HMSF30N90F 900V N-Channel Super Junction MOSFET
发布时间：
2026-02-05
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HMSF30N90F
本数据手册详细介绍了HMSF30N90F器件，这是一款900V N-Channel Super Junction MOSFET。该产品凭借非常低的优值系数（FOM，即RDS(on) X Qg）和极低的开关损耗，在能效控制方面表现卓越。同时，器件具备优异的稳定性和均匀性，并经过了100%雪崩测试，内置ESD二极管进一步增强了系统的可靠性。基于这些特性，HMSF30N90F被广泛应用于开关电源（SMPS）、电视电源和LED照明电源、AC到DC转换器以及电信等关键领域。针对该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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资料平台
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HMSF30N90T 900V N沟道超结MOSFET
2025/06/26
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| 技术文档 - 中文 |
高压超结MOS 特色产品
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650V/700V高压超结MOS
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HMSF85N65T 650V N沟道超结MOSFET
2026/02/04
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| 技术文档 - 英文 |
HMSFFEFEOCE N沟道超沟槽功率MOSFET
2024/12/02
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SJMOS N沟道MOSFET 750V，95mΩ，25A
2026/02/04
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SJMOS N沟道MOSFET 650V，0.103Ω，2A
2025/06/30
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HMSF75N65T 650V N沟道超结MOSFET
2025/06/30
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HMSF40N65T 650V N沟道超结MOSFET
2025/06/30
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HMSF75N65T 750V N沟道超结MOSFET
2026/02/04
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HMSF50N65T 650V N沟道超结MOSFET
2025/06/30
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100% 雪崩测试 100% DVDS测试 HMSF25N65T
2026/02/04
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HMSF110N65T 650V N沟道超结MOSFET
2026/02/04
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HMS20N80T 800V N沟道超级结MOSFET
2025/06/30
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HMS20N80T 800V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS10N80K 800V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS3N70 700V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS5N70 700V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS20N80 800V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS5N90R 900V N沟道超级结MOSFET
2024/7/15
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HMS5N80F 800V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS3N70F 700V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS5N70F 700V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS29N65T 650V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS65N65T 650V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS5N80R 800V N沟道超级结MOSFET
2023/5/26
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HMS3N70R2 700V N沟道超级结MOSFET\r
2022/11/6
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HMS5N70R 700V N沟道超级结MOSFET
2023/9/12
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HMS25N65T 650V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS21N65T 650V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS20N80D 800V N沟道超级结MOSFET
2025/06/30
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HMS20N80D 800V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS20N80F 800V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS20N70T 700V N沟道超级结MOSFET
2024/3/12
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HMS8N70K 700V N沟道超级结MOSFET
2024/3/28
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HMS40N65T 650V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS21N65D 650V N沟道超级结MOSFET
2024/7/15
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HMS8N70F 700V N沟道超级结MOSFET
2024/3/28
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HMS7N80F 800V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS20N70F 700V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS15N80F 800V N沟道超级结MOSFET
2023/10/7
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HMS15N80F 800V N沟道超级结MOSFET
2023/10/7
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HMS15N80F 800V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS3N65R2 650V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS11N70F 700V N沟道超级结MOSFET
2023/3/31
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HMS11N70K 700V N沟道超级结MOSFET
2023/3/31
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
HMS/HMM系列 功率器件选型参考
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时科650V/40A超级结MOSFET SKJ40N65-T7，为应用场景有效保驾护航
超结MOS的选型需要综合考虑电压和电流额定值、导通电阻、开关速度、热管理、安全裕度、寄生参数以及应用的具体需求，选择合适的产品以确保最佳性能和可靠性。时科SKJ40N65-T7超级结MOSFET漏源电压（VDS）650V，连续漏极电流（ID）40A，在高电压下也能保持低导通电阻，有效减少开关损耗。
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【经验】超级结MOSFET在电源上的应用优点及问题
COOLMOS的前世今生COOLMOS也就是super junction MOS由于大家习惯沿用了英飞凌的叫法，所以一直叫COOLMOS，也叫超结MOS。COLLMOS在电源上应用的优点有通态阻抗小，通态损耗小、同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高、棚电荷小，对电路的驱动能力要求降低、节电容小，开关速度加快，开关损耗小。
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新型600V超级结MOSFET系列：内置高速二极管的R60xxVN系列（Prestomos™）/R60xxYNx低导通电阻系列
ROHM推出新型600V Super Junction MOSFET系列，包括R60xxVN系列和R60xxYNx系列。这些产品采用新工艺，实现单位面积20%的更低导通电阻，同时兼具高速开关和低导通电阻特性，适用于PFC和同步整流等应用。产品包括TO-252 DPAK、TO-3PF和TO-247AD(TO-247)等封装。
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