B2D20120F1 Datasheet
发布时间：
2026-04-27
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
基本半导体（BASiC semiconductor）
型号：
B2D20120F1
基本半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是基本半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供基本半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。
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现货平台 / 基本半导体 授权代理店
| 订货型号 | B2D20120F1 | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B2D20120F1 | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅肖特基二极管，Vʀʀᴍ：1200V，Iғ：20A，Iғsᴍ：180A，Vғ：1.3V，Pᴛᴏᴛ：283W，Qᴄ：122nC。 | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vʀʀᴍ（V） | 1200V | Iғ(A) | 20A |
| Iғsᴍ(A) | 180A | Vғ(V) | 1.3V |
| Pᴛᴏᴛ(W) | 283W | Qᴄ(nC) | 122nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | B1D04065KF | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D04065KF | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode ,VRRM=650V,IF(Tc=150°C)=4A | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-2 |
| 最小包装量 | 500 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V | IF | 4A |
| IFSM | 30A | VF | 1.4V |
| Ptot | 30W | QC | 12nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥10.0000
库存：
240
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| 订货型号 | B1D04065F | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D04065F | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode,VRRM= 650V,IF(Tc=150°C) =4A,QC=11.3nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| VRRM | 650V | IF | 4A |
| IFSM | 30A | VF | 1.4V |
| Ptot | 68W | QC | 12nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥12.2000
库存：
90
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| 订货型号 | B1D04065K | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D04065K | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode,VRRM= 650V,IF(Tc=150°C) =5A,QC=11.3nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V | IF | 4A |
| IFSM | 30A | VF | 1.4V |
| Ptot | 72W | QC | 12nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥11.6000
库存：
90
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| 订货型号 | B1D10065F | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D10065F | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diodes,VRRM=650 V,IF (TC=155°C)=10A,QC=29 nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V | IF | 10A |
| IFSM | 75A | VF | 1.43V |
| Ptot | 134W | QC | 29nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥23.0000
库存：
80
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| 订货型号 | B1D08065F | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D08065F | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diodes,VRRM=650 V, IF (TC=155°C)=8A,QC=24 nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V | IF | 8A |
| IFSM | 60A | VF | 1.44V |
| Ptot | 112W | QC | 24nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥18.8000
库存：
80
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| 订货型号 | B1D10065KF | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D10065KF | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diodes,VRRM=650V,IF(Tc=95°C) =10A,QC=31nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-2 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V | IF | 10A |
| IFSM | 75A | VF | 1.43V |
| Ptot | 34W | QC | 29nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥21.8000
库存：
72
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| 订货型号 | B1D06065F | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D06065F | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode,VRRM= 650V,IF(Tc=150°C) =7.2A,QC=19.5nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V | IF | 6A |
| IFSM | 45A | VF | 1.43V |
| Ptot | 89W | QC | 17nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥15.4000
库存：
70
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| 订货型号 | B1D06065KF | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D06065KF | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | VRRM=650V;IF(Tc=150°C)=6A;QC=20.4nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-2L |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM(V） | 650V | IF(A) | 6A |
| QC(nC) | 20.4nc | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥14.8000
库存：
70
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| 订货型号 | B1D20065K | 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D20065K | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode, VRRM=650V,IF(Tc=150°C)=20A | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V | IF | 20A |
| IFSM | 150A | VF | 1.42V |
| Ptot | 254W | QC | 64nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥42.8000
库存：
70
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合基本半导体原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供基本半导体快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
集泰提供双组份有机硅灌封胶的定制服务，主要用于保护电子元器件免受湿气、震动、化学腐蚀和热冲击的影响，是电子电气领域最主流的防护材料之一。
立即提交 双组份有机硅灌封胶定制 >>
加工精度：精密平面磨床正负0.002；铣床正负0.02，ZNC放电正负0.01。CNC加工材料：铝、钢、聚合物等材料。专注于半导体行业、医疗器械、汽车行业、新能源行业、信息技术行业零部件加工。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
B2D20120F1碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 中英文 |
SiC SBD停产通知（SiC SBD PRODUCT DISCONT INUATION）EOL2024007
2024年6月18日
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20065F碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.0
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20065K碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.2
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20065HC1 SiC肖特基二极管
Rev. 0.2
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20065HC1 SiC肖特基二极管
Rev 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20065K1碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.0
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
B2D20065H1碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.4
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20065H1碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SiC肖特基二极管 B2D20065HC1
Rev. 0.4
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| 数据手册 - 英文 |
数据表
Rev. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20065H碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
B2D20065F1碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
B2D20120HC1 SiC肖特基二极管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20120HC1 SiC肖特基二极管
Rev 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
VRRM 1200 V, IF(TC=155°C) 20 A
Rev. 1.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
B2D20120H1碳化硅肖特基二极管
Rev. 0.1
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
B2D10120H1 SiC肖特基二极管数据手册
Rev. 0.3
|
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| 技术文档 - 中文 |
BTD5350x单通道隔离型门极驱动器
Rev.1.1
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| 技术文档 - 英文 |
SiC Mosfet模块
0.1
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SiC Mosfet模块
Rev. 0.2
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BMF004MR12E2B3 SiC MOSFET模块，制造商Basic Semiconductor
0.0
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
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AB3M040120CQ SiC MOSFET
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AB3M025065C SiC MOSFET
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SiC MOSFET模块BMF240R12E2G3
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SiC肖特基二极管B4D40120H
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SiC MOSFET B3M040120Z
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SiC MOSFET B3M040065L
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SiC MOSFET B3M035120H
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SiC MOSFET B3M035120R
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SiC MOSFET B3M025075Z
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SiC MOSFET B3M025065L
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SiC MOSFET B3M025065H
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SiC MOSFET B3M025065B
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SiC MOSFET B3M015E120Z
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SiC MOSFET B3M011C120Z
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SiC肖特基二极管B3DM100120N
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SiC肖特基二极管B3D50120H
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SiC肖特基二极管B3D30120H
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应用/方案
【产品】无反向恢复电流的碳化硅肖特基二极管B2D20065K，最大反向重复峰值电压650V
基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D20065K最大反向重复峰值电压为650V，管壳温度为155℃的条件下，正向连续导通电流为20A，总电容电荷为64nC；反向电流极低，反向恢复电流可忽略不计，VF具有正温度系数。
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【产品】具有独立温度开关的碳化硅肖特基二极管B2D20065F，反向重复峰值电压650V
基本半导体推出的B2D20065F碳化硅肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的；可用于设计650V额定电压的肖特基二极管；关断时不存在反向恢复现象，比硅二极管系统效率更高，最小的容性关断行为受温度影响小，可以应用于不间断电源、电机驱动器等。
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【产品】反向重复峰值电压为650V的碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1，基本无开关损耗
B2D20065HC1是基本半导体新推出的碳化硅肖特基二极管，反向重复峰值电压VRRM为650V，连续正向电流20A，总电容电荷62nC；具有极低反向电流和零反向恢复电流等特性，同时具有更高的开关频率和基本无开关损耗等优势。
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【产品】最大反向重复峰值电压1200V的碳化硅肖特基二极管B2D20120HC1，无反向恢复电流
基本半导体推出碳化硅肖特基二极管B2D20120HC1，最大反向重复峰值电压为1200V，反向电流极低，反向恢复电流可忽略不计，VF具有正温度系数，可应用于SMPS、不间断电源、电机驱动器等，采用TO-247-3封装，符合RoHS规范。
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提高半导体器件的可靠性：主要半导体制造商的案例研究
本文探讨了半导体器件中随机电报噪声（RTN）现象对设备可靠性的影响。文章指出，RTN是影响现代半导体工艺可靠性的关键参数，尤其是在操作电压降低和光刻技术不断缩小的背景下。文章以一家主要半导体制造商为例，介绍了如何通过Keysight B1500A半导体器件参数分析仪和自动化测试软件来测量和分析RTN数据，从而提高工艺的可靠性。
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