SiC Module PAIA12240DM
发布时间：
2026-04-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
派恩杰（PN Junction）
型号：
PAIA12240DM
派恩杰官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）
派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。
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现货平台 / 派恩杰 授权代理店
| 订货型号 | PAIA12100AM | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | PAIA12100AM | 品类 | 碳化硅模块 |
| 描述/说明 | SiC Module，VDS：1200V，Iᴅ：160A。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 1200V | Iᴅ | 160A |
| operating temperature（℃） | -40~175℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | PAAA12350BM | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | PAAA12350BM | 品类 | 碳化硅模块 |
| 描述/说明 | SiC Module, V_DSS 1200V, I_D 350A,62mm | 封装/外壳/尺寸 | 62mm |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| V_DSS | 1200V | I_D | 350A |
| Junction Temp. | -40℃~175℃ | Low Inductance | 1.02nH |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
￥1,726.4000
库存：
0
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| 订货型号 | P3M171K0G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M171K0G7 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1700V,7A,RDS(on)=1Ω,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.5℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 1Ω |
| RDSon(TJ=175℃) | 1.4Ω | ID(Tc=25℃) | 7A |
| ID(Tc=100℃) | 5A | PD | 100W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.7760
库存：
555
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| 订货型号 | P2D06006T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P2D06006T2 | 品类 | SiC SBD |
| 描述/说明 | 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V, Qc=18nc,IF(≤135℃)=9A,VF=1.4V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 正向电流IF(25℃)(A) | 19 | 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) | 1.5 |
| 总电容电荷(nC) | 20 | 功耗(W) | 93 |
| 等级认证标准 | AEC-Q101 | 工作温度 | ﹣55 to+175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥6.7000
库存：
50
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| 订货型号 | P2D06010T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P2D06010T2 | 品类 | SiC SBD |
| 描述/说明 | 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V,Qc=22nc,IF(≤135℃)=13A,VF=1.5V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 正向电流IF(25℃)(A) | 24 | 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) | 1.5 |
| 总电容电荷(nC) | 22 | 功耗(W) | 107 |
| 等级认证标准 | AEC-Q101 | 工作温度 | ﹣55 to+175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥11.1800
库存：
50
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| 订货型号 | P3M06060G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06060G7 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 650V,44A,RDS(on)=60mΩ,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.94℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 60mΩ |
| RDSon(TJ=175℃) | 52mΩ | ID(Tc=25℃) | 44A |
| ID(Tc=100℃) | 31A | PD | 159W |
| ID(pulse) | 82.56A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥37.8560
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26
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| 订货型号 | P3D06020K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06020K3 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 20A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.79℃/W | IF(Tc=25℃) | 41/82A |
| Tc(额定电流) | 163℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 71A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 65A | VF(Tc=25℃) | 512A |
| VF(Tc=125℃) | 507A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥14.0270
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25
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合派恩杰原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供派恩杰快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
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资料平台
| 数据手册 - 中文 |
SiC半桥模块
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC模块 PAIA12220AM
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
P4D06020F2 650V碳化硅SBD
Ver. A/1.0
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| 技术文档 - 英文 |
SiC半桥模块 - PAAA12800HM
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块PAIA12050AM
2024/12/03
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| 数据手册 - 英文 |
PAAC12600CM SiC六组件模块
Ver.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
PAAC12600CM SiC六组件模块
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PAAC12400CM SiC六组件模块
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块 - PAAA07040FM
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块PA220HB600HM
1.1
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| 技术文档 - 英文 |
P3M12160K3 SiC MOSFET
Ver. 2.0
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| 技术文档 - 英文 |
PAAA17300HM SiC半桥模块
Ver. 1.2
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| 技术文档 - 英文 |
P3M06060K4 碳化硅MOSFET N沟道增强型
Ver. 3.0
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| 技术文档 - 英文 |
P3M07002TM SiC MOSFET
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
P3M07013T7 SiC MOSFET N沟道增强型
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块PAAA07090FM
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
P3D17012K2 1700V SiC SBD
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
P3D17005K2 1700V SiC SBD
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
SiC MOSFET P3M12013T7i N沟道增强型
1.0
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| 技术文档 - 英文 |
SiC半桥模块 PAAA12450HM
1.1
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| 数据手册 - 中文 |
650V SiC肖特基二极管
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块
1.0
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| 技术文档 - 中文 |
SiC半桥模块 PAAA12350BM2
1.0
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| 技术文档 - 中文 |
SiC半桥模块PAAA12350BM
1.1
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SiC六合一模块 - PAAC12450CM
1.1
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| 数据手册 - 中文 |
P3D06006F2 650V SiC SBD
1.0
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P3D06006F2 650V SiC SBD
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SiC MOSFET P3M06040K3 N沟道增强型
3.0
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SiC MOSFET P3M12080K4
2025/01/18
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SiC MOSFET P3M12090G7
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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PAAA12350BM SiC半桥模块
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
Ver. 1.3
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P3M12099K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P3D06002E2 SiC SBD 650V SiC肖特基二极管
Ver. 1.4
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P3M17700K3 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P1S06045G7 N通道增强模式
Ver 1.0
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P1S06027K3 N通道增强模式
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
Ver. A/1.1
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
Ver. A/0
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
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电源模块，需要一款碳化硅MOS管，Vds 650V，8*8尺寸的，请推荐。
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世强AI
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派恩杰作为一家专注于碳化硅MOSFET及功率模块的研发型公司，自2021年派恩杰第一款62mm模块发布开始，注重模块应用的高质量生产和卓越的设计开发技术，探索前沿工艺能力，在与产业链战略合作伙伴的一起努力下,持续推出重量级产品,积极进行品牌升级，贴合客户需求，让“梦想化作现实”。
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