FKF_TO220F
发布时间：
2026-01-20
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
FETek（东沅）
型号：
FKF_TO220F
本数据手册详细介绍了TO220F封装的详细规格，重点阐述了该封装的机械尺寸定义，涵盖了各关键尺寸的符号标识、具体数值以及毫米和英寸单位的换算数据。资料中不仅列出了严格的公差范围以确保制造精度，还配套提供了相关的参考图形，为工程师进行PCB布局设计、散热器选型及组装工艺验证提供了精准的参考依据。针对文中所述的TO220F封装器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该封装规格，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，所有型号均支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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FETek官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是FETek的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供FETek的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Mosfet及设计方案领军者——FETek（东沅科技）
东沅科技（FETek）成立于2013年5月，中国台湾新竹。本公司为一IC设计公司，拥有杰出研发团队的东沅，设计提供给计算机、网通、消费性产品、手机、电池与其他电源相关的Power Mosfet。主要产品为高压/中低压的Power Mosfet，本公司产品坚持高质量、高效率、良好服务、真诚，致力于成为中国台湾第一的电源管理IC设计公司。
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现货平台 / FETek 授权代理店
| 订货型号 | FKD3004S | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKD3004S | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | VDS(V):30,VGS(V):±20,VGS(th)(Max.V):2.2 | 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | MOSFET Type | N |
| VDS(V) | 30 | VGS(V) | ±20 |
| VGS(th)(Max.V) | 2.2 | RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=10V | 8 |
| RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V | 11 | Ciss(pF) | 693 |
| Coss(pF) | 332 | Crss(pF) | 34 |
| Qg(nC) | 7.1 | Qgs(nC) | 2.2 |
| Qgd(nC) | 3.1 | ID(A) | 52 |
| PD(W) | 34.7 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FKS6214 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKS6214 | 品类 | Dual Channel Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Trench Power MOSFET, SOP-8,BVDSS(V):60,ID(A):4 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| BVDSS（V) | 60 | ID(A) | 4 |
| Vth(V) | 1~3 | Rdson 10 Max(mΩ） | 50 |
| 应用等级 | 工业级 | 等级认证标准 | ROHS |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8359
库存：
0
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| 订货型号 | FKBA6056 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKBA6056 | 品类 | N-Channel Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Trench Power MOSFET,PRPAK5*6,BVDSS(V):60,ID(A):58 | 封装/外壳/尺寸 | PRPAK5*6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| BVDSS（V) | 60 | ID(A) | 58 |
| Vth(V) | 1~3 | Rdson 10 Max(mΩ） | 8.5 |
| 应用等级 | 工业级 | 等级认证标准 | ROHS |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9348
库存：
0
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| 订货型号 | FKD3004 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKD3004 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | VDS(V):30,VGS(V):±20,VGS(th)(Max.V):2.5 | 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | MOSFET Type | N |
| VDS(V) | 30 | VGS(V) | ±20 |
| VGS(th)(Max.V) | 2.5 | RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=10V | 8.5 |
| RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V | 14 | Ciss(pF) | 1317 |
| Coss(pF) | 163 | Crss(pF) | 131 |
| Qg(nC) | 12.6 | Qgs(nC) | 4.2 |
| Qgd(nC) | 5.1 | ID(A) | 55 |
| PD(W) | 41 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FKBA3202 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKBA3202 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | VDS(V):30,VGS(V):±20,VGS(th)(Max.V):2.5 | 封装/外壳/尺寸 | PRPAK5*6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Dual | MOSFET Type | N |
| VDS(V) | 30 | VGS(V) | ±20 |
| VGS(th)(Max.V) | 2.5 | RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=10V | 18 |
| RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V | 30 | Ciss(pF) | 489 |
| Coss(pF) | 76 | Crss(pF) | 56 |
| Qg(nC) | 9 | Qgs(nC) | 1.85 |
| Qgd(nC) | 1.55 | ID(A) | 35 |
| PD(W) | 41.7 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FKQ8205 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKQ8205 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | VDS(V):20,VGS(V):±12,VGS(th)(Max.V):1.2 | 封装/外壳/尺寸 | TSOP6 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ESD | V | Configuration | Dual |
| MOSFET Type | N | VDS(V) | 20 |
| VGS(V) | ±12 | VGS(th)(Max.V) | 1.2 |
| RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V | 27.5 | RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=2.5V | 38 |
| Ciss(pF) | 636 | Coss(pF) | 66 |
| Crss(pF) | 59 | Qg(nC) | 10.2 |
| Qgs(nC) | 1.5 | Qgd(nC) | 3 |
| ID(A) | 5 | PD(W) | 1.25 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FKD4016 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKD4016 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | VDS(V):40,VGS(V):±20,VGS(th)(Max.V):2.5 | 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | MOSFET Type | N |
| VDS(V) | 40 | VGS(V) | ±20 |
| VGS(th)(Max.V) | 2.5 | RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=10V | 6.5 |
| RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V | 9 | Ciss(pF) | 3354 |
| Coss(pF) | 275 | Crss(pF) | 204 |
| Qg(nC) | 28 | Qgs(nC) | 7.85 |
| Qgd(nC) | 12.5 | ID(A) | 75 |
| PD(W) | 52.1 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FKN3002 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKN3002 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | VDS(V):30,VGS(V):±20,VGS(th)(Max.V):2.5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | MOSFET Type | N |
| VDS(V) | 30 | VGS(V) | ±20 |
| VGS(th)(Max.V) | 2.5 | RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=10V | 28 |
| RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V | 40 | Ciss(pF) | 572 |
| Coss(pF) | 81 | Crss(pF) | 65 |
| Qg(nC) | 6 | Qgs(nC) | 2.5 |
| Qgd(nC) | 2.1 | ID(A) | 5 |
| PD(W) | 1 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供FKN3002在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | FKBA4204 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKBA4204 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | VDS(V):40,VGS(V):±20,VGS(th)(Max.V):2.5 | 封装/外壳/尺寸 | PRPAK5*6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Dual | MOSFET Type | N |
| VDS(V) | 40 | VGS(V) | ±20 |
| VGS(th)(Max.V) | 2.5 | RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=10V | 15 |
| RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V | 20 | Ciss(pF) | 1314 |
| Coss(pF) | 120 | Crss(pF) | 88 |
| Qg(nC) | 10.7 | Qgs(nC) | 3.3 |
| Qgd(nC) | 4.2 | ID(A) | 30 |
| PD(W) | 20.8 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供FKBA4204在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
FKBA4204 在线购买 >>
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FKBA4204 样品申请 >>
世强硬创平台提供FKBA4204批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
FKBA4204 批量询价 >>
世强硬创平台提供FKBA4204交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
FKBA4204 交期查询 >>
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| 订货型号 | FKCS2050 | 品牌 | FETek |
| 型号系列 | FKCS2050 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | VDS(V):20,VGS(V):±12,VGS(th)(Max.V):1.2 | 封装/外壳/尺寸 | CSP |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ESD | V | Configuration | Dual |
| MOSFET Type | N | VDS(V) | 20 |
| VGS(V) | ±12 | VGS(th)(Max.V) | 1.2 |
| RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=4.5V | 36 | RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=2.5V | 55 |
| Qg(nC) | 10.4 | ID(A) | 6 |
| PD(W) | 1.6 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供FKCS2050在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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FKCS2050 交期查询 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供FETek快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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Micro-Hybrid提供MEMS红外光源/探测器定制，支持封装形式、滤光片、惰性气体等参数调整，满足气体检测、火焰监测等场景需求。
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资料平台
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TO247(4L)封装外形图
Ver:B
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
DFN3x3封装外形
Ver:B
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| 数据手册 - 英文 |
FETek Technology Corp. P-Ch 30V 快速开关MOSFET FKS3105
A
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| 技术文档 - 英文 |
FKR_TO251 TO251 封装外形
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| 技术文档 - 英文 |
FKD_TO252 TO252(2L) 封装外形
2026/01/19
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FKUB_SOT523 SOT523 封装外形
2026/01/19
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
FKUC_SOT23S SOT23S 封装外形
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
DFN3x3_8L封装外形
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DFN2x2_6L_EP2封装外形
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PRPAK5x6封装外形
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PRPAK5x6-8L EP2封装外形
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TSSOP8包装大纲
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SOT-23封装外形
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TO-3P封装概述
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FKL03N20 N通道200V快速开关MOSFET
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FKL0107 P-ch 100V快速开关MOSFET
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FKL0004 N沟道100V快速开关MOSFET
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FKK6014 N沟道60V快速开关MOSFET
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FKK4101 P-ch 40V快速开关MOSFET
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FKK3113 P-ch 30V快速开关MOSFET
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FKK3107 P-ch 30V快速开关MOSFET
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FKK0008 N沟道100V快速开关MOSFET
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FKH8448 N沟道80V快速开关MOSFET
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FKH8048单N沟道MOSFET
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FKH8024A N沟道80V快速开关MOSFET
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FKH6048 N通道60V快速开关MOSFET
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FKH6032 N沟道60V快速开关MOSFET
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FKH4070 N-ch 40V快速开关MOSFET
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FKH4070A N-ch 40V快速开关MOSFET
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FKH4048 N沟道40V快速开关MOSFET
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FKH15810C N沟道100V快速开关MOSFET
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FKH100N12 N-ch 120V快速开关MOSFET
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FKH0026 N-ch 100V快速开关MOSFET
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FKF6048 N通道60V快速开关MOSFET
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FKF6103 P-ch 60V快速开关MOSFET
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FKF15810C N-ch 100V快速开关MOSFET
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FKD8014 N沟道80V快速开关MOSFET
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FKD6901 N沟道和P沟道快速开关MOSFET
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FKD6105 P-ch 60V快速开关MOSFET
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FKD6103 P-ch 60V快速开关MOSFET
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】650V/10A的N沟道功率MOSFET RU10N65P，采用TO220F封装
锐骏半导体推出的高压MOSFET RU10N65P，采用TO220F封装，650V10A规格，通过100%雪崩测试，具有超低栅极电荷，符合 RoHS 标准，无铅且绿色环保，适用于开关模式电源中的AC/DC电源转换（开关电源）、 适配器和PWM电机控制。
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【应用】国产N沟道MOSFET SLF60R190SS成功应用于春晚LED舞台电源
2019年央视春晚采用的LED舞台电源所用MOSFET为美浦森半导体的N沟道MOSFET SLF60R190SS，耐压600V，ID为22A，导阻0.15Ω，TO220F封装，经过严格的品质检验，成功助力该电源零故障运行。
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【产品】用于小型整流器的TO220FN封装30V肖特基势垒二极管
罗姆（ROHM）是全球著名半导体厂商之一。它推出了3款高效率功率肖特基势垒二极管，型号分别为BR10T30ANZ、RBR20T30ANZ和RBR30T30ANZ。三者的VRM（峰值反向电压）和反向电压（VR）均为30V，主要应用于小型整流器。三者的平均整流电流分别为10A、20A、30A。可承受正向浪涌电流IFSM分别为50A、100A、100A，具有较好的抗浪涌能力，主要应用于小型整流器。
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【产品】漏源电压为650V的N沟道功率MOSFET RU18N65P，其单脉冲雪崩能量为500mJ
锐骏半导体推出的RU18N65P是一款采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET，具有低反向传输电容和超低栅极电荷等特性，其可用于电源转换开关等多种应用。该产品的漏源电压为650V，栅源电压为±30V，单脉冲雪崩能量为500mJ。
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【产品】采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET RU20N65P，总栅极电荷典型值为135nC
锐骏半导体推出的RU20N65P是一款N沟道功率MOSFET，可以用于电源转换开关等多种应用。其漏源电压650V，漏极持续电流为20A@TC=25℃、VGS=10V，最大耗散功率为278W@TC=25℃，采用TO220F封装。
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【产品】650V/12A N沟道功率MOSFET器件RU65R340P，最高结温达150℃
锐骏半导体推出的RU65R340P器件是一款采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET；该器件在Tc=25℃时的绝对最大额定值为：漏源电压VDSS为650V，栅源电压VGSS为±30V，连续漏极电流ID为12A，最高结温TJ为150℃。
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【产品】采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET RU2N65P，最大耗散功率23W
锐骏半导体（Ruichips）是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业，其推出的RU2N65P是一款N沟道功率MOSFET，可以用于电源转换开关等多种应用，其漏源电压650V，漏极持续电流为2A。
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