HMM60TN120D7 High Speed Switching MOSFET
发布时间：
2026-02-05
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HMM60TN120D7
本数据手册详细介绍了HMM60TN120D7高速开关MOSFET的技术特性与应用参数。该器件作为一款高性能金属氧化物半导体场效应晶体管，具备高速开关、低电容以及高阻断电压、低导通电阻（RDS(on)）等显著优势。其设计支持易于并联和简单驱动，符合RoHS环保标准。在性能表现上，该MOSFET能够有效增加功率密度，支持更快的操作频率，从而降低散热器需求并提升整体效率，同时有助于降低电磁干扰（EMI）。资料还涵盖了电气特性、热特性、动态特性、开关特性及反向二极管特性的详细数据，并提供了封装尺寸信息。该产品主要应用于功率因数校正模块、开关电源、DC-AC逆变器以及高压DC/DC转换器等领域。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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现货平台 / 虹美功率半导体 授权代理店
| 订货型号 | HM4453A | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4453系列 | 品类 | 中功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | P沟道,21A,20V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | 21A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0695
库存：
240
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| 订货型号 | HMS6N10PR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS6N10系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,6A,耐100V,低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 6A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5130
库存：
50
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| 订货型号 | HMS4N10MR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS4N10系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,4A,耐100V,低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-3L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4706
库存：
50
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| 订货型号 | HM9N20 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM9N20 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,9A,耐200V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM9N20K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM9N20系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,9A,耐200V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8883
库存：
50
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| 订货型号 | HM8N20A | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM8N20系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,8A,耐200V,低开启版本 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM8N20K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM8N20系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,8A,耐200V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8448
库存：
50
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| 订货型号 | HM530 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM530 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,17A,耐100V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 17A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1553
库存：
50
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| 订货型号 | HM17N10K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM17N10系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,17A,耐100V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 17A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9412
库存：
50
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| 订货型号 | HM15N10K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM15N10系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,15A,耐100V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 15A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8236
库存：
50
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资料平台
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HMM60TN150D7 高速开关MOSFET
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HMM60TN150T4 高速开关MOSFET
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HMM20TN80F 高阻断电压低导通电阻MOSFET
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HMM11TN80K 高阻断电压低导通电阻MOSFET
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1200V 40毫欧姆 SiC MOSFET HMM75N120T4
2024/12/02
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1200V SiC MOSFET HMM35N120T4
2025/12/23
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HMM65N120D7 1200V SiC MOSFET
2026/02/04
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Gen 2 Silicon Carbide Power MOSFET
2026/02/04
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HMM130N120T 1200V/18.5mΩ SiC MOSFET 分立器件
2026/02/04
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HMM120N120T 1200V 1nΩ 碳化硅功率MOSFET，TO-247-3
2024/12/02
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碳化硅功率MOSFET N沟道增强型HMM120N65T4
2025/01/22
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| 数据手册 - 英文 |
HM4110T N沟道增强型功率MOSFET
2022/11/6
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道增强型碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
2024/12/02
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| 数据手册 - 英文 |
HMM35N90T N沟道增强型碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
2024/12/02
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| 数据手册 - 英文 |
HMM65N120T N沟道增强型碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
2024/12/02
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| 数据手册 - 英文 |
HMG50N65FT
2025/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
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SJMOS N沟道MOSFET 650V，0.27Ω，20A
2025/06/30
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2025/06/30
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P沟道增强型功率MOSFET
2025/06/30
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P沟道增强型功率MOSFET
2025/06/30
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P沟道增强型功率MOSFET
2025/06/30
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HMSF75N65T 650V N沟道超结MOSFET
2025/06/30
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HMSF40N65T 650V N沟道超结MOSFET
2025/06/30
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N沟道40V（D-S）MOSFET
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N和P沟道增强型功率MOSFET
2025/06/30
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20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管
2025/06/30
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N通道增强模式功率MOSFET
2025/06/22
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N通道增强模式功率MOSFET
2025/06/22
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N通道增强模式功率MOSFET
v1.3
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N通道增强模式功率MOSFET
2025/03/21
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HMS5N70K 700V N沟道超结MOSFET
2025/03/21
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HMN17N65Q 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev. 1.1
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HM8N65/HM8N65F 650V N沟道MOSFET
2024/9/24
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【应用】N沟道MOSFET SBSS138用在电脑CPU风扇中，开关频率高达M级
N沟道MOSFET BSS138的开关频率高达M级，完全适用于PWM信号的开关控制。对CPU散热风扇施以PWM信号实现风扇的开关及调速，优化了CPU的散热性能，避免了常规情况下一开机风扇即高速旋转的现象，既实现了CUP的散热管理，也延长了风扇自身的工作寿命。
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搞懂MOSFET栅极驱动：高速开关电路的“操控核心”
在高频高效的电子领域，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是开关应用的核心器件，而栅极驱动器电路则是决定它们性能的“操控关键”。今天我们结合德州仪器《MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理》应用报告，从原理到设计，拆解栅极驱动的核心逻辑，帮你轻松掌握这一关键技术！
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SGM48536BQ用于MOSFET和IGBT功率开关的单路高速低侧栅极驱动器
SGM48536BQ是一款用于MOSFET和IGBT功率开关的单路高速低侧栅极驱动器。该器件可提供轨到轨驱动能力，且具有非常小的传播延迟（18.5ns，典型值）。SGM48536BQ采用独立输出架构。这种非对称驱动的独立输出结构能够提高器件对寄生米勒传导效应的免疫力，并降低地弹。
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罗姆实现650V高耐压、低导通电阻、高速开关的超级结MOSFET R65xxKNX3系列
ROHM此次新开发的是“R65xxKNX3系列”，是650V耐压的超级结MOSFET。封装形式采用的是功率MOSFET的标准封装TO-220AB。TO-220AB封装因为载有芯片的金属焊盘（散热片）裸露在封装背面而具有出色的散热性能，因此适用于大功率电源应用（例如发热量较大的服务器电源）。
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【产品】双通道4A高速低侧栅极驱动器SL4427，专为高效、安全地驱动MOSFET和IGBT而设计
SLKOR SL4427是一款双通道4A高速低侧栅极驱动器，专为高效、安全地驱动MOSFET和IGBT而设计。它提供带/不带热焊盘的SOP-8封装选择，并具有低传播延迟和失配等特点，可以实现数百kHz的开关频率。
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【产品】650V N沟道MOSFET ASR320N650MD88，集成低电容特性高速开关，符合RoHS标准，无卤
ASR320N650MD88是爱仕特推出的一款N沟道 MOSFET，器件采用了一种全新的技术。与硅MOSFET相比，该技术可提供优异的开关性能以及更高可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片封装特性可保证芯片具有低电容和低栅极电荷特点。因此，该器件的优点包括效率最高、工作频率更快、增强型功率密度、降低EMI干扰并能够减小系统尺寸。
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【产品】瑶芯微最大漏-源电压1200V的碳化硅功率MOSFET，具备高速开关特性，符合RoHS标准
瑶芯微推出的碳化硅功率MOSFET AKCK2M030WMH，具有高速开关和低电容值等特性，器件无卤素，符合RoHS标准，主要应用于电动汽车电机驱动，DC/DC转换器，开关模式电源，太阳能逆变器和OBC等应用领域。
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无线充电 双N沟道大电流MOS
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高速(暴力)风筒/风扇市场专用MOS
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