N-Channel Enhancement Mosfet
发布时间：
2026-01-19
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
丽正国际（RECTRON）
型号：
RM130N60DF
本数据手册详细介绍了N-Channel Enhancement Mosfet的电气特性、应用领域、封装信息及测试电路。该器件采用超深沟槽技术，具备60V电压等级，在VGS=10V条件下导通电阻RDS(ON)小于2.5mΩ，并提供极低的导通电阻与优异的Qg x RDS(on)产品特性（FOM）。其设计符合JEDEC标准，适用于负载切换、电机驱动、高频开关及同步整流等工业场景，且采用非卤素封装。资料中详细列出了产品的最大额定值、电气特性曲线、封装尺寸、标记信息以及测试电路和波形图，为工程师的设计验证提供了全面参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足服务。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
丽正国际官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是丽正国际的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供丽正国际的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
丽正国际 授权代理店 >>
全球知名整流器厂商——丽正国际（Rectron）
丽正国际(Rectron)成立于1975年，台湾上市公司，是一家拥有超过40年的整流器制造经验的分立半导体优质制造商，产品涉及整流器，TVS/ESD二极管，碳化硅肖特基，晶体管，MOSFET，齐纳稳压管等器件，为Apple，ZTE，LG，Honeywell等全球知名品牌供货商。
访问丽正国际 品牌主页 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合丽正国际原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
立即获取 丽正国际 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供丽正国际快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 丽正国际 企业采购服务 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
RM130N60DF N沟道60V MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N200T7(T2)(HD) 200V N-Ch Power MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N30D3 N沟道增强型功率MOSFET
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N30D3 N沟道增强型功率MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
符合AEC-Q101的零件清单
Rev. 2018-05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N150HD N沟道 MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N100HD N沟道超级沟槽功率MOSFET
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N100T2 N-Channel Super Trench Power MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N100T2 N沟道超级沟槽功率MOSFET
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM138 N-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET
REV:E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM138 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
REV:C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM138 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM13P40S8
REV:O15
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM138
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM135P40DF 40V P沟道沟槽式功率MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel Super Trench Power MOSFET RM135N100HD
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel Super Trench Power MOSFET RM135N100HD
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM13P200LD P沟道增强型功率MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM13P100LD
2025/02/18
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
13Amps 600V N-Channel Power MOSFET RM13N600T2
REV:O29
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM135N100T2 N-Channel Super Trench Power MOSFET
REV:O15
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel Super Trench Power MOSFET RM135N100T2
REV:O15
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
O
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2026-03/59, REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2026-01/59 REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2026/01/19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025/12/24
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025-10/59 REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025/10/02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025-09/59 REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025-08/77 REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025-08/59 REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025/08/14
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025/08/02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025/08/02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025/07/17
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型MOSFET
2025-04/59
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RMD7N20ED2 N沟道增强型MOSFET
REV:O
|
下载 |
技术论坛
infineon IPP120N20NFDAKSA1 是否有同等物料可替代？
查看官方回答 >>
UPS国产项目，完全替换IPP110N20N3G，有没有合适方案推荐？
查看官方回答 >>
在做一款1000W通信电源，帮忙推荐一款国产场效应管，N沟道|200V|63.0A|0.0107Ω|TO-220|R10，谢谢！
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【应用】国产车规MOS管助力24V/400w卡车水泵，最大导通电阻仅5.5mΩ
汽车电子水泵是常见的发动机冷却水循环系统的核心零部件，主要给发动机冷却用；在水泵驱动方面，其控制板的功率器件主要采用MOS管作为驱动电机转动的主要核心器件，要求具备低的导通电阻，以降低蓄电池电量损耗。这里介绍丽正国际MOS管RM130N100HDV运用在卡车水泵上。
阅读原文 >>
【产品】30/40V的N沟道增强型功率MOSFET RM130N30D3/100N40DF，导通电阻极低
丽正国际的N沟道增强型功率MOSFET RM100N40DF、RM130N30D3，采用先进的沟槽技术和设计，具有超低的导通电阻RDS(ON)和较低的栅极电荷，具有较好的稳定性和均匀性，EAS高，采用特殊的工艺技术，ESD耐受能力高。可用于不间断电源供应，硬开关和高频电路等多种应用。
阅读原文 >>
【产品】100V/130A N沟道功率MOSFET RM130N100HD，采用Super Trench技术
丽正国际推出的N沟道功率MOSFET，型号为RM130N100HD，VDS=100V，ID=130A，采用经优化的Super Trench技术，可提供高效的高频开关性能，由于其具有低导通电阻RDS（ON）和低总栅极电荷Qg，使其具有最小的传导和开关功耗，非常适合高频开关和同步整流应用。
阅读原文 >>
【产品】50V/0.22A N沟道增强型功率MOSFET RM138，SOT-23封装
丽正国际推出N沟道增强型功率MOSFET，型号为RM138，采用SOT-23表面安装封装。漏极-源极电压为50V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流为0.22A，漏极脉冲电流为0.88A，最大功率耗散为0.35W，结至环境的热阻RθJA为350℃/W，工作和存储温度范围为-55℃ ~ +150℃。
阅读原文 >>
【产品】100V/130A N沟道功率MOSFET RM130N100T2，导通电阻可低至5.5mΩ
丽正国际推出的RM130N100T2是一款N沟道功率MOSFET，采用经过特殊优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，是高频开关和同步整流的理想选择。在TC=25°C时，RM130N100T2可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为130A，结温和储存温度范围为-55~150℃。
阅读原文 >>
【产品】200V N沟道功率MOSFET RM130N200T7、RM130N200T2、RM130N200HD
丽正国际推出的 200V N沟道功率MOSFET，型号分别为RM130N200T7，RM130N200T2，RM130N200HD，导通电阻分别为：8.7mΩ，9.4mΩ，9.1mΩ。功率MOSFET开关的极限参数如下：漏极连续电流为132A，漏极-源极电压为200V，栅极-源极电压为±20V，漏极脉冲电流为370A，耗散功率为429W。
阅读原文 >>
