派恩杰 I3M12080SM SiC MOSFET N-Channel Enhancement Mode
发布时间：
2026-04-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
派恩杰（PN Junction）
型号：
I3M12080SM
派恩杰官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）
派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。
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现货平台 / 派恩杰 授权代理店
| 订货型号 | P3M17700K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M17700K3 | 品类 | 碳化硅MOS管, SiC MOSFET |
| 描述/说明 | SiC MOS N-Channel Enhancement Mode, VRRM 1700V | 封装/外壳/尺寸 | SiC MOSFET |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM（反向重复峰值电压） | 1700V | ID（连续漏极电流） | 7.8A |
| ID（100℃时的连续漏极电流） | 5.5A | RDS(on)（导通状态电阻） | 0.7Ω |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.9450
库存：
0
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| 订货型号 | P3M173K0G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M173K0G7 | 品类 | SiC MOSFET |
| 描述/说明 | 此SiC MOSFET采用TO263-7紧凑型7引脚贴片封装形式,该封装可进一步降低开关损耗, 提升功率密度, 可以机器贴装,增强可靠性 | 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Blocking Voltage | 1700V | Current Rating | 4A |
| Output Capacitance | 12pF | Max Junction Temperature | 175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥8.2160
库存：
0
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技术支持/研发服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
I3M12080SM2 碳化硅MOSFET N沟道增强型
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC MOSFET P3M12080K4
4.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC MOSFET P3M12080K4
2025/01/18
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| 评估板使用说明 - 中文 |
用于650V、1200V TO247-3L-4L 分立SiC MOSFET的双脉冲测试动态性能评估板
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| 技术文档 - 英文 |
P3M07002TM SiC MOSFET
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC MOSFET P3M12025K4
2025/03/18
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| 技术文档 - 英文 |
P3M07013K4/P3M07013K4S SiC MOSFET
Ver. 3.1
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| 数据手册 - 英文 |
SiC MOSFET P3M06040K3 N沟道增强型
3.0
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| 技术文档 - 英文 |
P3M12160K3 SiC MOSFET
Ver. 2.0
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| 数据手册 - 中文 |
PA170SS090SM SiC MOSFET
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
派恩杰 I3M12100SM2 SiC MOSFET
1.1
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| 技术文档 - 英文 |
P3M22020K4/P3M22020K4S SiC MOSFET
Ver. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
派恩杰 P3M06009L8 SiC MOSFET N-Channel Enhancement Mode
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
派恩杰 I3M12100SM SiC MOSFET N-Channel Enhancement Mode
1.1
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| 技术文档 - 英文 |
P3M07005TM SiC MOSFET N沟道增强型
Ver. 1.2
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| 数据手册 - 中文 |
P3M06040K4 SiC MOSFET Buck/Boost评估板
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| 数据手册 - 英文 |
P3M12004TM 碳化硅MOSFET N沟道增强型
1.3
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| 数据手册 - 英文 |
SiC MOSFET P3M12090G7
1.0
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| 技术文档 - 英文 |
P3M06060K4 碳化硅MOSFET N沟道增强型
Ver. 3.0
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| 数据手册 - 英文 |
P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
Ver. 1.3
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| 技术文档 - 英文 |
PAAA17300HM SiC半桥模块
Ver. 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
P3M07013T7 SiC MOSFET N沟道增强型
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块PAAA07090FM
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
P3D17012K2 1700V SiC SBD
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
P3D17005K2 1700V SiC SBD
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
SiC MOSFET P3M12013T7i N沟道增强型
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块PA220HB600HM
1.1
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| 技术文档 - 英文 |
SiC半桥模块 PAAA12450HM
1.1
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| 数据手册 - 中文 |
SiC模块 PAIA12240DM
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
650V SiC肖特基二极管
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块
1.0
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| 技术文档 - 中文 |
SiC半桥模块 PAAA12350BM2
1.0
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| 技术文档 - 中文 |
SiC半桥模块PAAA12350BM
1.1
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| 数据手册 - 英文 |
SiC六合一模块 - PAAC12450CM
1.1
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| 数据手册 - 中文 |
P3D06006F2 650V SiC SBD
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
P3D06006F2 650V SiC SBD
Ver. 1.0
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技术论坛
请问目前有哪些厂家有SIC MOSFET IPM产品
查看官方回答 >>
某伺服电机驱动项目，想要用650V,40A左右的SIC MOSFET，有合适的国产型号推荐吗？
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一个大型储能逆变器上需一颗1700V的SiC MOSFET，电流2A左右，是否有合适推荐方案？
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一个大型光伏逆变项目上需一颗1700V，过电流能力50A以上的SiC MOSFET，要导通阻抗越小越好，是否有合适推荐？
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嗨，各位，请帮忙推荐一款国产SIC MOSFET, 电压650V,N沟道工艺的，应用于太阳能逆变器，谢谢
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我司设计一款大功率工业电源，输入380V AC，原辅助电源设计某进口品牌1700V SIC MOSFET， 拓扑为单管反激电路，输出24V DC 1A，近期准备做国产化替代设计，拟继续采用单管反激拓扑，请推荐合适的国产SIC MOSFET.
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
PNDM12P242A1：采用TO-247-3/-4封装的PNJ SiC MOSFET动态特性评估板
本资料为PNJ公司提供的SiC MOSFET动态特性评估板PNDM12P242A1的应用指南。该评估板旨在评估PNJ公司1200V/650V SiC MOSFET在TO-247-3/4封装下的动态特性。资料详细介绍了评估板的组成、结构、工作原理以及如何进行双脉冲测试，包括测试电路、波形分析和测试步骤。资料还提供了相关元件的清单和原理图，以供设计人员参考。
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派恩杰第三代1200V SiC MOSFET ，具有卓越的栅氧层可靠性和优异的高温特性
派恩杰推出的1200V SiC MOSFET具备卓越栅氧层可靠性和高温特性，适用于高压、高频、高温场景。相比硅基MOSFET，其导通电阻更低、开关频率更高，有助于提升功率密度、减小系统体积并降低散热成本。
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RDS(on)低至7mΩ | 派恩杰第四代SiC MOSFET产品实现平面栅工艺下的技术突破
派恩杰发布第四代SiC MOSFET系列产品，在750V电压平台下实现7mΩ超低导通电阻，性能达国际领先水平。相比上一代产品，开关损耗显著降低，载流能力提升超20%，适用于高效率电源系统解决方案。
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采用650V SiC MOSFET的3.3kW CCM双向图腾柱PFC应用笔记
本资料介绍了PNJ公司推出的3.3kW双向 Totem Pole PFC参考设计，采用650V SiC MOSFET，适用于高效率和功率密度的应用，如高端服务器和电信设备。设计采用双环控制策略，测试结果显示，在220Vrms输入电压下，峰值效率达到98.7%，在176Vrms输入电压下，峰值效率超过98.5%。
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PNDM17P650A1:1700V SiC MOSFET三相功率变换器65W辅助电源
本资料介绍了PNJ公司推出的PNDM17P650A1型65W辅助电源模块，适用于三相功率转换器。该模块采用1700V SiC MOSFET，支持宽输入电压范围（300Vdc-1000Vdc），并采用准谐振（QR）反激拓扑结构。资料详细描述了模块的设计规格、电路图、布局、BOM清单以及测试结果，包括效率等关键性能指标。
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宽输入电压范围（300VDC-1000VDC）65W辅助电源，用于采用1700V SiC MOSFET的三相电源转换器
本资料介绍了PNJ公司推出的PNDM17P650A1型65W辅助电源模块，适用于三相功率转换器。该模块采用1700V SiC MOSFET，支持宽输入电压范围（300Vdc-1000Vdc），并采用准谐振（QR）反激拓扑结构。资料详细描述了模块的设计规格、电路图、布局、BOM清单，并提供了测试结果，包括波形图、效率和热性能。该模块适用于电机驱动、太阳能逆变器、储能、快速电动汽车充电器和UPS等领域。
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【产品】具有开尔文引脚的车规级SiC MOSFET-P3M06025K4，栅氧层可靠性卓越，提升整体效率
派恩杰平面型SiC MOSFET P3M06025K4具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。采用TO247-4引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，提高效率。
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