SiC Half-Bridge Module PA220HB600HM
发布时间：
2026-04-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
派恩杰（PN Junction）
型号：
PA220HB600HM
派恩杰官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）
派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。
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现货平台 / 派恩杰 授权代理店
| 订货型号 | P3M171K0G7 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M171K0G7 |
| 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1700V,7A,RDS(on)=1Ω,SIC MOS |
| 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.5℃/W |
| RDSon(TJ=25℃) | 1Ω |
| RDSon(TJ=175℃) | 1.4Ω |
| ID(Tc=25℃) | 7A |
| ID(Tc=100℃) | 5A |
| PD | 100W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.7760
库存：
555
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| 订货型号 | P2D06006T2 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P2D06006T2 |
| 品类 | SiC SBD |
| 描述/说明 | 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V, Qc=18nc,IF(≤135℃)=9A,VF=1.4V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 正向电流IF(25℃)(A) | 19 |
| 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) | 1.5 |
| 总电容电荷(nC) | 20 |
| 功耗(W) | 93 |
| 等级认证标准 | AEC-Q101 |
| 工作温度 | ﹣55 to+175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥6.7000
库存：
50
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| 订货型号 | P2D06010T2 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P2D06010T2 |
| 品类 | SiC SBD |
| 描述/说明 | 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V,Qc=22nc,IF(≤135℃)=13A,VF=1.5V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 正向电流IF(25℃)(A) | 24 |
| 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) | 1.5 |
| 总电容电荷(nC) | 22 |
| 功耗(W) | 107 |
| 等级认证标准 | AEC-Q101 |
| 工作温度 | ﹣55 to+175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥11.1800
库存：
50
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| 订货型号 | P3M06060G7 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06060G7 |
| 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 650V,44A,RDS(on)=60mΩ,SIC MOS |
| 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.94℃/W |
| RDSon(TJ=25℃) | 60mΩ |
| RDSon(TJ=175℃) | 52mΩ |
| ID(Tc=25℃) | 44A |
| ID(Tc=100℃) | 31A |
| PD | 159W |
| ID(pulse) | 82.56A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥37.8560
库存：
26
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| 订货型号 | P3D06020K3 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06020K3 |
| 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 20A,SIC SBD |
| 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.79℃/W |
| IF(Tc=25℃) | 41/82A |
| Tc(额定电流) | 163℃ |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 71A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 65A |
| VF(Tc=25℃) | 512A |
| VF(Tc=125℃) | 507A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥14.0270
库存：
25
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| 订货型号 | P3D06016K3 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06016K3 |
| 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 16A,SIC SBD |
| 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.9℃/W |
| IF(Tc=25℃) | 32/64A |
| Tc(额定电流) | 160℃ |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 77A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 66A |
| VF(Tc=25℃) | 475A |
| VF(Tc=125℃) | 453A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥12.7790
库存：
20
世强硬创平台提供P3D06016K3在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货20，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | P3M173K0K3 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M173K0K3 |
| 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS |
| 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 2.37℃/W |
| RDSon(TJ=25℃) | 3Ω |
| RDSon(TJ=175℃) | 3.6Ω |
| ID(Tc=25℃) | 4A |
| ID(Tc=100℃) | 3A |
| PD | 63W |
| ID(pulse) | 6.64A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥20.8000
库存：
15
世强硬创平台提供P3M173K0K3在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货15，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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P3M173K0K3 样品申请 >>
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P3M173K0K3 交期查询 >>
世强硬创平台提供P3M173K0K3期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | P3D06008T2 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06008T2 |
| 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 8A,SIC SBD |
| 封装/外壳/尺寸 | TO220-2 |
| 最小包装量 | 2,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.38℃/W |
| IF(Tc=25℃) | 26A |
| Tc(额定电流) | 153℃ |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 60A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 52A |
| VF(Tc=25℃) | 727A |
| VF(Tc=125℃) | 697A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥6.3180
库存：
15
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P3D06008T2 样品申请 >>
世强硬创平台提供P3D06008T2批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
P3D06008T2 批量询价 >>
世强硬创平台提供P3D06008T2交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
P3D06008T2 交期查询 >>
世强硬创平台提供P3D06008T2期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | P3M06040G7 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06040G7 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | SiC MOS N-Channel Enhancement Mode |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-7 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VRRM | 650 V |
| ID | 56 A |
| ID(100℃) | 40 A |
| RDS(on) | 40 mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥56.8230
库存：
10
世强硬创平台提供P3M06040G7在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货10，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供P3M06040G7期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | P3M12040G7 |
| 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M12040G7 |
| 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1200V,69A,RDS(on)=40mΩ,SIC MOS |
| 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.42℃/W |
| RDSon(TJ=25℃) | 40mΩ |
| RDSon(TJ=175℃) | 50mΩ |
| ID(Tc=25℃) | 69A |
| ID(Tc=100℃) | 49A |
| PD | 357W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥69.9400
库存：
10
世强硬创平台提供P3M12040G7在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货10，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合派恩杰原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供派恩杰快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
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NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
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资料平台
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SiC半桥模块 - PA220HB450HM
1.1
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块 - PAAA07040FM
1.0
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| 技术文档 - 英文 |
SiC半桥模块 - PAAA12800HM
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC半桥模块PAIA12050AM
2024/12/03
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| 技术文档 - 英文 |
PAAA12020FM SiC半桥模块
Ver. 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
P3M07013K4/P3M07013K4S SiC MOSFET
Ver. 3.1
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| 技术文档 - 英文 |
PAAA20350PM SiC半桥模块
Ver. 1.1
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| 技术文档 - 英文 |
P3M07005TM SiC MOSFET N沟道增强型
Ver. 1.2
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| 技术文档 - 英文 |
PAAC07600CM SiC 六单元模块
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 中文 |
SiC SBD P3D06010G2A 650V SiC Schottky 二极管
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
SiC SBD P3D12080K2
1.0
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SiC半桥模块 - PAAA12036FM
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SiC半桥模块
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SiC半桥模块 - PB120HB600MM
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PD170TP050SM 1700V SiC SBD
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PA170SS090SM SiC MOSFET
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SiC半桥模块 PAAA12600HM
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SiC模块 PAIA12220AM
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SiC半桥模块 - PAAA15036FM
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派恩杰 I3M12100SM2 SiC MOSFET
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SiC MOSFET P3M12080K4
4.0
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SiC MOSFET P3M12025K4
2025/03/18
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SiC SBD P3D06010T2 650V SiC肖特基二极管
Ver 1.4
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SiC SBD P3D06010T2 650V SiC肖特基二极管
Ver A/1.3
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SiC模块PAIA12100AM
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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PAAA12350BM SiC半桥模块
Ver. 1.0
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P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
Ver. 1.3
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P3M12120K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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PAAC12600CM SiC六组件模块
Ver. 1.0
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P3M12099K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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P3D06002E2 SiC SBD 650V SiC肖特基二极管
Ver. 1.4
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P1S06040K3 N沟道增强型MOSFET
Ver 1.1
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P1S06040K4 N沟道增强型MOSFET
Ver 1.1
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P1S06027K3 N沟道增强型MOSFET
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P1S06045G7 N通道增强模式
Ver 1.0
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P1S06027K3 N通道增强模式
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
Ver. A/1.1
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P3D060006T2 650V碳化硅SBD
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P3D060006I2 650V碳化硅SBD
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
瞻芯电子1200V SiC半桥1B封装模块，助力高频高效应用
瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表现。
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基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验
基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块不仅在材料选择上具有领先优势，其内置的高性能器件也确保了其在高效能电源转换领域的领先地位。无论是对于设计者还是终端用户而言，PcoreTM2 E2B模块都是提升系统性能、可靠性和经济性的优选方案。
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森国科全碳化硅半桥模块KC006F12W2M1系统设计紧凑，广泛用于智能电网的能源转换和控制
森国科全碳化硅半桥模块（KC006F12W2M1）的系统设计紧凑，Easy 2B封装在重量上也具备一定的优势，在电网设备中可有效降低开关损耗和导通损耗，相比传统器件可大幅提升系统效率。同时具备更优的散热要求，有利于进一步降低系统成本。
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【应用】低损耗225A/1700V全碳化硅半桥功率模块应用在在轨道交通变流器
牵引变流器是列车关键部件之一，安装在列车动车底部，把来自接触网上的1500 V直流电转换为0～1150 V的三相交流电。WOLFSPEED的全碳化硅半桥功率模块CAS300M17BM2功率模块，具有耐高温特性和低损耗，开关频率高等特点，有利于设计稳定性高的变流器。
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【产品】1200V/6mΩ全碳化硅半桥模块KC006F12W2M1，高工作频率，散热要求低可降低系统成本
森国科全碳化硅半桥模块KC006F12W2M1，漏源电压1200V，工温40~150℃，最大脉冲电流400A。具有超低损耗、高工作频率以及零关断拖尾电流等特性。适用于充电桩、光伏、高效转换器/逆变器以及电机驱动等领域。
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【产品】高频，超低损耗的全碳化硅半桥功率模块，业界首款1.7kV全碳化硅功率模块
CAS300M12BM2和CAS300M17BM2是Wolfspeed（原CREE）推出的两款全碳化硅半桥功率模块，其中CAS300M17BM2是业界首款全碳化硅1.7kV功率模块。两款模块都采用CREE公司特有的Z-Rec二极管和C2M系列场效应管，Z-Rec二极管具有零反向恢复电流，C2M场效应管具有零关断拖尾电流，因此具有超低损耗，另外还能在高频下工作。
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