Power MOSFET
发布时间：
2026-01-05
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
-
本数据手册详细介绍了一款功率场效应晶体管的技术规格与性能参数。该器件漏源电压为400V，在VGS=10V条件下导通电阻RDS(on)为3.5Ω，最大栅极电荷Qg为17nC，栅极漏极电容Crss为6.3pF。手册还涵盖了开启延迟、关闭延迟等开关时间参数，以及内部体二极管240ns至540ns的反向恢复时间。此外，资料提供了绝对最大额定值、热阻规格、典型工作条件下的电学参数、开关时间测试电路波形图及安全操作区曲线，并明确该器件采用TO-252AA封装形式。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | SI7911DN-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | SI7911DN-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装DFN8(3X3),沟道Dual-P+P,Vds(V):-30V |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN8(3X3) |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-P+P |
| Vds(V) | -30V |
| Vth(V) | -1.7V |
| Ida(A) | -6.4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
14
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| 订货型号 | FDS6986S-NL-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | FDS6986S-NL-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Half-Bridge-N+N,Vds(V):30V |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Half-Bridge-N+N |
| Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V |
| Ida(A) | 6.8/10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5000
库存：
0
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| 订货型号 | ZXMN3A04KTC-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3A04KTC-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO252,沟道Single-N,Vds(V):30V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V |
| Ida(A) | 70A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | UPA2755GR-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2755GR-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N |
| Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V |
| Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | ZXMN3A04DN8TA-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3A04DN8TA-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N |
| Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V |
| Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | ZXMN3F31DN8TC-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3F31DN8TC-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N |
| Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V |
| Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | STS9D8NH3LL-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | STS9D8NH3LL-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N |
| Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V |
| Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | UPA2810T1L-E1-AY-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2810T1L-E1-AY-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装QFN8(3X3),沟道Single-P,Vds(V):-30V |
| 封装/外壳/尺寸 | QFN8(3X3) |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-P |
| Vds(V) | -30V |
| Vth(V) | -2.5V |
| Ida(A) | -45A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8000
库存：
0
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| 订货型号 | SUD50N02-09P-E3-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | SUD50N02-09P-E3-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO252,沟道Single-N,Vds(V):30V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V |
| Ida(A) | 70A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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SUD50N02-09P-E3-VB 在线购买 >>
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SUD50N02-09P-E3-VB 样品申请 >>
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SUD50N02-09P-E3-VB 批量询价 >>
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SUD50N02-09P-E3-VB 交期查询 >>
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| 订货型号 | UPA2751GR-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2751GR-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N |
| Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V |
| Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
世强硬创平台提供UPA2751GR-VB在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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UPA2751GR-VB 样品申请 >>
世强硬创平台提供UPA2751GR-VB批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
UPA2751GR-VB 批量询价 >>
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UPA2751GR-VB 交期查询 >>
世强硬创平台提供UPA2751GR-VB期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供VBsemi快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
立即提交 射频无源器件定制 >>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
立即提交 晶体回路匹配测试 >>
资料平台
| 数据手册 - 中文 |
功率 MOSFET
2026/01/04
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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N沟道800V（D-S）超级结功率MOSFET
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FMH20N50E-VB N沟道500V（漏源）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道900V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
FDN358P-NL-VB 数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/07
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N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/07
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N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/07
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N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/07
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/07
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VBGP11505 数据手册 N沟道 150V（漏极-源极）MOSFET
2025/11/08
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VBGQA1103 数据手册 N沟道 100V（漏-源）MOSFET
2025/11/08
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VBGQA1101N 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET
2025/11/08
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VBGQA1151N 数据手册 N沟道 150V（漏源）MOSFET
2025/11/08
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N沟道25V（耗尽型）MOSFET
2025/11/08
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VBGQA1810 数据手册
2025/11/08
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N沟道100v（D-S）MOSFET
2025/11/08
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VBGQF1806 数据手册 N沟道 85V（漏源）MOSFET
2025/11/08
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N沟道5**50 V（漏-源）超结MOSFET
2025/11/08
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N沟道600V（漏极-源极）超结功率MOSFET带快速二极管
2025/11/08
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N沟道600V（漏极-源极）超结功率MOSFET带快速二极管
2025/11/08
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N沟道600V（漏极-源极）超结功率MOSFET带快速二极管
2025/11/07
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VBM165R08S 数据手册
2025/11/08
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VBM16R07 数据手册
2025/11/08
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VBM165R25S 数据手册
2025/11/08
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
COSUSB42 高速USB 2.0 (480 Mbps) 1:2多路复用器/多路解复用器开关
科山芯创推出的COSUSB42是一款高性能、低功耗的双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，专为切换高速USB 2.0 (480 Mbps) 信号而优化。该器件采用先进的工艺设计，支持 1.8V 至 5.5V 的宽电压单电源供电，具备轨到轨信号处理能力，可无缝传输模拟与数字信号。
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搞懂MOSFET栅极驱动：高速开关电路的“操控核心”
在高频高效的电子领域，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是开关应用的核心器件，而栅极驱动器电路则是决定它们性能的“操控关键”。今天我们结合德州仪器《MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理》应用报告，从原理到设计，拆解栅极驱动的核心逻辑，帮你轻松掌握这一关键技术！
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SGM48536BQ用于MOSFET和IGBT功率开关的单路高速低侧栅极驱动器
SGM48536BQ是一款用于MOSFET和IGBT功率开关的单路高速低侧栅极驱动器。该器件可提供轨到轨驱动能力，且具有非常小的传播延迟（18.5ns，典型值）。SGM48536BQ采用独立输出架构。这种非对称驱动的独立输出结构能够提高器件对寄生米勒传导效应的免疫力，并降低地弹。
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森国科新品650V 50A高速开关器件KG050N065LD-R，重负载时效率提升0.3%
森国科推出的新品650V 50A IGBT具备业界领先的低传导损耗和高速开关性能，在交错式PFC电路中的应用中，与以往产品相比，轻负载时效率提升优势明显，重负载时效率提升了0.3%。
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