SiC MOSFET P3M12033K4E
发布时间：
2026-04-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
派恩杰（PN Junction）
型号：
P3M12033K4E
派恩杰官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）
派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。
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P3M12004TM 碳化硅MOSFET N沟道增强型
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P3M06060K4 碳化硅MOSFET N沟道增强型
Ver. 3.0
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I3M12080SM2 碳化硅MOSFET N沟道增强型
1.0
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SiC MOSFET P3M12090G7
1.0
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P3M07013T7 SiC MOSFET N沟道增强型
1.0
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SiC MOSFET P3M12013T7i N沟道增强型
1.0
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P3M12160K3 SiC MOSFET
Ver. 2.0
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PAAA17300HM SiC半桥模块
Ver. 1.2
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P3M07002TM SiC MOSFET
Ver. 1.0
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SiC半桥模块PAAA07090FM
1.0
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P3D17012K2 1700V SiC SBD
1.0
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P3D17005K2 1700V SiC SBD
1.0
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SiC半桥模块PA220HB600HM
1.1
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SiC半桥模块 PAAA12450HM
1.1
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SiC模块 PAIA12240DM
1.0
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650V SiC肖特基二极管
1.0
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SiC半桥模块
1.0
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SiC半桥模块 PAAA12350BM2
1.0
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| 技术文档 - 中文 |
SiC半桥模块PAAA12350BM
1.1
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SiC六合一模块 - PAAC12450CM
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P3D06006F2 650V SiC SBD
1.0
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P3D06006F2 650V SiC SBD
Ver. 1.0
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SiC MOSFET P3M06040K3 N沟道增强型
3.0
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SiC MOSFET P3M12080K4
2025/01/18
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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PAAA12350BM SiC半桥模块
Ver. 1.0
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P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
Ver. 1.3
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PAAC12600CM SiC六组件模块
Ver. 1.0
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P3M12099K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P3D06002E2 SiC SBD 650V SiC肖特基二极管
Ver. 1.4
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P3M17700K3 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P1S06045G7 N通道增强模式
Ver 1.0
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P1S06027K3 N通道增强模式
Ver 1.0
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
Ver. A/1.1
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
Ver. A/0
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
Ver. 1.1
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
Ver. A/1.1
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P3D06010I2 650V碳化硅SBD
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P3D06010I2 650V碳化硅SBD
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P3D060006I2 650V碳化硅SBD
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P3D06006E2 650V SiC SBD
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P3D06004G2 650V SiC SBD
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高压MOSFET有推荐的吗，一般至少是10A, 1200V 以上
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应用/方案
派恩杰半导体强势推出多款工规/车规碳化硅模块产品，掌握塑封、灌封两种工艺，全力助推新能源！
派恩杰作为一家专注于碳化硅MOSFET及功率模块的研发型公司，自2021年派恩杰第一款62mm模块发布开始，注重模块应用的高质量生产和卓越的设计开发技术，探索前沿工艺能力，在与产业链战略合作伙伴的一起努力下,持续推出重量级产品,积极进行品牌升级，贴合客户需求，让“梦想化作现实”。
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【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06025K3，通过AEC-Q101认证，具有高阻断电压等特性
派恩杰推出的P3M06025K3是一款采用TO-247-3封装的650V N沟道增强型碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证，100%经过UIS测试。该器件具有高阻断电压，低导通电阻，Qgd超小等特性，可适应高频工作。
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【应用】派恩杰N沟道碳化硅MOSFET用于车载充电机，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点
某客户在设计一款11KW的双向OBC。在该项目中需求一款N沟道碳化硅MOSFET。规格要求：电压1200V，内阻80ohm，封装：TO247-4；要求过车规认证。本文推荐派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4。
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国际碳化硅专利布局报告：中国国产碳化硅产业链正崛起，领先的MOSFET量产公司派恩杰格外受关注
派恩杰创立初始，便坚信未来碳化硅的主要用量爆发点是新能源汽车领域。率先与拥有30年车规经验的X-Fab形成战略合作，专注研发应用于OBC及主驱逆变器车规级MOSFET芯片。经2年的研发，成为国内第一家量产车规级碳化硅MOSFET芯片的公司。
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