P3D17012K2 1700V SiC SBD
发布时间：
2026-04-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
派恩杰（PN Junction）
型号：
P3D17012K2
派恩杰官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）
派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合派恩杰原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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加工定制
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
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碳化硅肖特基二极管P3D06006F2 650V碳化硅肖特基二极管
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碳化硅肖特基二极管P3D06020P3 650V碳化硅肖特基二极管
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碳化硅肖特基二极管P3D06020P3 650V碳化硅肖特基二极管
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P3M12160K3 SiC MOSFET
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PAAA17300HM SiC半桥模块
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P3M06060K4 碳化硅MOSFET N沟道增强型
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P3M07002TM SiC MOSFET
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P3M07013T7 SiC MOSFET N沟道增强型
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SiC半桥模块PAAA07090FM
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P3D17005K2 1700V SiC SBD
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SiC MOSFET P3M12013T7i N沟道增强型
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SiC半桥模块PA220HB600HM
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SiC半桥模块 PAAA12450HM
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SiC模块 PAIA12240DM
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650V SiC肖特基二极管
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SiC半桥模块
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SiC半桥模块 PAAA12350BM2
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SiC半桥模块PAAA12350BM
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SiC六合一模块 - PAAC12450CM
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P3D06006F2 650V SiC SBD
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P3D06006F2 650V SiC SBD
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SiC MOSFET P3M06040K3 N沟道增强型
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SiC MOSFET P3M12080K4
2025/01/18
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SiC MOSFET P3M12090G7
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
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PAAA12350BM SiC半桥模块
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P3M06060L8 N沟道增强型SiC MOS
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P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
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P3M12040K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M12040K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M17700K3 N沟道增强型SiC MOS
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P3D06010I2 650V碳化硅SBD
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P3D06006E2 650V SiC SBD
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P3D06004G2 650V SiC SBD
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P3D06004E2 650V SiC SBD
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P3D06004E2 650V SiC SBD
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P6D06004T2 650V SiC SBD
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P3D06008E2 650V SiC SBD
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PC电源适配器上，高能效产品选用SiC 肖特基二极管，650V/4A,8A,10A，有国产推荐吗？
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应用/方案
【产品】采用TO-247-2封装的碳化硅肖特基二极管P3D12040K2，符合AEC-Q101标准
派恩杰推出的碳化硅肖特基二极管P3D12040K2采用TO-247-2封装，在TJ=25℃条件下，反向重复峰值电压为1200V，直流阻断电压为1200V，正向电压为1.5V，产品具有超快速开关和零反向恢复电流等特点，能提高系统效率并减少散热器需求。
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【产品】符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管P3D06004T2，反向重复峰值电压650V
派恩杰推出的碳化硅肖特基二极管P3D06004T2采用TO-220-2外壳封装，具有超快的开关速度和零反向恢复电流等特点，能提高系统效率并减少散热器需求；符合AEC-Q101标准；支持高频操作；具备高浪涌电流。
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【产品】反向重复峰值电压1200V的碳化硅肖特基二极管P3D12040K3，零反向恢复电流
派恩杰推出的碳化硅肖特基二极管P3D12040K3采用TO-247-3外壳封装，在TJ=25℃条件下，反向重复峰值电压为1200V@TC=25℃；具有超快的开关速度和零反向恢复电流等特点，能提高系统效率并减少散热器需求。
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【产品】采用TO-3PF-3封装的碳化硅肖特基二极管P3D06020P3，最大直流阻断电压650V
派恩杰推出的碳化硅肖特基二极管P3D06020P3采用TO-3PF-3封装，在TJ=25℃条件下，重复峰值反向电压高达650V，直流阻断电压650V，产品具有零反向恢复电流，超快速开关，可高频操作等特点，能提高系统效率，并减少散热器需求，基本上没有开关损耗。
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【产品】直流阻断电压高达1200V的碳化硅肖特基二极管，超快速开关，100%UIS测试
派恩杰推出的SiC SBD P3D12020K3碳化硅肖特基二极管，在TC=25℃条件下，重复峰值反向电压高达1200V，直流阻断电压1200V，产品具有零反向恢复电流，超快速开关，可高频操作等特点，能提高系统效率，并减少散热器需求，基本上没有开关损耗。
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【产品】派恩杰1200V碳化硅肖特基二极管P3D12005BD，总电容电荷32nC
派恩杰推出的P3D12005BD是一款1200V碳化硅肖特基二极管，它具有超快速开关性能，反向恢复电流为零，可适应高频工作。工作结温和存储温度为-55到 +175°C。
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【产品】国产碳化硅肖特基二极管P3D06006F2，具有高频工作和零反向恢复电流特性
P3D06006F2是派恩杰推出的一款650V碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），具有高频工作、零反向恢复电流、高浪涌电流等特性。该器件的反向重复峰值电压为650V（Tc=25℃），结至管壳的热阻为2.9℃/W。
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【产品】1200V 碳化硅肖特基二极管P6D12002E2，正向电流达到8A（Tc=25℃），耗散功率为60W
派恩杰推出的SiC肖特基二极管P6D12002E2采用TO-252-2封装，具有超快速切换和零反向恢复电流等特点。在TJ=25℃时的最大额定值参数为：重复峰值反向电压为1200V，耗散功率为60W，正向电流为8A（Tc=25℃）。
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