2N7002KLW SOT-323 MOSFET Reliability Test Report
发布时间：
2026-02-02
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
长晶科技（JSCJ）
型号：
2N7002KLW
本测试报告详细阐述了2N7002KLW型号MOSFET的可靠性测试结果与性能分析。报告重点记录了该器件在1000小时高温高湿测试（HTRB）中的表现，在150°C的加速温度条件下，测试全程无故障发生，验证了其优异的稳定性。此外，文档详细列出了加速因子在不同温度下的数值，并提供了计算公式以确定在55°C操作条件下的失效率及平均失效时间（MTTF），为器件在实际应用中的寿命评估提供了科学依据。针对文中所述的2N7002KLW器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，平台支持该型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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现货平台 / 长晶科技 授权代理店
| 订货型号 | 2N7002KLW_SOT-323 | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | 2N7002KLW | 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：Trench，V(BR)DSS(V)：60 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-323 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | TYPE | N |
| Process | Trench | V(BR)DSS(V) | 60 |
| VGS（±V） | 20 | ID(A) | 0.34 |
| RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | 4000 | VGS(th) MAX(V) | 2.5 |
| Ciss PF | 40 | Coss PF | 30 |
| Crss PF | 10 | ESD | ESD |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | 2N7002V_SOT-563 | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | 2N7002V | 品类 | 复合MOS |
| 描述/说明 | 复合MOS,V(BR)DSS60V,ID0.115A | 封装/外壳/尺寸 | SOT-563 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| V(BR)DSS | 60V | VGS(th) | 1V～2.5V |
| ID | 0.115A | Ciss | Max：50pF |
| Coss | Max：25pF | Crss | Max：5pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.2880
库存：
2,380
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| 订货型号 | CJM3005_DFNWB2×2-6L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJM3005_DFNWB2×2-6L | 品类 | Trench MOS |
| 描述/说明 | Trench MOS,V(BR)DSS30V,VGS±10V,ID5A,VGS(th)Max0.6V~1V,Ciss245PF,Coss35PF,Crss20PF,QgMax:10nC | 封装/外壳/尺寸 | DFNWB2×2-6L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD（Yes/No） | Yes | VDS（V） | 30V |
| VGS（V） | ±10V | ID（A） | 5A |
| VGS(TH)(V) | 0.6V~1V | RDS(mΩ)@VGS10V Typ | 32mΩ |
| RDS(mΩ)@VGS10V Max | 42mΩ | RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ | 35mΩ |
| RDS(mΩ)@VGS4.5V Max | 44mΩ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3000
库存：
1,850
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| 订货型号 | CJU50P06_TO-252-2L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJU50P06 | 品类 | 分离MOS |
| 描述/说明 | 分离MOS,V(BR)DSS-60V VGS±20V ID-50A VGS(th)Max -1V~-3V Ciss4500PF Coss705PF Crss515PF Qg72nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| V(BR)DSS | -60V | VGS | ±20V |
| ID | -50A | Ciss | 4500pF |
| Coss | 705pF | Crss | 515pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥1.2130
库存：
960
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| 订货型号 | BSS138_SOT-23 | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | BSS138_SOT-23 | 品类 | Trench MOS |
| 描述/说明 | Trench MOS,V(BR)DSS50V,VGS±20V,ID0.22A,VGS(th)Max0.8V~1.5V,Ciss27PF,Coss13PF,Crss6PF | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD（Yes/No） | No | VDS（V） | 50V |
| VGS（V） | ±20V | ID（A） | 0.22A |
| VGS(TH)(V) | 0.8V~1.5V | RDS(mΩ)@VGS10V Typ | 880mΩ |
| RDS(mΩ)@VGS10V Max | 3500mΩ | RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ | 1500mΩ |
| RDS(mΩ)@VGS4.5V Max | 6000mΩ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1090
库存：
270
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| 订货型号 | CJAB35N03S_PDFNWB3.3×3.3-8L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAB35N03S | 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS,Fully characterized avalanche voltage and current | 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB3.3×3.3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | VGS（V） | ±20V |
| ID（A） | 35A | VGS(TH)（V） | 1.3V~2.5V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥0.4500
库存：
250
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| 订货型号 | AD-CJ2301_SOT-23 | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | AD-CJ2301_SOT-23 | 品类 | Plastic-Encapsulated MOSFET |
| 描述/说明 | AD-CJ2301 Plastic-Encapsulated MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-source voltage | -20 V | Gate-source voltage | ±8 V |
| Continuous drain current | -2.3 A | Pulsed Drain Current | -10 A |
| Power dissipation | 0.4 W | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥0.1929
库存：
150
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| 订货型号 | CJAC35N03_PDFNWB5*6-8L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAC35N03 | 品类 | N-Channel Power MOSFETS |
| 描述/说明 | N-Channel Power MOSFETS V(BR)DSS30V ID35A | 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| V(BR)DSS | 30V | VGS | ±20V |
| VGS(th) | 1V～3V | ID | 35A |
| Ciss | 1265pF | Coss | 600pF |
| Crss | 130pF | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.6250
库存：
115
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| 订货型号 | 2N7002K_SOT-23 | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | 2N7002K | 品类 | 分离MOS |
| 描述/说明 | 分离MOS,V(BR)DSS60V VGS±20V ID0.34A VGS(th)Max1V~2.5V CissMax:40PF CossMax:30PF CrssMax:10PF | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| V(BR)DSS | 60V | VGS | ±20V |
| ID | 0.34A | Ciss | Max：40pF |
| Coss | Max：30pF | Crss | Max：10pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0650
库存：
103
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| 订货型号 | 2N7002KW_SOT-323 | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | 2N7002KW | 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：Trench，V(BR)DSS(V)：60 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-323 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | TYPE | N |
| Process | Trench | V(BR)DSS(V) | 60 |
| VGS（±V） | 20 | ID(A) | 0.34 |
| RDS(on) @10V TYP(mΩ) | 900 | RDS(on) @10V MAX(mΩ) | 2500 |
| RDS(on) @4.5V TYP(mΩ) | 1100 | RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | 3000 |
| VGS(th) MAX(V) | 2.5 | Ciss PF | 40 |
| Coss PF | 30 | Crss PF | 10 |
| ESD | ESD | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
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原厂认证
价格：
￥0.0753
库存：
100
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
2N7002KLW SOT-323塑封MOSFET
Rev. - 1.1
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00562
Rev. - 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 中文 |
2N7002KL_SOT-23工程变更通知(EC202303007)
2023/3/28
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| 技术文档 - 英文 |
M-M00562 2N7002KLW MSL报告
Rev. - 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002KL SOT-23塑封MOSFET
Rev. - 2.1
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00562 2N7002KLW SOT-323 可靠性报告
Rev. - 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
Rev. - 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/03/02
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002K SOT-23塑封MOSFET
Rev. - 2.2
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性测试报告
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性测试报告
Not specified
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002K TO-92塑料封装MOSFET
Rev. - 2.0
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| 技术文档 - 英文 |
材料分析数据表
2026/03/02
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| 技术文档 - 英文 |
材料分析数据表
2026/03/02
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| 测试报告 - 英文 |
材料分析数据表
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
2N7002KL SOT-23 MOSFET 可靠性测试报告
2026/02/02
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002KDW SOT-363塑料封装MOSFET
Rev. - 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002KDW SOT-363塑料封装MOSFET
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
平均故障时间报告
1.0
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| 测试报告 - 英文 |
平均故障时间报告
1.0
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| 测试报告 - 英文 |
平均故障时间报告
1.0
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| 技术文档 - 英文 |
2N7002KL 60V 表面贴装/MOSFET
July-25
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002KDW N沟道MOSFET
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00563
1.0
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| 技术文档 - 英文 |
2N7002K 60V 表面贴装/MOSFET
May-25
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002KW SOT-323塑料封装MOSFET
Rev. - 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002KW SOT-323塑料封装MOSFET
Rev. - 2.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00563
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
2N7002KL 可靠性测试报告
1.0
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| 技术文档 - 英文 |
M000004000311 2N7002K MSDS 报告
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00522 2N7002K 可靠性报告
Rev. - 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
2N7002K SOT-23 MOSFET 可靠性测试报告
2026/02/02
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| 数据手册 - 英文 |
AD-2N7002K SOT-23塑封MOSFET
Version 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00522
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AD-2N7002K塑封MOSFET
Version 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00522
Rev. - 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
M-F00678 2N7002KA 平均失效时间报告
Rev. - 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AD-2N7002KW塑封MOSFET
Version 1.0
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技术论坛
RYU002N05T306这个料你们有吗？
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应用/方案
报告编号：M-M00563 1. 产品信息 2. 可靠性测试结果：MSL3 通过
本报告详细介绍了2N7002KL型号的60V SMDs/MOSFET产品的可靠性测试结果。测试项目包括预应力电气测试、C-应力前测试、烘焙、浸泡、红外回流、C-应力后测试和后应力电气测试。所有测试均在JSCJ实验室进行，结果显示所有样品均通过测试，无分层现象。报告日期为2023年7月25日，由江苏长景电子科技有限公司提供。
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2021江苏长晶科技市场应用机会图
江苏长晶科技有限公司提供多种半导体元器件，涵盖手机、电子烟、TWS耳机、移动电源、安防监控、无刷电机、动力电池、电脑主板、扫地机器人、无线充、基站电源、快充充电器以及路由+WiFi6等多个行业应用。产品包括MOSFET、LDO、ESD保护、晶振、充电芯片等，满足不同应用场景的需求。
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长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET：CJAC6R8SN03AL和CJAC2R8SN03AL
长晶科技推出SGT Gen2.0工艺30V MOSFET，Fom值降低50%，Rsp值降低41.6%，系统损耗和温升显著改善，性能达国际一线厂商水平。
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长晶科技新推P沟道MOSFET CJ4459A，采用SOT-23封装，漏源电压为-30V
长晶科技推出的P沟道MOSFET CJ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择，该器件采用SOT-23封装。
阅读原文 >>
