1G | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | MBR0530T1G | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | IF:0.5A,VR:30V,VF:0.55V,IR:80uA,IFSM:5.5A | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IF | 0.5A | VR | 30V |
| VF | 0.55V | IR | 80uA |
| IFSM | 5.5A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥0.0649
库存：
0
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| 订货型号 | BZT52C10 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | BZT52C10 | 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | IF:0.01A,VR:10V,VF:0.85V,IR:0.08uA,PD:0.5W | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IF | 0.01A | VR | 10V |
| VF | 0.85V | IR | 0.08uA |
| PD | 0.5W | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.0313
库存：
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| 订货型号 | BZT52C6V8 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | BZT52C6V8 | 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | IF:0.01A,VR:6.8V,VF:0.85V,IR:1.6uA,PD:0.5W | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IF | 0.01A | VR | 6.8V |
| VF | 0.85V | IR | 1.6uA |
| PD | 0.5W | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0325
库存：
0
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资料平台
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IXFP34N65X2 HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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IXFP18N65X2 碳化硅功率MOSFET
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IXFP34N65X2W 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IXFP34N65X2M TO-220F HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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HIXFP110N15T2 N沟道MOSFET
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HIXFP110N15T2 N-SGT 增强型MOSFET
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IMZ120R030M1HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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R6509KND3TL1 碳化硅功率MOSFET
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型 NVH4L040N120SC1
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IMW120R090M1HXKSA1 SiC MOSFET 数据手册
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型 SCT040W120G3-4
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型 SP50N120CTK
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N沟道增强型 HNVH4L040N120SC1
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N沟道增强型 HNVHL025N065SC1
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型 SCTWA90N65G2V-4
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HXY MOSFET NTMT190N65S3H
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C3MTM SiC MOSFET
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HXY NTH4L040N120M3S 碳化硅MOSFET
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NVH040N65S3F TO-247 碳化硅MOSFET
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NVH040N65S3F TO-247 碳化硅MOSFET
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NVHL040N65S3F TO-247 碳化硅MOSFET
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NVHL040N65S3F TO-247 碳化硅MOSFET
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BCZ120N80M1 碳化硅MOSFET
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IMZA65R030M1HXKSA1 TO-247-4L 碳化硅MOSFET
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IMZA65R030M1HXKSA1 TO-247-4L 碳化硅MOSFET
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HIMZA65R027M1H TO-247H-4L 碳化硅MOSFET
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IMZA65R048M1H TO-247-4L 碳化硅MOSFET
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IMZA65R048M1H TO-247-4L 碳化硅MOSFET
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NTHL045N065SC1 TO-247 碳化硅MOSFET
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C1M320120D 碳化硅MOSFET
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STW70N65DM6 - 650V 49A 碳化硅MOSFET
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GC3M0032120D TO-247 碳化硅MOSFET
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NTHL040N120SC1 TO-247(TO-247-3) 碳化硅MOSFET
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NTHL040N120SC1 TO247(TO-247-3) 碳化硅MOSFET
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SCT040W65G3-4 碳化硅MOSFET
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GAN041-650WSBQ TO-247 碳化硅MOSFET
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HIMW65R048M1H TO-247 碳化硅MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
SiC MOSFET：破解能效困局的秘密武器
本文解析SiC MOSFET如何凭借高频高效、耐压耐热特性，助力新能源与工业领域攻克能效与成本难题。结合新能源汽车与光伏逆变器案例，展示华轩阳SiC MOSFET在提升系统效率、降低损耗及延长寿命方面的显著优势。
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SiC MOSFET：破解能效困局的秘密武器
在追求高效、轻量、低损耗的电子设计时代，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其高频高效、耐压性强、可靠性高等特性，成为新能源与工业领域的“性能加速器”。本文结合新能源汽车与光伏逆变器的真实案例，解析SiC MOSFET如何助力工程师攻克能效与成本难题。
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华轩阳电子ESD/TVS静电浪涌保护元器件 —— 您值得信赖的选择
在当今高速发展的电子设备市场中，静电放电和瞬态电压尖峰已成为影响产品可靠性和使用寿命的重要因素。为了应对这些挑战，华轩阳电子作为一家半导体元器件供应商，致力于提供高质量、高性能的ESD/TVS保护解决方案。
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解锁高速吹风筒的科技魅力：华轩阳电子功率器件优化解决方案，实现快速、安全、低能耗的吹发体验
高速吹风筒，作为日常护理不可或缺的小家电，其性能的优劣直接影响着我们的使用体验。本文，华轩阳电子将深入探索高速吹风筒背后的秘密——高效功率器件解决方案，揭秘如何通过精选的MOS管、快恢复二极管、肖特基二极管及整流桥，共同协作，实现快速、安全、低能耗的吹发体验。
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赋能车载无线充电，华轩阳电子提供MOS管、三极管与LDO功率器件解决方案
本文将深入了解华轩阳为车载无线手机充电器（内置三个线圈）量身打造的功率器件解决方案，包括MOS管、三极管与LDO。该车载无线手机充电器功率器件解决方案，集MOS管的高效驱动、三极管的精密调控与LDO的纯净供电于一体，全方位优化充电性能，为车主带来安全、快捷、无忧的无线充电体验。
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