SiC Six-pack Module - PAAC12450CM
发布时间：
2026-04-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
派恩杰（PN Junction）
型号：
PAAC12450CM
派恩杰官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）
派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。
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现货平台 / 派恩杰 授权代理店
| 订货型号 | PAAA12350BM | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | PAAA12350BM | 品类 | 碳化硅模块 |
| 描述/说明 | SiC Module, V_DSS 1200V, I_D 350A,62mm | 封装/外壳/尺寸 | 62mm |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| V_DSS | 1200V | I_D | 350A |
| Junction Temp. | -40℃~175℃ | Low Inductance | 1.02nH |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1,726.4000
库存：
0
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| 订货型号 | P3M171K0G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M171K0G7 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1700V,7A,RDS(on)=1Ω,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.5℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 1Ω |
| RDSon(TJ=175℃) | 1.4Ω | ID(Tc=25℃) | 7A |
| ID(Tc=100℃) | 5A | PD | 100W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.7760
库存：
555
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| 订货型号 | P2D06006T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P2D06006T2 | 品类 | SiC SBD |
| 描述/说明 | 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V, Qc=18nc,IF(≤135℃)=9A,VF=1.4V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 正向电流IF(25℃)(A) | 19 | 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) | 1.5 |
| 总电容电荷(nC) | 20 | 功耗(W) | 93 |
| 等级认证标准 | AEC-Q101 | 工作温度 | ﹣55 to+175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
￥6.7000
库存：
50
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| 订货型号 | P2D06010T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P2D06010T2 | 品类 | SiC SBD |
| 描述/说明 | 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V,Qc=22nc,IF(≤135℃)=13A,VF=1.5V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 正向电流IF(25℃)(A) | 24 | 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) | 1.5 |
| 总电容电荷(nC) | 22 | 功耗(W) | 107 |
| 等级认证标准 | AEC-Q101 | 工作温度 | ﹣55 to+175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥11.1800
库存：
50
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| 订货型号 | P3M06060G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06060G7 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 650V,44A,RDS(on)=60mΩ,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.94℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 60mΩ |
| RDSon(TJ=175℃) | 52mΩ | ID(Tc=25℃) | 44A |
| ID(Tc=100℃) | 31A | PD | 159W |
| ID(pulse) | 82.56A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
￥37.8560
库存：
26
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| 订货型号 | P3D06020K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06020K3 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 20A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.79℃/W | IF(Tc=25℃) | 41/82A |
| Tc(额定电流) | 163℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 71A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 65A | VF(Tc=25℃) | 512A |
| VF(Tc=125℃) | 507A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥14.0270
库存：
25
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| 订货型号 | P3D06016K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06016K3 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 16A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.9℃/W | IF(Tc=25℃) | 32/64A |
| Tc(额定电流) | 160℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 77A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 66A | VF(Tc=25℃) | 475A |
| VF(Tc=125℃) | 453A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥12.7790
库存：
20
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| 订货型号 | P3M173K0K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M173K0K3 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 2.37℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 3Ω |
| RDSon(TJ=175℃) | 3.6Ω | ID(Tc=25℃) | 4A |
| ID(Tc=100℃) | 3A | PD | 63W |
| ID(pulse) | 6.64A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥20.8000
库存：
15
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| 订货型号 | P3D06008T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06008T2 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 8A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO220-2 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.38℃/W | IF(Tc=25℃) | 26A |
| Tc(额定电流) | 153℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 60A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 52A | VF(Tc=25℃) | 727A |
| VF(Tc=125℃) | 697A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥6.3180
库存：
15
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| 订货型号 | P3M06040G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06040G7 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | SiC MOS N-Channel Enhancement Mode | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-7 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM | 650 V | ID | 56 A |
| ID(100℃) | 40 A | RDS(on) | 40 mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥56.8230
库存：
10
世强硬创平台提供P3M06040G7在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供派恩杰快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
立即提交 高压输入/输出电源模块定制 >>
NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
立即提交 车规级高功率密度功率模块冷却器定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
SiC模块PAIA12100AM
1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 中文 |
PAA12400BM3 SiC模块动态性能评估平台
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PAA12400BM3 SiC模块
Ver. 1.1
|
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| 技术文档 - 中文 |
SiC半桥模块PAAA12350BM
1.1
|
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| 数据手册 - 中文 |
SiC模块 PAIA12240DM
1.0
|
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| 数据手册 - 英文 |
SiC模块 PAIA12220AM
1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块 - PAAA15036FM
1.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块 PAAA12600HM
1.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块
1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PAAC12400CM SiC六组件模块
Ver. 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PAAA12350BM SiC半桥模块
Ver. 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PAAA12350BM SiC半桥模块
Ver. 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PAAC12600CM SiC六组件模块
Ver.1.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PAAC12600CM SiC六组件模块
Ver. 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PAIA1250AM SiC半桥模块
Ver. 1.0
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
PAAA12020FM SiC半桥模块
Ver. 1.0
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
PAAA20350PM SiC半桥模块
Ver. 1.1
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
P3M07013K4/P3M07013K4S SiC MOSFET
Ver. 3.1
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
P3M07005TM SiC MOSFET N沟道增强型
Ver. 1.2
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
PAAC07600CM SiC 六单元模块
Ver. 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 中文 |
P3D06010E2A 650V SiC SBD
1.0
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SiC SBD P3D06010G2A 650V SiC Schottky 二极管
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SiC SBD P3D12080K2
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SiC半桥模块 - PAAA12036FM
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SiC半桥模块
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SiC半桥模块
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SiC半桥模块 - PAAA12800HM
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SiC半桥模块 - PB120HB600MM
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PD170TP050SM 1700V SiC SBD
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SiC半桥模块 PAAA12300HM
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SiC半桥模块 - PA220HB450HM
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PA170SS090SM SiC MOSFET
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SiC MOSFET P3M12033K4E
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SiC半桥模块 - PAAA07040FM
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派恩杰 P3M06009L8 SiC MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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SiC半桥模块 PAAA12400BM
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I3M12080SM2 碳化硅MOSFET N沟道增强型
1.0
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SiC半桥模块 - PAAA12400BM2
1.1
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派恩杰 I3M12100SM SiC MOSFET N-Channel Enhancement Mode
1.1
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派恩杰 I3M12080SM SiC MOSFET N-Channel Enhancement Mode
1.0
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派恩杰 I3M12100SM2 SiC MOSFET
1.1
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P3M12004TM 碳化硅MOSFET N沟道增强型
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SiC SBD P3D06004G2 650V SiC 肖特基二极管
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SiC半桥模块PAIA12100AM
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SiC MOSFET P3M12080K4
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
派恩杰突破性SiC HPD模块PAAC12450CM，引领主驱逆变器更小，更轻，更降本！
为满足更高功率密度、更高可靠性和更低系统成本的需求，派恩杰推出了SiC HPD模块系列。派恩杰芯片具有较小的RDSON温漂特性，在其6并联的布局设计，与传统的8并联竞品方案实现了相近的功率密度，带来更高效、更可靠的逆变器解决方案。
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PNDM12P204A2基于62mm封装SiC模块的三相逆变器
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用于PNJ的62mm半桥SiC模块的双通道隔离栅极驱动器应用笔记
本资料为PNJ公司62mm半桥SiC模块的隔离栅极驱动器PNDM12P204A1的应用指南。内容包括驱动器板的结构、硬件设计、电气特性、功能描述和故障处理。该驱动器板适用于PNJ高性能SiC模块，具备高频、快速开关、隔离电源、可调电压、过流保护等功能。
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SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺，解决车规可靠性最后一块拼图？
半导体技术的进步，特别是碳化硅，产生了具有高功率密度的器件，并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块，可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
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派恩杰推出采用Press-fit技术的HPD封装SiC模块测试评估板，专为800V电机驱动系统开发
派恩杰1200V/400A SiC模块PAAC12400CM，采用Press-fit技术与驱动板进行连接，使得装配过程更可靠，HPD封装SiC模块最大持续工作电流400A，采用Pin-Fin结构利用水道进行散热，显著提高功率模块散热效率。
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