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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间: 2026-02-04
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
虹美功率半导体(Hongmei Power Semiconductor)
型号:
HM5P25K
本数据手册详细介绍了HM5P25K型P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的技术特性与应用参数。该器件专为便携式设备及电池供电系统设计,采用先进的沟槽工艺技术与超高密度单元格设计,实现了低导通电阻和低栅极电荷的优异性能。其关键电气指标包括VDS为-250V,ID为-5A,在VGS=-10V条件下典型导通电阻RDS(ON)为950mΩ。这种可靠且坚固的设计方案,能够有效提升电源管理效率,满足各类电子电路对高性能功率开关的需求。基于该器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试服务,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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虹美功率半导体官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商,提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业,专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展,产品已涵盖了MOS管(低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS)、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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订货型号 HM3N10MR 品牌 虹美功率半导体
型号系列 HM3N10MR 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 N沟道,3A,耐100V 封装/外壳/尺寸 SOT23-3L
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
VDS (V) 100V ID (A) 3A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.2674
库存:
50
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订货型号 HMS80N25D 品牌 虹美功率半导体
型号系列 HMS80N25D 品类 N-Channel Super Trench II Power MOSFET
描述/说明 The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. 封装/外壳/尺寸 TO-263
最小包装量 50 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 250V Gate-Source Voltage ±20V
Drain Current-Continuous 80A Drain Current-Continuous(TC=100℃) 56A
Pulsed Drain Current 240A Maximum Power Dissipation 200W
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥6.5177
库存:
50
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订货型号 HMS135N10D/TO-263 品牌 虹美功率半导体
型号系列 HMS135N10D 品类 N-Channel Super Trench II Power MOSFET
描述/说明 The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. 封装/外壳/尺寸 TO -263
最小包装量 1 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 100V Gate-Source Voltage ±20V
Drain Current-Continuous 135A Drain Current-Continuous(TC=100℃) 95A
Pulsed Drain Current 405A Maximum Power Dissipation 200W
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 HMS260N10D/TO-263 品牌 虹美功率半导体
型号系列 HMS260N10D 品类 N-Channel Super Trench II Power MOSFET
描述/说明 The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. 封装/外壳/尺寸 TO-263
最小包装量 1 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 100V Gate-Source Voltage ±20V
Drain Current-Continuous 260A Drain Current-Continuous(TC=100℃) 182A
Pulsed Drain Current 780A Maximum Power Dissipation 200W
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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世强硬创平台提供HMS260N10D/TO-263样品申请服务,支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试;样品将由原厂审核,世强协助申请,物流全程可追踪,助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供HMS260N10D/TO-263交期查询服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
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订货型号 HMS80N25 品牌 虹美功率半导体
型号系列 HMS80N25 品类 N-Channel Super Trench II Power MOSFET
描述/说明 The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. 封装/外壳/尺寸 TO-220
最小包装量 50 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 250V Gate-Source Voltage ±20V
Drain Current-Continuous 80A Drain Current-Continuous(TC=100℃) 56A
Pulsed Drain Current 240A Maximum Power Dissipation 200W
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥6.4706
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0
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合虹美功率半导体原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
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企业采购服务
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加工定制
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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