PY25Q512LD Ultra Low Power, 512M-bit Serial Multi I/O Flash Memory Datasheet
发布时间：
2026-02-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Puya（普冉）
型号：
PY25Q512LD
本数据手册详细介绍了PY25Q512LD串行多I/O闪存芯片的技术规格与应用特性。该芯片是一款512M-bit容量的存储器件，支持1.65V至2.0V的低电压供电范围，并兼容SPI模式0和模式3。其核心优势在于低功耗与高可靠性，具备X1、X2和X4多种I/O模式，能够满足多样化的数据传输需求。在可靠性方面，该芯片支持100K次编程擦除循环和20年的数据保留，并集成了WP#引脚保护、OTP安全寄存器及128位唯一ID等安全机制。功能上，它支持256字节统一页面编程、4K字节扇区擦除、32K/64K字节块擦除及全芯片擦除，且拥有快速编程擦除速度。在功耗控制上，其深度掉电电流低至2.0uA，待机电流20uA，活动读电流及编程擦除电流分别为10.0mA和12mA，非常适合对功耗敏感的消费类电子产品代码与数据存储。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。针对文中所述器件，平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
Puya官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Puya的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Puya的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
Puya 授权代理店 >>
行业内领先的非易失性存储器及 MCU 供应商——Puya（普冉）
普冉半导体（上海）股份有限公司（Puya），成立于2016年，是行业内领先的非易失性存储器（NVM）和微控制单元（MCU）供应商。公司专注于物联网、消费电子、可穿戴设备、手机、电脑、工业、汽车等多个领域。2021年，普冉在上海证券交易所上市（股票代码：688766）
访问Puya 品牌主页 >>
现货平台 / Puya 授权代理店
| 订货型号 | P25Q40SL-SSH-IR | 品牌 | Puya |
| 型号系列 | P25 | 品类 | Flash |
| 描述/说明 | Ultra Low Power, 4M-bit Serial Multi I/O Flash Memory | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 150mil |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Memory Density | 4M bit | Operation Voltage | 1.65V~2.0V |
| Device Grade | -40℃~+85℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供P25Q40SL-SSH-IR在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
P25Q40SL-SSH-IR 在线购买 >>
世强硬创平台提供P25Q40SL-SSH-IR样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
P25Q40SL-SSH-IR 样品申请 >>
世强硬创平台提供P25Q40SL-SSH-IR批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
P25Q40SL-SSH-IR 批量询价 >>
世强硬创平台提供P25Q40SL-SSH-IR交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
P25Q40SL-SSH-IR 交期查询 >>
世强硬创平台提供P25Q40SL-SSH-IR期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
P25Q40SL-SSH-IR 期货订购 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合Puya原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
立即获取 Puya 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供Puya快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 Puya 企业采购服务 >>
加工定制
提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制，语音时长：40秒~3小时（外挂flash），可以外挂TF卡或U盘扩容。
立即提交 语音/录音芯片定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q32HB-汽车级超低功耗32M位串行多I/O闪存数据手册
Ver1.7
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
PY25Q32HB - 超低功耗，32M位串行多I/O闪存数据手册
Ver0.3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q64HA-汽车级低功耗64M位串行多I/O闪存数据手册
Ver1.3
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
PY25Q128LA 超低功耗，128M位串行多I/O闪存数据手册
Ver0.3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
串行多I/O闪存存储器数据手册
2026/02/03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
串行多I/O闪存存储器数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
串行多I/O闪存存储器数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
串行多I/O闪存存储器数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
串行多I/O闪存存储器数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q16HB
Ver0.3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q16LB 超低功耗，16M位串行多I/O闪存数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q80HB - 超低功耗，8M位串行多I/O闪存数据手册
Ver1.8
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25F64HA 低功耗，64M位串行多I/O闪存数据手册
Ver1.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q40HB 超低功耗，4M位串行多I/O闪存数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
超低功耗，1G位串行多I/O闪存数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q64LB 超低功耗，64M位串行多I/O闪存数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q64HA 低功耗，64M位串行多I/O闪存数据手册
Ver2.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q01GHB 低功耗，1G位串行多I/O闪存数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25F256LD 串行多I/O闪存存储器数据手册
2026/02/03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25F256HB 低功耗，256M位串行多I/O闪存数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q512HB 低功耗，512M位串行多I/O闪存数据手册
2025/10/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25F01GLC 超低功耗，1G位串行多I/O闪存数据手册
2026/02/03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PY25Q256LD - 超低功耗，256M位串行多I/O闪存数据手册
2026/02/03
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
普冉股份 荣膺2025汽车电子·金芯奖卓越产品奖
普冉股份凭借车规级SPI NOR Flash芯片PY25Q512HB-SMH-AR荣获2025汽车电子·金芯奖卓越产品奖。该产品具备512Mb容量、133MHz高速传输、-40~125℃工作温度，通过AEC-Q100认证，支持10万次擦写与20年数据保持，适用于座舱、智驾及ADAS域控等汽车电子场景。
阅读原文 >>
工业闪存的生产工艺
本文介绍了工业闪存的生产工艺流程，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、金属蒸镀、注入、封装测试以及制造成品等关键步骤。每个环节对闪存芯片的功能和性能都起到重要作用，确保最终产品符合工业级标准。
阅读原文 >>
提高3D NAND闪存存储密度的基本技术
增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025年至2030年间，新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。本文介绍提高3D NAND闪存存储密度的四项基本技术。
阅读原文 >>
一键识别NAND闪存分类
NAND存储器约在四十年前被发明，如今已成为大宗商品，被广泛应用于消费性电子设备，例如智能手机、平板电脑和游戏机等。NAND闪存不需要电源也能保存数据，因此非常适合随身携带、设备内嵌或外接使用。本文中SMART将为大家介绍NAND闪存的不同分类，帮助大家更好地识别内存产品。
阅读原文 >>
呼叫Buddy-闪存
Renesas Flash Memory提供多种非易失性存储解决方案，适用于各种应用场景。产品包括标准闪存和系统增强型闪存，后者具有快速读写、低功耗等特点。资料详细介绍了不同型号的Flash Memory，如AT25FF、AT25EU、AT25XE等，并提供了选择指南和联系方式。
阅读原文 >>
【产品】低功耗串行接口闪存TH25D-20HA，2.3V～3.6V单电源，适用于高容量消费类应用
TH25D-20HA是一款串行接口闪存设备，用于各种高容量消费类应用。其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中以供执行。该设备的灵活擦除架构及其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。
阅读原文 >>
【技术】NAND闪存与NOR闪存有什么区别？
NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。本文德爱思将介绍NAND闪存与NOR闪存有什么区别？
阅读原文 >>
