ZMJ SEMICONDUCTORS CO., LTD ZMSA010N04HNCD 40V N-Channel Power SpeedFET
发布时间：
2026-02-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
真茂佳（ZMJ）
型号：
ZMSA010N04HNCD
本数据手册详细介绍了ZMJ SEMICONDUCTORS CO., LTD生产的ZMSA010N04HNCD 40V N-Channel Power SpeedFET。该器件结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，能够提供极低的导通电阻（RDS(ON)）。产品严格符合AEC-Q101标准，具备低导通电阻、低栅极电荷及低热阻等显著特性，并支持-55℃至+175℃的宽结温范围，主要适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器及电池保护等应用场景。ZMJ SEMICONDUCTORS CO., LTD在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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真茂佳官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是真茂佳的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供真茂佳的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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车规中低压MOSFET国产供应商——真茂佳（ZMJSEMI）
深圳真茂佳（ZMJSEMI）半导体有限公司是一家拥有自主知识产权且掌握先进功率器件设计和封测特色工艺的高新技术企业。公司顺应新能源汽车电子电气化架构和车规级功率半导体技术的发展，在真茂佳车规九大中低压电压平台衍生的不同封装形式和诸多应用领域成功案例的加持下，将持续打造值得客户信任的高可靠性“ZMJ”中低压车规MOSFET产品系列解决方案。
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现货平台 / 真茂佳 授权代理店
| 订货型号 | ZMSA010N04HNCD | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS010N04H | 品类 | power speedFET |
| 描述/说明 | 40V N-channel power speedFET,package:DFN5*6 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 40V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 270A | PD(W) Tc=25℃ | 176W |
| Ciss(pF) | 4220pF | Coss(pF) | 1160pF |
| Crss(pF) | 61pF | Rg(Ω) | 1.6Ω |
| Qg(nC) | 61nC | Qgs(nC) | 14.2nC |
| Qgd(nC) | 14nC | Operating Temperature(℃) | -55~175℃ |
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| 订货型号 | ZMSA090N04M | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMSA090N04M | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 40V N-channel power SpeedFET，Continuous Drain Current：46A，Static Drain-source On Resistance：6.2mΩ。 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3*3 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 40V | Continuous Drain Current | 46A |
| Static Drain-source On Resistance | 6.2mΩ | operating temperature | -55~175℃ |
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| 订货型号 | ZMS100N20HR | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS100N20HR | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 200V N-channel power SpeedFET,package:TOLL | 封装/外壳/尺寸 | TOLL |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 200V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 108A | Rᴅs（mΩ） | 9mΩ |
| Operating Temperature(℃) | -55~175℃ | ||
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| 订货型号 | ZMS100N20HC | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS100N20HC | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 200V N-channel power SpeedFET,package:TO-247 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 400 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 200V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 110A | Rᴅs（mΩ） | 9mΩ |
| Operating Temperature(℃) | -55~175℃ | ||
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| 订货型号 | ZMS090N15HP | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS090N15HP | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 150V N-channel power SpeedFET,package:TO-220 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 150V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 71A | Rᴅs（mΩ） | 10mΩ |
| Operating Temperature(℃) | -55~175℃ | ||
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| 订货型号 | ZMS055N15HC | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS055N15HC | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 150V N-channel power SpeedFET,package:TO-247 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 400 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 150V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 144A | Rᴅs（mΩ） | 5.3mΩ |
| Operating Temperature(℃) | -55~175℃ | ||
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| 订货型号 | ZMS055N15HR | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS055N15HR | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 150V N-channel power SpeedFET,package:TOLL | 封装/外壳/尺寸 | TOLL |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 150V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 126A | Rᴅs（mΩ） | 7mΩ |
| Operating Temperature(℃) | -55~175℃ | ||
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| 订货型号 | ZMS055N15HP | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS055N15HP | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 150V N-channel power SpeedFET,package:TO-220 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 150V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 106A | Rᴅs（mΩ） | 5.5mΩ |
| Operating Temperature(℃) | -55~150℃ | ||
授权代理商：
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| 订货型号 | ZMS090N15HN | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS090N15HN | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 150V N-channel power SpeedFET,package:DFN5*6 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 150V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 75A | Rᴅs（mΩ） | 9.4mΩ |
| Operating Temperature(℃) | -55~175℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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授权代理,
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| 订货型号 | ZMS055N15HB6 | 品牌 | 真茂佳 |
| 型号系列 | ZMS055N15HB6 | 品类 | power SpeedFET |
| 描述/说明 | 150V N-channel power SpeedFET,package:TO-263 | 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS Min(V) | 150V | VGS(V) | ±20V |
| ID(A) Tc=25℃ | 109A | Rᴅs（mΩ） | 6.5mΩ |
| Operating Temperature(℃) | -55~175℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
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世强硬创平台提供ZMS055N15HB6在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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ZMSA010N08HB6 80V N沟道功率速度场效应管
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ZMSA030N06N 60V N沟道功率速度场效应管
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ZMSA008N04HG 40V N沟道功率速度场效应管
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710RA，具有阻抗低，开关速度快的特征
蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710RA，具有阻抗低，开关速度快的特征。该器件适用于高效DC/DC转换和功率开关，其VDSS值100V，ID(Tc=25℃)值为59A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃。
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【产品】N沟道功率场效应管R6047ENZ4，导通电阻最大仅0.072Ω
R6047ENZ4是ROHM最新推出的N沟道功率场效应管，具有低导通电阻，快速开关速度，易于并行使用的特点。产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，适用于各种开关应用。
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【产品】 650V无卤N沟道超结功率场效应管BRD65R380C，开关速度快，用于低压电路
蓝箭电子推出TO-252塑封封装的650V N沟道超结功率场效应管。具有RDS(on)小，门电荷低，Crss小，开关速度快及无卤产品等特征。用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
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【产品】蓝箭电子650V无卤N沟道超结功率场效应管BRI65R380C，开关速度快，用于低压电路
蓝箭电子推出TO-251塑封封装的650V N沟道超结功率场效应管。具有RDS(on)小，门电荷低，Crss 小，开关速度快，无卤产品等特点。用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
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【产品】阻抗低N沟道MOS场效应管BRCS3710DP，采用TO-252塑封封装，开关速度快
蓝箭电子推出的BRCS3710DP是一款采用TO-252塑封封装N沟道MOS场效应管，具有阻抗低，开关速度快的特征，无卤产品，用于高效DC/DC转换和功率开关。
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