B069, Rev. -
发布时间：
2026-02-03
类型：
封装信息/封装结构图，封装图、外形尺寸图
品牌：
SMC（桑德斯）
型号：
B069
本技术资料详细展示了特定元器件的实物包装形态与规格参数，重点涵盖了成品包装的实物照片及详细的包装方式说明。资料内容具体包括内盒与外盒的尺寸信息，并特别针对TO-249封装版本提供了详尽的包装信息表格，清晰列出了内盒的具体尺寸、容纳数量，以及外部包装的尺寸规格和装箱数量，旨在为仓储物流及生产备料提供准确的参考依据。针对文中涉及的元器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存以满足不同阶段的采购需求。同时，平台配备专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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SMC官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是SMC的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供SMC的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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拥有完整SIC产品体系——桑德斯（SMC）
桑德斯（SMC）成立于1997年，2000年建成晶圆生产线，并不断扩建改造。如今已经形成4英寸和6英寸片的关键工艺生产线。自量产以来，先后为韩国三星、LG、欧洲空客、松下，国内中兴通讯、熊猫电子等一批国际著名企业提供大量优质器件。
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现货平台 / SMC 授权代理店
| 订货型号 | MURS120 | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | MURS120 | 品类 | 二极管, 整流器, 单二极管, 单整流器二极管 |
| 描述/说明 | DIODE GEN PURP 200V 1A SMB | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 600 µA @ 100 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 850 mV @ 3 A |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | 肖特基 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 100 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 3A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr、F 时电容 | 250pF @ 4V，1MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3800
库存：
3,000
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| 订货型号 | SDURB2020CT | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURB2020CT | 品类 | 二极管, 整流器, 二极管阵列, DIODE ARRAY |
| 描述/说明 | DIODE ARRAY GEN PURP 200V D2PAK | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1 mA @ 45 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 840 mV @ 20 A |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 通孔 |
| 技术 | 肖特基 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 45 V |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8167
库存：
800
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| 订货型号 | SDURF1020CT | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURF1020CT | 品类 | 二极管, 整流器, 二极管阵列, DIODE ARRAY |
| 描述/说明 | DIODE ARRAY GP 200V ITO220AB | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 µA @ 200 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 975 mV @ 5 A |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 通孔 |
| 技术 | 标准 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 200 V |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 35 ns |
| 二极管配置 | 1 对共阳极 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.3861
库存：
0
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| 订货型号 | SDURK10Q60 | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURK10Q60 | 品类 | 二极管, 整流器, 单二极管, 单整流器二极管 |
| 描述/说明 | DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500 µA @ 40 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 580 mV @ 18 A |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | 肖特基 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 18A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr、F 时电容 | 250pF @ 5V，1MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.3652
库存：
200
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| 订货型号 | SDURB2030CT | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURB2030CT | 品类 | 二极管, 整流器, 二极管阵列, DIODE ARRAY |
| 描述/说明 | DIODE ARRAY GEN PURP 300V D2PAK | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 µA @ 600 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.55 V @ 5 A |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | 标准 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 600 V |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 50 ns |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2984
库存：
200
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| 订货型号 | SDURD830 | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURD830 | 品类 | 二极管, 整流器, 单二极管, 单整流器二极管 |
| 描述/说明 | DIODE GEN PURP 300V 8A DPAK | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1 mA @ 80 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 750 mV @ 5 A |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | 肖特基 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 80 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 5A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr、F 时电容 | 300pF @ 5V，1MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0356
库存：
200
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| 订货型号 | SDURB820 | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURB820 | 品类 | 二极管, 整流器, 单二极管, 单整流器二极管 |
| 描述/说明 | DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 µA @ 400 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3 V @ 8 A |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | 标准 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 400 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 8A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 45 ns | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.3567
库存：
200
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| 订货型号 | SDURB830 | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURB830 | 品类 | 二极管, 整流器, 单二极管, 单整流器二极管 |
| 描述/说明 | DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 30 µA @ 300 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3 V @ 10 A |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | 标准 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 300 V |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 35 ns |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.3655
库存：
200
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SDURB830 交期查询 >>
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| 订货型号 | SDURD820 | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURD820 | 品类 | 二极管, 整流器, 单二极管, 单整流器二极管 |
| 描述/说明 | DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1 mA @ 150 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.05 V @ 10 A |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C | 安装类型 | 通孔 |
| 技术 | 肖特基 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 150 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 10A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0368
库存：
200
世强硬创平台提供SDURD820在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | SDURB560 | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | SDURB560 | 品类 | 二极管, 整流器, 单二极管, 单整流器二极管 |
| 描述/说明 | DIODE GEN PURP 600V D2PAK | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 30 µA @ 30 V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3 V @ 5 A |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | 标准 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 300 V |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 35 ns |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.2649
库存：
200
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资料平台
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REACH SVHC声明
Jan-24th-2024
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STF20200C（R）肖特基整流器数据表
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
SD103BWSA肖特基势垒二极管数据手册
Rev. E
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S2M0016120K-1 1200V SiC功率MOSFET数据表
REV.A
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| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120K-1 1200V SiC功率MOSFET数据表
REV.A
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| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120J-1 1200V SiC功率MOSFET数据表
REV.A
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| 数据手册 - 英文 |
STD10300肖特基整流器数据手册
2024/4/29
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| 数据手册 - 英文 |
SKMS320-100高电压功率肖特基整流器数据表
2024/6/21
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| 数据手册 - 英文 |
ST6045C肖特基整流器数据表
2023/2/1
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| 数据手册 - 英文 |
SDURB1020CT-A超快整流器数据表
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
SDUR2060W超快整流器数据表
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
SDURF2040超快整流器数据表
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
SDURD2060超快整流器数据表
2024/6/6
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| 数据手册 - 英文 |
SDURB2040超快整流器数据表
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
SDURF840超快整流器数据表
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
SDUR1040/SDURF1040超快整流器数据表
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
SDURB830/SDURD830超快整流器数据表
Rev. A
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SDURD540超快整流器数据表
Rev. A
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EGUARD0521Z瞬态电压抑制器数据手册
2021/3/15
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STF40200C（R）肖特基整流器数据表
Rev. B
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STF40200C（R）肖特基整流器数据表
Rev.B
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STF15150C（R）肖特基整流器数据表
Rev. A
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ST5120/STB5120/STF5120/STD5120肖特基整流器数据表
Rev. A
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ST1045/STB1045/STF1045/STD1045肖特基整流器数据表
Rev. B
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S5D25170A/S5D25170F 1700V SiC功率肖特基整流器数据表
2023/7/19
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S2M0016120N 1200V SiC功率MOSFET数据表
2024/3/19
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SD05至SD36 TVS阵列数据手册
Rev. D
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ST60300C肖特基整流器
2024/2/26
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SK1545肖特基整流器数据表
2023/5/5
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1N4448W快速开关二极管数据手册
Rev. B
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MBR10150S肖特基整流器数据手册
Rev. A
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MBR60150CT肖特基整流器数据表
Rev. A
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42CTQ030/42CTQ030S/42CTQ030-1肖特基整流器数据表
Rev. A
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40CTQ015 40CTQ015S肖特基整流器数据表
Rev. C
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15CTQ035/040/045 15CTQ035/040/045/S 15CTQ./15CTQ.S肖特基整流器数据表
2024/3/13
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12CTQ030/035/040/045 12CTQ030/035/040/045/S 12CTQ./12CTQ.S肖特基整流器数据表
Rev. B
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12CWQ06FN肖特基整流器数据表
Rev. A
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MBRF1080CT（CTR）肖特基整流器数据表
Rev. A
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10TQ035/S 10TQ040/S 10TQ045/S肖特基整流器数据表
Rev. A
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SB10100肖特基整流器数据表
Rev. A
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MBRD630CT肖特基整流器数据手册
Rev. A
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50WQ06FN肖特基整流器数据表
Rev. A
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世强AI
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应用/方案
1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。
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1700V SiC MOSFET在低功率辅助电源中的应用，具有更轻便、更低成本的特点
650V-1200V碳化硅功率器件的市场应用越发普遍。随着额定电压为1700V-3300V的功率器件的推出，碳化硅半导体技术的众多优势已惠及电源、储能、电车、工业应用等各个细分市场。SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划，并将于2024年下半年实现大批量量产。
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新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析
受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸，目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展，越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。
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令车辆研发工程师梦寐以求的新材料与新技术：碳化硅
近日，西门子MoComp版块负责牵引逆变器研发的Bernd Laska博士在采访中谈及碳化硅的应用潜力。他称之为：令所有研发人梦寐以求的新型材料。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。
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SMC碳化硅肖特基二极管，低损耗、耐高温，一个更理想的开关选择
SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅肖特基二极管功率器件，包括S6D10065A、S4D40120F、S4D80120S2等型号，为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。
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碳化硅二极管与大功率PD快充：利用SiC和GaN等材料，提高充电功率，满足市场对轻薄热的需求
随着业界对电源功率密度和整机效率的追求，主动式PFC需要提高工作频率来减小磁芯体积，这为碳化硅 (SiC) 二极管在PFC上的应用创造了有利条件。
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1200V/21A N-Channel Enhancement Mode SiC Power MOSFET S2M0120120D with Very Low Total Conduction Losses and Very Stable Switching Characteristics
S2M0120120D is single SiC Power MOSFET packaged in TO-247AD case. The device is a high voltage n-channel enhancement mode MOSFET that has very low total conduction losses and very stable switching characteristics over temperature extremes. The S2M0120120D is ideal for energy sensitive, high frequency applications in challenging environments.
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SMC观点 | 碳化硅将推动新能源车充性能达到全新水平
本文SMC将探讨车载充电器的重要性，以及半导体开关技术进步如何推动车载充电器的性能提升到全新水平。长久以来，“续航焦虑”都是新能源汽车发展的瓶颈问题，是车企和车主共同的焦虑。但随着高压电气技术的不断进步和快充时代的到来，碳化硅（SiC）一词已经登上了历史舞台。
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