FS10N03F SOT-89-3L 30V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor
发布时间：
2026-01-04
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
富信（FOSAN）
型号：
FS10N03F
本数据手册详细介绍了型号为FS10N03F的沟道增强型场效应晶体管，该器件采用SOT-89-3L封装，具备30V的耐压能力。文档全面阐述了其电气特性与物理规格，涵盖了最高工作电压、持续漏极电流、功耗及热阻抗等关键电学性能指标。同时，资料提供了器件的最大额定值、标记方式、输入电容、开关时间及动态响应等详细信息，并辅以典型的特征曲线图和外封装尺寸图表，为工程师的设计选型提供精准参考。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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国内前三的高性能电阻研发制造供应商——富信（FOSAN）
富信（FOSAN）是一家以自主研发设计、生产制造、销售及技术服务为一体的电子元器件厂商，旗下设有富信半导体及富捷电子两大事业部， 主营产品包括：二极管、三极管、贴片电容、贴片电阻、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等产品。
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资料平台
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SOT-89-3L 30V N沟道增强型MOS场效应晶体管
2025/09/01
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FS10N03F SOT-89 30V N 沟道增强型场效应管 (FS10N03F SOT-89 30V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/9/11
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FS10N03F SOT-89 30V N沟道增强型场效应管(FS10N03F SOT-89 30V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/8/7
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FS10N03F SOT-89 沟道增强型场效应管(FS10N03F SOT-89 30V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/7/15
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SOT-89-3L 30V N Channel Enhancement 沟道增强型 MOS Field Effect Transistor 场效应管
2025/04/01
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FS10N02F SOT-89 20V N沟道增强型场效应管(FS10N02F SOT-89 20V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/8/7
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FS10N02F SOT-89 20V N沟道增强型场效应管(FS10N02F SOT-89 20V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/7/16
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FS10N02F SOT-89-3L 20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
2026/02/02
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FS10N02F SOT-89-3L 20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
2025/09/01
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FS10N02F SOT-89-3L 20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
2025/04/01
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FS10N10F SOT-89-3L 100V N型增强型SGT MOS场效应晶体管
2026/02/02
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FS10N10F SOT-89-3L 100V N型增强型SGT MOS场效应晶体管
2025/11/01
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FS10N10F SOT-89 100V N沟道增强型场效应管(FS10N10F SOT-89 100V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/8/12
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SOT-89-3L 100V N沟道增强型MOS场效应晶体管
2025/04/01
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FS10N10F SOT-89-3L 100V N沟道增强型MOS场效应晶体管
2025/09/01
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FS10P03F SOT-89 -30V 沟道增强型场效应管(FS10P03F SOT-89 -30V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/5/5
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FS10P10F SOT-89-3L -100V P 沟道增强型场效应管(FS10P10F SOT-89-3L -100V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/9/5
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SOT-89-3L -30V P Channel Enhancement 沟道增强型 MOS Field Effect Transistor 场效应管
2025/05/17
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SOT-89-3L -30V P沟道增强型MOS场效应晶体管
2026/02/02
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SOT-89-3L -30V P沟道增强型MOS场效应晶体管
2025/09/01
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FS10P03F SOT-89 -30V P沟道增强型场效应管(FS10P03F SOT-89 -30V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/8/7
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FSS6005AN SOT-23-3L 60V 沟道增强型场效应管(FSS6005AN SOT-23-3L 60V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
2024/4/18
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FSLC3D5V1BD SOD-323 ESD 静电保护二极管
2024/1/4
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S1AW-S1MW SOD-123FL通用整流二极管
2023/12/26
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DW03A SOT-23-5L 单锂离子/聚合物电池保护电路
2023/12/29
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FS3402M SOT-23 30V N沟道增强型MOS场效应晶体管
2023/12/13
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FS3402M SOT-23 30V N沟道增强型MOS场效应晶体管
2023/5/22
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MMBTA92 SOT-23双极性晶体管
2023/12/12
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RS5AB-RS5MB SMB快速恢复二极管
2023/12/7
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FSS78L05M SOT-23三端稳压器
2023/12/5
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FSN35N04 PDFN3.3X3.3-8 N沟道增强型MOS场效应晶体管
2023/12/14
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FSN50N04 PDFN3.3X3.3-8 N沟道增强型MOS场效应晶体管
2023/12/14
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FS7P03 SOT-23-3L-30V P沟道增强型MOS场效应晶体管
2023/12/15
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安徽省富捷电子科技有限公司 Certificate of Registration（T89298;0441839）
Version: 1
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MMBT5401W SOT-323双极晶体管
2023/11/30
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MMBT5551W SOT-323双极晶体管
2023/11/30
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SGP1RWS-SGP7RWS SOD-323快恢复二极管
2023/11/20
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MMBZ*V*A用于ESD的SOT-23表面贴装双共阳极齐纳二极管
2023/11/21
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ES2ABF-ES2JBF SMBF超快恢复二极管
2023/11/13
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SS215BF-SS220BF SMBF肖特基势垒整流二极管
2023/11/8
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SS215F-SS220F SMAF肖特基势垒整流二极管
2023/11/4
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SS315F-SS320F SMAF肖特基势垒整流二极管
2023/11/9
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SS26L SMA肖特基势垒整流二极管
2023/11/6
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
超紧凑型MOSFET逆变器平台 输出功率达55kVA的MOSFET逆变器系统 SKAI® 3LV 产品介绍
赛米控推出超紧凑型MOSFET逆变器平台SKAI 3 LV，采用第7代MOSFET逆变器技术，输出功率达55kVA。该平台遵循平台化理念，提供标准型号和定制化设计，支持客户控制板集成。逆变器系统具备IP66外壳、低电感、低功耗等特点，适用于物料运输和电池供电车辆。
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【经验】采用隔离驱动器+MOSFET替换传统SSR的电源优化方案
Silicon Lbs推出的SI875X加MOS FET的方案来替代传统的设计，Si875x无需使用庞大的机械继电器，这些继电器可能难以组装到PCB上并向系统添加开关噪声。 可以支持全面的工业和汽车温度范围，稳定性更高，寿命更长。
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汽车燃油泵/水泵控制解决方案 预驱动集成电路：TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L
TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L
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【产品】有望取代MOSFET整体市场的氮化镓场效应晶体管
EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）以更高的开关速度工作，所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作，消耗更少的能源。
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