SOT-23
发布时间：
2026-02-06
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SXSEMI（瞬芯科技）
型号：
SOT-23
本数据手册详细介绍了采用SOT-23封装的二极管产品规格与技术参数。该器件属于小型表面贴装类型，内部集成了两个串联的二极管元件，适用于高密度电路板设计。在电气性能方面，其最大反向峰值电压与直流阻断电压均为80V，正向连续电流为300mA，非重复性峰值正向浪涌电流可达2.0A，平均整流输出电流为100mA。此外，该二极管的功耗为200mW，热阻为625℃/W，工作结温及存储温度范围覆盖-55℃至+150℃，确保了在严苛环境下的可靠性。资料中还包含了典型特性曲线、封装尺寸及推荐的焊盘布局，为工程师的电路设计与布局提供了详尽参考。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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SXSEMI官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是SXSEMI的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供SXSEMI的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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一家从事ESD防静电保护管、TVS管、MOSFET场效应管等半导体器件的创新型技术企业——SXSEMI（瞬芯科技）
SXSEMI（瞬芯科技）一如既往、砥砺前行！坚持为全球客户提供优质产品的经营目标；坚持产品为王、以质取胜的生产态度；坚持客户至上的服务理念。SXSEMI瞬芯科技有限公司成立於2011年，是一家全球知名的半导体分立元器件厂商，产品远销全球多个国家，被公认为是半导体行业富有创新力的公司之一。
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现货平台 / SXSEMI 授权代理店
| 订货型号 | BZX84C11W | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | BZX84C11W | 品类 | Zener Diode, 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Zener Diode;稳压二极管,PD(mW):200;VZTyp(V):11;IZT(mA):5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-323 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| PD(mW) | 200 | VZTyp(V) | 11 |
| VZMin(V) | 10.4 | VZMax(V) | 11.6 |
| IZT(mA) | 5 | IR(uA) | 0.1 |
| IR@VR(V) | 8 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0942
库存：
0
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| 订货型号 | BZX84C6V8W | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | BZX84C6V8W | 品类 | Zener Diode, 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Zener Diode;稳压二极管,PD(mW):200;VZTyp(V):6.8;IZT(mA):5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-323 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| PD(mW) | 200 | VZTyp(V) | 6.8 |
| VZMin(V) | 6.4 | VZMax(V) | 7.2 |
| IZT(mA) | 5 | IR(uA) | 2 |
| IR@VR(V) | 4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0942
库存：
0
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| 订货型号 | P6KE12A | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | P6KE12A | 品类 | High Power TVS, 瞬态电压抑制管 |
| 描述/说明 | High Power TVS;瞬态电压抑制管,Ppp(W):600;VRWM(V):10.2;VBRMin(V):11.4 | 封装/外壳/尺寸 | DO-15 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp（W） | 600 | VRWM（V） | 10.2 |
| VBRMin（V） | 11.4 | VBRMax（V） | 12.6 |
| IR | 5 | it（μA） | 1 |
| VC（V） | 16.7 | IPP（A） | 35.9 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2353
库存：
0
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| 订货型号 | SS8050 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SS8050 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor;Polarity:NPN;PCM(W):0.3;IC(A):1.5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | NPN | PCM(W) | 0.3 |
| IC(A) | 1.5 | VCBO(V) | 40 |
| VCEO(V) | 25 | VEBO(V) | 5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | SS8550 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SS8550 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor;Polarity:PNP;PCM(W):0.3;IC(A):1.5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | PNP | PCM(W) | 0.3 |
| IC(A) | 1.5 | VCBO(V) | 40 |
| VCEO(V) | 25 | VEBO(V) | 5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | SMBJ188CA | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SMBJ188CA | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):600;VRWM(V):190;IR( μA):5 | 封装/外壳/尺寸 | SMB |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 600 | VRWM(V) | 190 |
| VBRMin(V) | 209 | VBRMax(V) | 231 |
| IR(μA) | 5 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 307.8 | ||
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| 订货型号 | SMBJ188A | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SMBJ188A | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):600;VRWM(V):190;IR( μA):5 | 封装/外壳/尺寸 | SMB |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 600 | VRWM(V) | 190 |
| VBRMin(V) | 209 | VBRMax(V) | 231 |
| IR(μA) | 5 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 307.8 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.2353
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| 订货型号 | P4SMA540CA | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | P4SMA540CA | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):400;VRWM(V):460;IR( μA):1 | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 400 | VRWM(V) | 460 |
| VBRMin(V) | 513 | VBRMax(V) | 567 |
| IR(μA) | 1 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 740 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥0.4236
库存：
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| 订货型号 | P4SMA540A | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | P4SMA540A | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):400;VRWM(V):460;IR( μA):1 | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 400 | VRWM(V) | 460 |
| VBRMin(V) | 513 | VBRMax(V) | 567 |
| IR(μA) | 1 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 740 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
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原厂认证
价格：
￥0.4236
库存：
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| 订货型号 | P4SMA530CA | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | P4SMA530CA | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):400;VRWM(V):451;IR( μA):1 | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 400 | VRWM(V) | 451 |
| VBRMin(V) | 503.5 | VBRMax(V) | 556.5 |
| IR(μA) | 1 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 725 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4236
库存：
0
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P4SMA530CA 样品申请 >>
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P4SMA530CA 交期查询 >>
世强硬创平台提供P4SMA530CA期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供SXSEMI快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
立即提交 贴片LED二极管/灯珠定制 >>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
立即提交 贴片灯珠定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
SOT-23 肖特基势垒二极管
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| 技术文档 - 英文 |
适用于静音。SOT-23
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| 数据手册 - 英文 |
索特-23
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| 数据手册 - 英文 |
SOT-23 整流二极管
2024/12/04
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| 数据手册 - 英文 |
SOT-23-3L 反相电路，内置偏置电阻
2024/11/21
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| 数据手册 - 英文 |
SOT-23-3L 内置偏置电阻的反相器
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| 数据手册 - 英文 |
SX8H10S 100V N+N-通道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX8H06S 60V N+N-沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX80P10D -100V N沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX80P10T -100V P沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX50N06NF 60V N沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX50H06NF 60V N+N-通道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX40H06DF 60V N+N-沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
40V N+N-沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SX15G03ES 30V N+P沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
肖特基整流二极管
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| 数据手册 - 英文 |
瞬态电压抑制器用于ESD保护 SXTVSHC1TF24VBH
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| 数据手册 - 英文 |
瞬态电压抑制器用于ESD保护 SXTVSHC1TF12VU
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| 数据手册 - 英文 |
瞬态电压抑制器用于ESD保护SXTVSHC1SF12VBH
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| 数据手册 - 英文 |
SXESDNC2FD3V3B 瞬态电压抑制器用于ESD保护
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| 数据手册 - 英文 |
SXESDLC563T5VU
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| 技术文档 - 英文 |
SXESDNC2FD30VB 瞬态电压抑制器用于ESD保护
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| 数据手册 - 英文 |
瞬态电压抑制器用于ESD保护SXESDHC2FD7VB
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| 技术文档 - 英文 |
SXESDHC2FD7VUH 瞬态电压抑制器用于ESD保护
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| 数据手册 - 英文 |
瞬态电压抑制器用于ESD保护SXESDHC2FD6V3UF
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| 数据手册 - 英文 |
SXESDALC363T5VU 瞬态电压抑制器用于ESD保护
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| 数据手册 - 英文 |
索特-89-3L
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| 数据手册 - 英文 |
UMH9N双通道数字晶体管（NPN+NPN）
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UMD2N双通道数字晶体管（NPN+PNP）
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SXJ7N60D 600V N沟道增强型MOSFET
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SXJ50N65MP 650V N沟道增强型MOSFET
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SXJ40N60MP 600V N-SJ增强型MOSFET
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SXJ40N60MP-600V N-SJ增强型MOSFET
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SXJ30N65T 650V N沟道增强型MOSFET
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SXJ230N65MP 650V N沟道增强型MOSFET
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SXG80N10T 107V N沟道增强型MOSFET
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SXJ10N65D 650V N沟道增强型MOSFET
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SXG80N10NF-100V N沟道增强型MOSFET
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SXG20N06S 60V N沟道增强型MOSFET
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SXG180N04T 40V N-SGT增强模式Mo SFET
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SXG180N04NF
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SXG130N10NF
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SXG130N06NF 65V N沟道增强型MOSFET
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SXG120N12T 120V N沟道增强型MOSFET
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SXG120N04NF 40V N-SGT沟道增强型MOSFET
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用于ESD保护的SXESDNC2XD12VB瞬态电压抑制器
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用于ESD保护的SXESDNC2XD12VB瞬态电压抑制器
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SX9928A
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SX90P03D-30V P沟道增强型MOSFET
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SX90N08NF
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