20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
发布时间：
2026-02-06
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SXSEMI（瞬芯科技）
型号：
SX80N02DF
本数据手册详细介绍了20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SX80N02DF的产品规格与技术参数。该器件采用先进的沟槽技术设计，具备极低的导通电阻，其RDS(ON)在VGS=4.5V条件下小于3.5mΩ，同时具有低栅极电荷特性，并支持2.5V低栅极电压驱动。凭借优异的电气性能，该MOSFET非常适合用于电池保护、负载开关以及不间断电源等应用场景，能够有效提升系统的能效与稳定性。针对文中所述器件，[品牌]在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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SXSEMI官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是SXSEMI的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供SXSEMI的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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一家从事ESD防静电保护管、TVS管、MOSFET场效应管等半导体器件的创新型技术企业——SXSEMI（瞬芯科技）
SXSEMI（瞬芯科技）一如既往、砥砺前行！坚持为全球客户提供优质产品的经营目标；坚持产品为王、以质取胜的生产态度；坚持客户至上的服务理念。SXSEMI瞬芯科技有限公司成立於2011年，是一家全球知名的半导体分立元器件厂商，产品远销全球多个国家，被公认为是半导体行业富有创新力的公司之一。
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现货平台 / SXSEMI 授权代理店
| 订货型号 | SX80N02DF | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX80N02DF | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):20;ID(A):80 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN3*3-8L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | N | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 20 |
| ID(A) | 80 | VGS(TH)(V) | 12 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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价格：
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| 订货型号 | BZX84C11W | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | BZX84C11W | 品类 | Zener Diode, 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Zener Diode;稳压二极管,PD(mW):200;VZTyp(V):11;IZT(mA):5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-323 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| PD(mW) | 200 | VZTyp(V) | 11 |
| VZMin(V) | 10.4 | VZMax(V) | 11.6 |
| IZT(mA) | 5 | IR(uA) | 0.1 |
| IR@VR(V) | 8 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥0.0942
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| 订货型号 | BZX84C6V8W | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | BZX84C6V8W | 品类 | Zener Diode, 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Zener Diode;稳压二极管,PD(mW):200;VZTyp(V):6.8;IZT(mA):5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-323 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| PD(mW) | 200 | VZTyp(V) | 6.8 |
| VZMin(V) | 6.4 | VZMax(V) | 7.2 |
| IZT(mA) | 5 | IR(uA) | 2 |
| IR@VR(V) | 4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | P6KE12A | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | P6KE12A | 品类 | High Power TVS, 瞬态电压抑制管 |
| 描述/说明 | High Power TVS;瞬态电压抑制管,Ppp(W):600;VRWM(V):10.2;VBRMin(V):11.4 | 封装/外壳/尺寸 | DO-15 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp（W） | 600 | VRWM（V） | 10.2 |
| VBRMin（V） | 11.4 | VBRMax（V） | 12.6 |
| IR | 5 | it（μA） | 1 |
| VC（V） | 16.7 | IPP（A） | 35.9 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.2353
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| 订货型号 | SS8050 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SS8050 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor;Polarity:NPN;PCM(W):0.3;IC(A):1.5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | NPN | PCM(W) | 0.3 |
| IC(A) | 1.5 | VCBO(V) | 40 |
| VCEO(V) | 25 | VEBO(V) | 5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | SS8550 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SS8550 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor;Polarity:PNP;PCM(W):0.3;IC(A):1.5 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | PNP | PCM(W) | 0.3 |
| IC(A) | 1.5 | VCBO(V) | 40 |
| VCEO(V) | 25 | VEBO(V) | 5 |
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | SMBJ188CA | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SMBJ188CA | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):600;VRWM(V):190;IR( μA):5 | 封装/外壳/尺寸 | SMB |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 600 | VRWM(V) | 190 |
| VBRMin(V) | 209 | VBRMax(V) | 231 |
| IR(μA) | 5 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 307.8 | ||
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| 订货型号 | SMBJ188A | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SMBJ188A | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):600;VRWM(V):190;IR( μA):5 | 封装/外壳/尺寸 | SMB |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 600 | VRWM(V) | 190 |
| VBRMin(V) | 209 | VBRMax(V) | 231 |
| IR(μA) | 5 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 307.8 | ||
授权代理商：
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￥0.2353
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| 订货型号 | P4SMA540CA | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | P4SMA540CA | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):400;VRWM(V):460;IR( μA):1 | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 400 | VRWM(V) | 460 |
| VBRMin(V) | 513 | VBRMax(V) | 567 |
| IR(μA) | 1 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 740 | ||
授权代理商：
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价格：
￥0.4236
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| 订货型号 | P4SMA540A | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | P4SMA540A | 品类 | High Power TVS |
| 描述/说明 | High Power TVS;Ppp(W):400;VRWM(V):460;IR( μA):1 | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 400 | VRWM(V) | 460 |
| VBRMin(V) | 513 | VBRMax(V) | 567 |
| IR(μA) | 1 | IT(mA) | 1 |
| VC(V) | 740 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.4236
库存：
0
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加工定制
捷配提供PCBA一站式服务，涵盖SMT/DIP/组装，ISO9001与UL认证保障质量。
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安费诺背板事业部提供8-58层背板组装设计定制服务
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SX80P06NF-60V P沟道增强型MOSFET
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30V N+P SX80G03NF沟道增强型MOSFET
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SX80P02NF-20V P沟道增强型MOSFET
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SX80H03GD 30V N+N沟道增强型MOSFET
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SX80H03GD 30V N+N沟道增强型MOSFET
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SX80P01NF-12V P沟道增强型MOSFET
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SX80P01NF-12V P沟道增强型MOSFET
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SX80P04D-40V P沟道增强型MOSFET
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SX80P06T-60V P沟道增强型MOSFET
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SX80N07D 68V N沟道增强型MOSFET
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SX80P10D -100V N沟道增强型MOSFET
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SX80N06T
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SX80P06D-60V P沟道增强型MOSFET
未提及
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SX80P06D-60V P沟道增强型MOSFET
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60V N沟道增强型MOSFET SX80N06NF
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SX80N06T 65V N沟道增强型MOSFET
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SX80N04D 40V N沟道增强型MOSFET
未提及
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SX80N04D 40V N沟道增强型MOSFET
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SX80N10T
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SX80N08D
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SX80N08NF
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SX80N07T
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SX80N06NF
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80V N沟道增强型MOSFET
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80V N沟道增强型MOSFET
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SX80N03D 30V N沟道增强型MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
Sensor (未提供具体型号)
本资料介绍了传感器产品，强调使用时需外接上拉电阻（未包含），建议电阻值为470欧姆。若传感器置于暴露环境中，建议采用防水连接方式。资料指出，用户需对应用进行全面分析，包括任何故障的后果，并参考产品目录中的产品或系统信息。由于产品或系统可能应用于多种操作条件和环境中，用户需自行分析和测试，最终选择产品或系统，并确保满足所有性能、安全和警告要求。资料中描述的产品，包括但不限于产品特性、规格、设计、可用性和定价，均可能由Parker Hannifin Corporation及其子公司随时更改，恕不另行通知。
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Chrome II DIN 导轨式电源供应器
Delta Electronics推出Chrome II系列DIN轨电源，15W单相设计，适用于工业自动化领域。产品具备高效能、高可靠性和紧凑型设计特点，适用于各种控制柜和自动化系统。
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