N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET
发布时间：
2026-01-12
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
-
本数据手册详细介绍了一款N沟道650V超结功率场效应晶体管，该器件凭借低导通电阻（Ron）和高耐压特性，在功率电子应用中表现出色。资料重点阐述了其关键技术优势，包括低图示品质因子（Fom）、小输入电容（Ciss）以及极低的栅极电荷量（Qg），这些特性共同作用，有效减少了器件的切换损耗和传导损耗，提升了能效。在应用场景方面，该MOSFET广泛适用于服务器和电信电源、开关模式电源供应（SMPS）、功率因数校正电源供应（PFC），以及高强度放电灯泡（HID）和水银荧光球顶照明等工业与照明领域。基于该器件的技术方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | SI7911DN-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | SI7911DN-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装DFN8(3X3),沟道Dual-P+P,Vds(V):-30V | 封装/外壳/尺寸 | DFN8(3X3) |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-P+P | Vds(V) | -30V |
| Vth(V) | -1.7V | Ida(A) | -6.4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
14
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| 订货型号 | FDS6986S-NL-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | FDS6986S-NL-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Half-Bridge-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Half-Bridge-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 6.8/10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5000
库存：
0
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| 订货型号 | ZXMN3A04KTC-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3A04KTC-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO252,沟道Single-N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 70A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | UPA2755GR-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2755GR-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | ZXMN3A04DN8TA-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3A04DN8TA-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | ZXMN3F31DN8TC-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3F31DN8TC-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | STS9D8NH3LL-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | STS9D8NH3LL-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | UPA2810T1L-E1-AY-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2810T1L-E1-AY-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装QFN8(3X3),沟道Single-P,Vds(V):-30V | 封装/外壳/尺寸 | QFN8(3X3) |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-P | Vds(V) | -30V |
| Vth(V) | -2.5V | Ida(A) | -45A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8000
库存：
0
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| 订货型号 | SUD50N02-09P-E3-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | SUD50N02-09P-E3-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO252,沟道Single-N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 70A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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SUD50N02-09P-E3-VB 在线购买 >>
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SUD50N02-09P-E3-VB 样品申请 >>
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SUD50N02-09P-E3-VB 批量询价 >>
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SUD50N02-09P-E3-VB 交期查询 >>
世强硬创平台提供SUD50N02-09P-E3-VB期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
SUD50N02-09P-E3-VB 期货订购 >>
| 订货型号 | UPA2751GR-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2751GR-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
世强硬创平台提供UPA2751GR-VB在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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企业采购服务
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加工定制
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
立即提交 晶体回路匹配测试 >>
测试1.2/50us-8/20us组合波，10/700us-5/320us组合波，8/20us单波。能够模拟雷电瞬变引起的浪涌冲击抗干扰测试，最高电压达20KV，电流达20KA。点击预约，支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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资料平台
| 数据手册 - 中文 |
N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道650V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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功率 MOSFET
Rev.M
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功率 MOSFET
2026/01/04
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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功率 MOSFET
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N沟道900V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
N沟道800V（D-S）超级结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
FMH20N50E-VB N沟道500V（漏源）超结功率MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
FDN358P-NL-VB 数据手册
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数据手册
无法确定
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双N沟道增强型场效应晶体管与肖特基二极管
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NP80N055CHE-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) 金属氧化物半导体场效应晶体管
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NP80N055CLE-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
SUP70N06-14-VB 数据手册 N沟道 60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
SVT50N06T-VB 数据手册 N沟道60-V(D-S) MOSFET
2025/10/30
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2SK2139-VB 数据手册
2025/10/30
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2SK2827-01-VB 数据手册
2025/10/30
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2SK2871-01-VB 规格书
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2SK2354-VB 数据手册
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2SK319-VB 数据手册
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2SK3094-VB 数据手册
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2SK3524-01-VB 数据手册
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2SK3517-01-VB 数据手册
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HFP8N60S-VB 数据手册
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HM830-VB 数据手册
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IRF732-VB 数据手册
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JCS5N50CT-O-C-N-B-VB 数据手册
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IXTP6N50P-VB 数据手册
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JCS7N60C-O-C-N-B-VB 数据手册
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K1008-01-VB 数据手册
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K1117-VB 数据手册
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K1809-VB 数据手册
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K2871-01-VB 数据手册
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K3517-01-VB 数据手册 - 功率MOSFET
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K552-VB 数据手册
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KF5N50PS-VB 数据手册
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KF5N50PZ-VB 数据手册
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】100V中压MOS管SL80N10，采用TO-220封装，导通电阻低至6.6mΩ
SLKOR推出的SL80N10是一款中压MOS管，采用碳化硅功率器件技术，具有导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小、良好的开关性能和瞬态特性等特点，主要应用于电源开关、电机驱动器、DC-DC转换器等高功率应用领域。
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【技术】一文了解IGBT工作原理及优缺点
IGBT绝缘栅双极型晶体管是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。
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【应用】基于低成本、高效率8/16位MCU的智能控制荧光灯照明方案
针对荧光灯应用，Renesas提供的解决方案具备结构紧凑、重量轻以及功耗低等优势。其中R8C系列8/16位MCU具备片上PWM产生和输出功能；78K0系列和R8C/2x系列集成了调光器逆变器控制、PFC开/关控制以及DALI通信。方案还提用于PFC电源的IC、晶闸管以及光耦合器等产品。
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【应用】Renesas为UPS全数字控制系统设计提供最佳解决方案
对于UPS应用，推荐Renesas生产的微控制器（MCU）以及高效功率半导体器件，专为全数字控制系统设计，能够通过连续离线逆变器提供不间断CVCF输出。
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