BSS123,215 N-Channel MOSFET
发布时间：
2026-02-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRONIC）
型号：
BSS123,215
本数据手册详细介绍了BSS123,215型N沟道增强型MOSFET的技术规格与应用特性。该器件采用先进的沟槽技术，具备优异的导通电阻性能，专为负载开关或PWM应用场景设计。在关键电气参数方面，其漏源电压（VDS）为100V，连续漏极电流（ID）为0.17A，在VGS=10V条件下导通电阻RDS(ON)小于6Ω，阈值电压VGS(th)介于1.5V至2.5V之间。此外，该器件展示了良好的开关速度与热性能，开启延迟时间仅为1.7nS，关断延迟时间为17nS，热阻RθJA为350°C/W，非常适合用于电池保护、不间断电源及各类负载开关电路。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可依托平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制，数码产品以及家电。其中，MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案，最多的时候，帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BSS123 N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
BSS123 N沟道MOSFET
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
华轩阳电子型号停产说明
2025年2月11日
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| 技术文档 - 英文 |
BSS123,215 N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
BSS123 N沟道增强型MOSFET
2022/11/15
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| 数据手册 - 英文 |
BSS123 N沟道增强型MOSFET
2023/7/27
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| 技术文档 - 英文 |
BAV23x,215 肖特基整流二极管
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| 技术文档 - 英文 |
PMV33UPE,215 P沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
NPN达林顿晶体管
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| 数据手册 - 中文 |
NPN达林顿晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
BAV74,215
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| 数据手册 - 英文 |
BCW70,215 SOT-23 晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
P通道MOSFET晶体管
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| 数据手册 - 中文 |
NPN塑料封装晶体管BCW72,215
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| 数据手册 - 英文 |
NPN塑料封装晶体管BCW72,215
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| 数据手册 - 英文 |
BCW31,215
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| 数据手册 - 英文 |
BCW31,215
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| 数据手册 - 英文 |
PMV65XP,215 P沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
BCW29,215 SOT-23(TO-236) 晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
BCW29,215 SOT-23(TO-236) 晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
HXY MOSFET BCW89,215
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| 数据手册 - 英文 |
NPN塑料封装晶体管BCW71,215
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| 数据手册 - 中文 |
NPN塑料封装晶体管BCW71,215
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| 数据手册 - 英文 |
NPN塑料封装晶体管BCW33,215
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| 数据手册 - 中文 |
NPN塑料封装晶体管BCV72,215
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| 数据手册 - 英文 |
NPN塑料封装晶体管BCV72,215
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| 数据手册 - 英文 |
BCW89,215 SOT-23 HXY MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
BCW70,215 - SOT-23封装，集电极电流：IC= -0.1A，功耗：200mW
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| 数据手册 - 英文 |
封装标记和订购信息
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| 数据手册 - 英文 |
BAS16,215
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| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒二极管 BAT54S,215
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| 数据手册 - 英文 |
BC857C,215
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| 数据手册 - 英文 |
BC857C,215
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| 数据手册 - 英文 |
BFS19,215
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| 数据手册 - 英文 |
BCX71J,215 SOT-23 晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
NPN塑料封装晶体管BCX70H,215
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| 数据手册 - 英文 |
BSH108,215 N沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
PBHV8115T,215
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| 数据手册 - 英文 |
BCX70H,215 NPN塑封晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
BCW30,215 SOT-23(TO-236) 晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
BCW32,215
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| 数据手册 - 英文 |
BCW32,215
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| 数据手册 - 英文 |
BCX17,215 SOT-23 晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
BCW30,215
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| 数据手册 - 中文 |
PMV32以上、215 P沟道增强型MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
PMV48XP,215 P沟道MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
BAV99,215
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| 数据手册 - 英文 |
开关二极管 BAV70,215
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| 数据手册 - 英文 |
HUA XUAN YANG ELECTRONICS BCX17,215 晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
BAV199,215 SOT-23
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