Power MOSFET
发布时间：
2026-04-06
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
VBL17R11
该数据手册详细介绍了N-Channel Power MOSFET的电气特性、热阻参数及封装信息。资料内容涵盖绝对最大额定值、工作条件、静态与动态参数、开关特性及体二极管特性，并提供了典型特性曲线与封装尺寸图。该器件具有700V的漏源电压（VDS）和0.6Ω的低导通电阻（RDS(on)），支持快速开关，且具备动态dV/dt额定值与重复雪崩额定值。其设计采用隔离中央安装孔，便于并联安装，并具有简单的驱动要求，符合RoHS指令2002/95/EC。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | AON7452-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | AON7452-VB |
| 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel MOSFET,Primary Side Switch,In-Rush Current Limiter |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Pulsed Drain Current (t= 300μs) | 5A |
| Drain-Source Voltage | 100V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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世强硬创平台提供AON7452-VB期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | FDMC3612-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | FDMC3612-VB |
| 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel MOSFET,Drain-Source Voltage:100V |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 100V |
| Gate-Source Voltage | ±20V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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FDMC3612-VB 交期查询 >>
世强硬创平台提供FDMC3612-VB期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/10/29
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道700V（漏极-源极）超结功率MOSFET
2025/10/29
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| 技术文档 - 英文 |
VBL18R25S N沟道 800 V (D-S) 超结功率MOSFET
A3
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道800V（漏源）超结功率MOSFET
2025/11/08
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N沟道800V（漏源）超结功率MOSFET
2025/11/08
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N沟道800V（漏源）超结功率MOSFET
2025/11/08
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VBL16R04 功率MOSFET
A
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N沟道600V（漏极-源极）超结功率MOSFET带快速二极管
2025/11/08
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道600V（漏极-源极）超结功率MOSFET带快速二极管
2025/11/08
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VBL16R02 功率MOSFET
A
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N沟道40 V（D-S）MOSFET
2025/10/29
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VBL16R01 功率MOSFET
A
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N沟道500V（D-S）超级结MOSFET
2025/10/29
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N沟道500V（D-S）超级结MOSFET
ECN: S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
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N沟道500V（D-S）超级结MOSFET
S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
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VBL16I30 600V 沟槽及场截止IGBT
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功率 MOSFET
S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
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| 技术文档 - 英文 |
功率 MOSFET
S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
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功率 MOSFET
S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
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功率 MOSFET
Not specified
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功率 MOSFET
S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
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功率 MOSFET
Unknown
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功率 MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
ECN: S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
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功率 MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
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功率 MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
2025/10/29
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功率 MOSFET
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VBL12R18 N沟道 200V 功率MOSFET
2026/05/05
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600V 沟槽场截止IGBT
2025/10/29
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600V 沟槽场截止IGBT
2025/10/29
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600V 沟槽场截止IGBT
2025/10/29
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600V 沟槽场截止IGBT
2025/10/29
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600V 沟槽场截止IGBT
2025/10/29
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VBL165R05 功率MOSFET
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VBL165R07 功率MOSFET
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VBL16I07 600V 沟槽及场终止IGBT
A
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VBL185R04 功率MOSFET
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VBL165R11 功率MOSFET
A
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VBL165R02 功率MOSFET
A
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
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