FMW20N60S1HF-VB Datasheet N-Channel 650 V (D-S) Super Junction MOSFET
发布时间：
2026-01-07
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
FMW20N60S1HF-VB
本数据手册详细介绍了FMW20N60S1HF-VB型N沟道650伏超级结MOSFET的技术参数与应用特性。该器件专为高效能电力电子设计而研发，具备低导通电阻、超低栅极电荷以及高效率开关性能等显著优势。在具体技术指标方面，其在25°C环境及Vgs为10V条件下，Rds(on)低至0.19欧姆，最大门极充电量（Qg）仅为106纳库仑，且通过减少反向恢复电荷（Qrr）有效降低了开关损耗，配合稳定的热阻表现，确保了系统运行的可靠性与散热效率。凭借这些优异特性，该MOSFET被广泛应用于电信设备、电源供应器、照明系统、消费电子、工业自动化及可再生能源系统等关键领域。针对文中所述器件，[品牌]在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可依托平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | FMW20N60S1HF-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | FMW20N60S1HF-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO247,沟道Single-N,Vds(V):650V | 封装/外壳/尺寸 | TO247 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds(V) | 650V |
| Vth(V) | 3.5V | Ida(A) | 20A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥8.9520
库存：
0
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| 订货型号 | SI7911DN-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | SI7911DN-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装DFN8(3X3),沟道Dual-P+P,Vds(V):-30V | 封装/外壳/尺寸 | DFN8(3X3) |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-P+P | Vds(V) | -30V |
| Vth(V) | -1.7V | Ida(A) | -6.4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
14
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| 订货型号 | FDS6986S-NL-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | FDS6986S-NL-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Half-Bridge-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Half-Bridge-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 6.8/10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5000
库存：
0
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| 订货型号 | ZXMN3A04KTC-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3A04KTC-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO252,沟道Single-N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 70A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | UPA2755GR-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2755GR-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥1.0560
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| 订货型号 | ZXMN3A04DN8TA-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3A04DN8TA-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
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价格：
￥1.0560
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| 订货型号 | ZXMN3F31DN8TC-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3F31DN8TC-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
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商品标签：
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| 订货型号 | STS9D8NH3LL-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | STS9D8NH3LL-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
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￥1.0560
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| 订货型号 | UPA2810T1L-E1-AY-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2810T1L-E1-AY-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装QFN8(3X3),沟道Single-P,Vds(V):-30V | 封装/外壳/尺寸 | QFN8(3X3) |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-P | Vds(V) | -30V |
| Vth(V) | -2.5V | Ida(A) | -45A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥1.8000
库存：
0
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| 订货型号 | SUD50N02-09P-E3-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | SUD50N02-09P-E3-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO252,沟道Single-N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 70A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
世强硬创平台提供SUD50N02-09P-E3-VB在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
SUD50N02-09P-E3-VB 在线购买 >>
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SUD50N02-09P-E3-VB 样品申请 >>
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SUD50N02-09P-E3-VB 批量询价 >>
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企业采购服务
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加工定制
可定制ATA TE Cooler的冷却功率范围：35~800W；控温精度：≦±0.1℃；尺寸：冷面：20*20到500*300；热面：60*60到540*400 （长*宽；单位mm）。
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可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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资料平台
| 数据手册 - 中文 |
SPW20N60CFD-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）超结MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
SPW20N60C3-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）超结MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
FMH22N60S1FD-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）超结MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
SPW20N60S5-VB 数据手册 N沟道 650V（漏极-源极）超结MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
SSW65R190S-VB 数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
NP80N055CHE-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) 金属氧化物半导体场效应晶体管
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
NP80N055CLE-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
SUP70N06-14-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
SVT50N06T-VB 数据手册 N沟道60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
2SK2139-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
2SK2827-01-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
2SK2871-01-VB 规格书
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
2SK2354-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
2SK319-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
2SK3094-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
2SK3524-01-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
2SK3517-01-VB 数据手册
2025/10/30
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HFP8N60S-VB 数据手册
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HM830-VB 数据手册
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IRF732-VB 数据手册
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JCS5N50CT-O-C-N-B-VB 数据手册
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IXTP6N50P-VB 数据手册
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JCS7N60C-O-C-N-B-VB 数据手册
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K1008-01-VB 数据手册
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K1117-VB 数据手册
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K1809-VB 数据手册
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K2871-01-VB 数据手册
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K3517-01-VB 数据手册 - 功率MOSFET
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K552-VB 数据手册
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KF5N50PS-VB 数据手册
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KF5N50PZ-VB 数据手册
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KHB5D0N50P-VB 数据手册
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MT5N60-VB 数据手册
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MTP4N40E-VB 数据手册
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MTP6N60-VB 数据手册
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NDP05N50Z-VB 数据手册
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P0550AT-VB 数据手册
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P0660AT-VB 数据手册
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TSM6NB60CI-VB 数据手册
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TSM7N60CIC0-VB 技术手册
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TSP7N60M-VB 数据手册
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TSM7N60CZ-VB 数据手册
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UF830G-TA3-T-VB 数据手册
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UT05N50-VB 数据手册
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UF830G-VB 数据手册
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WF7N60-VB 数据手册
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
珠海格力新元电子有限公司公司简介(Zhuhai Gree Xinyuan Electronic Co. COMPANY INTRODUCYION)
珠海格力新元电子有限公司，成立于1988年，是珠海格力电器股份有限公司的全资子公司，专注于电子元器件及电控组件的研发、生产、销售及服务。公司产品包括铝电解电容器、金属化薄膜电容器、IPM智能功率模块等，广泛应用于5G基站、新能源汽车等领域。公司拥有多项专利和专有技术，通过了IATF16949等管理体系认证，致力于提升中国电子工业基础。
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【经验】高压功率逆变器设计中采用SiC FET配合PWM4策略可显著降低整体功耗
通过评估不同功率组件的功率损耗和整体效率，工程师能够在为大功率高压应用选择拓扑结构、开关策略和功率半导体时作出明智的决策。本文介绍的调制策略，如ANPC逆变器的PWM4策略，配合UnitedSiC的SiC FET产品可以显著降低整体功率损耗，且在控制方面与3L-NPC非常相似。
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动力总成试验设备
该资料主要介绍了Dynex Semiconductor Ltd公司提供的电力组件测试设备和服务。公司专家能够设计测试，确保组件和系统完全符合规格。服务包括设计制造测试设备，专注于高压可靠性测试设备，如IGBT和晶闸管的测试。提供全面测试系统，进行功能验证和可靠性测试。此外，还提供特定波形测量、高压脉冲系统、热循环测试、功能测试（如开关测试）、动态功率循环测试、熔断器/断路器测试、高压脉冲测试、长时间脉冲功率测试和高功率半导体烧入测试等服务。
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压装IGBT器件、组件及配套产品产品产品传单
IXYS UK推出新一代高压功率半导体产品，包括1.7kV、2.5kV、4.5kV和6.5kV的压接IGBT器件，具备更高的SOA和改进的芯片组。产品线包括3000A T2960BB45E压接IGBT，是目前功率最高的压接IGBT，以及960A DC额定T0960VC17G新型1700V压接IGBT。IXYS UK还提供专为压接IGBT设计的门极驱动器、夹具、冷却器和辅助组件。应用领域涵盖牵引、AC驱动、可再生能源和高压驱动等。
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