SXG60N10S 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET
发布时间：
2026-02-06
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SXSEMI（瞬芯科技）
型号：
SXG60N10S
本数据手册详细介绍了SXG60N10S 100V N-SGT增强型MOSFET的技术特性与应用优势。该器件采用先进的SGT MOSFET技术工艺，专为提升系统鲁棒性而设计，具备低导通电阻（RDS(ON)）和优异的优值（FOM），能够有效降低导通损耗。同时，该MOSFET拥有极低的栅极电荷与开关损耗，支持快速开关操作，并展现出优异的雪崩特性、稳定性及均匀性，使其在严苛的电气环境下仍能保持高效可靠运行。凭借这些核心特性，SXG60N10S被广泛应用于消费电子产品电源、电机控制、同步整流以及隔离直流同步整流等多种电子电源领域。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足服务。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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SXSEMI官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是SXSEMI的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供SXSEMI的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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一家从事ESD防静电保护管、TVS管、MOSFET场效应管等半导体器件的创新型技术企业——SXSEMI（瞬芯科技）
SXSEMI（瞬芯科技）一如既往、砥砺前行！坚持为全球客户提供优质产品的经营目标；坚持产品为王、以质取胜的生产态度；坚持客户至上的服务理念。SXSEMI瞬芯科技有限公司成立於2011年，是一家全球知名的半导体分立元器件厂商，产品远销全球多个国家，被公认为是半导体行业富有创新力的公司之一。
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现货平台 / SXSEMI 授权代理店
| 订货型号 | SXG60N10S | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SXG60N10S | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Split gate II;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):100;ID(A):60 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | N | Process | Split gate II |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 100 |
| ID(A) | 60 | VGS(TH)(V) | 20 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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| 订货型号 | PNM723T201E0 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T201E0 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):8;VDS(V):1;ID(A):200 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 8 | VDS(V) | 1 |
| ID(A) | 200 | VGS(TH)(V) | 250 |
授权代理商：
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| 订货型号 | PNM723T30V01 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T30V01 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:30;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.1;ID(A):4000 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 30 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.1 |
| VGS(V) | 3000 | ID(A) | 4000 |
| VGS(TH)(V) | 7000 | ||
授权代理商：
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| 订货型号 | PNM3FD703E0-2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD703E0-2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:40;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.18 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 40 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.18 |
| VGS(V) | 7500 | ||
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| 订货型号 | PNM723T703E0-2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM723T703E0-2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:40;ESD(Yes/No):20;VDS(V):0.18 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 40 |
| ESD(Yes/No) | 20 | VDS(V) | 0.18 |
| VGS(V) | 7500 | ||
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| 订货型号 | PNM3FD201E0 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD201E0 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):8;VDS(V):0.3 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 8 | VDS(V) | 0.3 |
| VGS(TH)(V) | 500 | ||
授权代理商：
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| 订货型号 | SX3134K | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3134K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):20;ID(A):0.75 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | 0.75 |
授权代理商：
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| 订货型号 | SX3134KT | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3134KT | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):20;ID(A):0.75 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | 20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | 0.75 |
授权代理商：
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| 订货型号 | PNM3FD20V2 | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | PNM3FD20V2 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:20;ESD(Yes/No):12;VDS(V):2;ID(A):62 | 封装/外壳/尺寸 | DFN-1006-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | 20 |
| ESD(Yes/No) | 12 | VDS(V) | 2 |
| ID(A) | 62 | VGS(TH)(V) | 70 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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| 订货型号 | SX3139K | 品牌 | SXSEMI |
| 型号系列 | SX3139K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET,Process:Trench;ESD(Yes/No):Y;VDS(V):-20;ID(A):-0.66 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-P | Process | Trench |
| ESD(Yes/No) | Y | VDS(V) | -20 |
| VGS(V) | ±12 | ID(A) | -0.66 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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0
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SXG60N10S 100V N-SGT增强型MOSFET
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20V N+N 沟道增强型MOSFET SX8805DF
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SX5N30D 300V N沟道增强型MOSFET
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SX5N30D 300V N沟道增强型MOSFET
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12V N+N-通道增强型MOSFET SX8804DF
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SXJ40N60MP 600V N-SJ增强型MOSFET
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SXJ40N60MP 600V N-SJ增强型MOSFET
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SXJ40N60MP-600V N-SJ增强型MOSFET
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RSM5721CN P沟道MOSFET
2016/11/28
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N+N SX8806DF 20V -双通道增强型MOSFET
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SX1N60MSI 600V N沟道增强型MOSFET
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30V N+P SX50G03GD沟道增强型MOSFET
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20V N+P SX25G02NF沟道增强型MOSFET
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SX4606C 20V N+P沟道增强型MOSFET
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100V N+P SX5G10S沟道增强型MOSFET
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20 P沟道增强型MOSFET SX6V02LI
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100V N-SGT增强型MOSFET
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SX5N20HY 200V N沟道增强型MOSFET
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SX4V05S -55V P+P-沟道增强型MOSFET
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20V N+N 沟道增强型MOSFET SX022CB2ES6
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30V N+P沟道增强型MOSFET SX4606B
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SX4959A -30V P+P-沟道增强型MOSFET
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SX4959A--30V P+P沟道增强型MOSFET
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SX4G02LI 20V N+P沟道增强型MOSFET
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30V N+P SX3G03Li沟道增强型MOSFET
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SX5N40D 400V N沟道增强型MOSFET
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SX5N40D 400V N沟道增强型MOSFET
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SX6N40D 400V N沟道增强型MOSFET
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20V N+P SX4606C沟道增强型MOSFET
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SX2N30MI 300V N沟道增强型MOSFET
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-40V P沟道增强型MOSFET
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500V N沟道增强型MOSFET
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SX18N20T 200V N沟道增强型MOSFET
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-30V P沟道增强型MOSFET
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