SiC Half-bridge Module
发布时间：
2026-04-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
派恩杰（PN Junction）
型号：
PB120HB800MM
派恩杰官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）
派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。
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现货平台 / 派恩杰 授权代理店
| 订货型号 | P3M171K0G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M171K0G7 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1700V,7A,RDS(on)=1Ω,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.5℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 1Ω |
| RDSon(TJ=175℃) | 1.4Ω | ID(Tc=25℃) | 7A |
| ID(Tc=100℃) | 5A | PD | 100W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.7760
库存：
555
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| 订货型号 | P2D06006T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P2D06006T2 | 品类 | SiC SBD |
| 描述/说明 | 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V, Qc=18nc,IF(≤135℃)=9A,VF=1.4V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 正向电流IF(25℃)(A) | 19 | 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) | 1.5 |
| 总电容电荷(nC) | 20 | 功耗(W) | 93 |
| 等级认证标准 | AEC-Q101 | 工作温度 | ﹣55 to+175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥6.7000
库存：
50
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| 订货型号 | P2D06010T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P2D06010T2 | 品类 | SiC SBD |
| 描述/说明 | 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V,Qc=22nc,IF(≤135℃)=13A,VF=1.5V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 正向电流IF(25℃)(A) | 24 | 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) | 1.5 |
| 总电容电荷(nC) | 22 | 功耗(W) | 107 |
| 等级认证标准 | AEC-Q101 | 工作温度 | ﹣55 to+175℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥11.1800
库存：
50
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| 订货型号 | P3M06060G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06060G7 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 650V,44A,RDS(on)=60mΩ,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.94℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 60mΩ |
| RDSon(TJ=175℃) | 52mΩ | ID(Tc=25℃) | 44A |
| ID(Tc=100℃) | 31A | PD | 159W |
| ID(pulse) | 82.56A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥37.8560
库存：
26
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| 订货型号 | P3D06020K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06020K3 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 20A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.79℃/W | IF(Tc=25℃) | 41/82A |
| Tc(额定电流) | 163℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 71A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 65A | VF(Tc=25℃) | 512A |
| VF(Tc=125℃) | 507A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥14.0270
库存：
25
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| 订货型号 | P3D06016K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06016K3 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 16A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.9℃/W | IF(Tc=25℃) | 32/64A |
| Tc(额定电流) | 160℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 77A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 66A | VF(Tc=25℃) | 475A |
| VF(Tc=125℃) | 453A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥12.7790
库存：
20
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| 订货型号 | P3M173K0K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M173K0K3 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 2.37℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 3Ω |
| RDSon(TJ=175℃) | 3.6Ω | ID(Tc=25℃) | 4A |
| ID(Tc=100℃) | 3A | PD | 63W |
| ID(pulse) | 6.64A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥20.8000
库存：
15
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| 订货型号 | P3D06008T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06008T2 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 8A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO220-2 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.38℃/W | IF(Tc=25℃) | 26A |
| Tc(额定电流) | 153℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 60A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 52A | VF(Tc=25℃) | 727A |
| VF(Tc=125℃) | 697A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥6.3180
库存：
15
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P3D06008T2 样品申请 >>
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世强硬创平台提供P3D06008T2期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | P3M06040G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06040G7 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | SiC MOS N-Channel Enhancement Mode | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-7 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM | 650 V | ID | 56 A |
| ID(100℃) | 40 A | RDS(on) | 40 mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥56.8230
库存：
10
世强硬创平台提供P3M06040G7在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
P3M06040G7 在线购买 >>
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| 订货型号 | P3M12040G7 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M12040G7 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1200V,69A,RDS(on)=40mΩ,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO263-7 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.42℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 40mΩ |
| RDSon(TJ=175℃) | 50mΩ | ID(Tc=25℃) | 69A |
| ID(Tc=100℃) | 49A | PD | 357W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥69.9400
库存：
10
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技术支持/研发服务
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PAAA17300HM SiC半桥模块
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PAAA12350BM SiC半桥模块
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PAAA12350BM SiC半桥模块
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PAIA1250AM SiC半桥模块
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PAAA12020FM SiC半桥模块
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PAA12400BM3 SiC半桥模块
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SiC半桥模块 PAAA12300HM
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SiC半桥模块 PAAA12350BM2
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SiC半桥模块
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SiC半桥模块
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SiC半桥模块 PAAA12450HM
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SiC半桥模块PAIA12050AM
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SiC半桥模块 - PA220HB450HM
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SiC半桥模块 PAAA12400BM
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SiC半桥模块 PAAA12600HM
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SiC半桥模块 - PAAA12800HM
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SiC半桥模块PA220HB600HM
1.1
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SiC半桥模块 - PAAA15036FM
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PAA12400BM3 SiC模块
Ver. 1.1
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PAA12400BM3 SiC模块动态性能评估平台
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P3M12160K3 SiC MOSFET
Ver. 2.0
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P3M06060K4 碳化硅MOSFET N沟道增强型
Ver. 3.0
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P3M07002TM SiC MOSFET
Ver. 1.0
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P3M07013T7 SiC MOSFET N沟道增强型
1.0
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P3D17012K2 1700V SiC SBD
1.0
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P3D17005K2 1700V SiC SBD
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SiC MOSFET P3M12013T7i N沟道增强型
1.0
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SiC模块 PAIA12240DM
1.0
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650V SiC肖特基二极管
1.0
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SiC六合一模块 - PAAC12450CM
1.1
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P3D06006F2 650V SiC SBD
1.0
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P3D06006F2 650V SiC SBD
Ver. 1.0
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SiC MOSFET P3M06040K3 N沟道增强型
3.0
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SiC MOSFET P3M12080K4
2025/01/18
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SiC MOSFET P3M12090G7
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
用于PNJ的62mm半桥SiC模块的双通道隔离栅极驱动器应用笔记
本资料为PNJ公司62mm半桥SiC模块的隔离栅极驱动器PNDM12P204A1的应用指南。内容包括驱动器板的结构、硬件设计、电气特性、功能描述和故障处理。该驱动器板适用于PNJ高性能SiC模块，具备高频、快速开关、隔离电源、可调电压、过流保护等功能。
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工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore2 ED3系列：高性能Si3N4 AMB基板与铜基板封装，功率密度与可靠性俱备
基本半导体推出1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore™2 ED3系列，采用新一代芯片技术，结合高性能基板封装，提升功率密度与可靠性。适用于光伏、储能及工业电机驱动，提供配套驱动板解决方案。
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阿基米德半导体：亮相2024武汉国际智能网联新能源汽车产业链展览会！
阿基米德半导体在2024年武汉国际智能网联新能源汽车产业链展览会上展示了多款功率模块产品，包括1200V SiC单面塑封水冷模块、顶部散热SiC MOSFET、多种IGBT模块等，适用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统等领域，展示了其在功率模块领域的技术实力。
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芯能半桥SIC产品发布，集成 SiC MOSFET 并内置优化的驱动与过流保护电路，功率在300W以下支持无散热器应用
芯能发布新一代半桥SiC功率模块，集成SiC MOSFET及驱动保护电路，支持300W以下无散热器应用，提升系统效率并降低能耗，适用于高频调制场景。
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爱仕特SiC三电平方案：突破工商储能PCS高效极限！！
在全球能源转型与“双碳”战略驱动下，工商业储能系统对储能变流器（PCS）的效率、功率密度和可靠性需求显著提升。传统硅基IGBT因开关损耗高、高温性能不足，难以适配高频化、高功率化的储能场景。碳化硅（SiC）器件凭借宽禁带材料的先天优势，成为技术破局的关键。
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