Product Summary

发布时间： 2026-04-27

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

基本半导体（BASiC semiconductor）

型号：

B2D40065HC1

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基本半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司

世强先进（深圳）科技股份有限公司是基本半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。

世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供基本半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。

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中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）

基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。

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现货平台 / 基本半导体授权代理店

订货型号	B2D40065HC1
品牌	基本半导体
型号系列	B2D40065HC1
品类	碳化硅肖特基二极管
描述/说明	碳化硅肖特基二极管，Vʀʀᴍ：650V，Iғ：20/40A，Iғsᴍ：146A，Vғ：1.34V，Pᴛᴏᴛ：268*W，Qᴄ：59nC。
封装/外壳/尺寸	TO-247-3
最小包装量	1
包装形式	纸箱包装
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vʀʀᴍ（V）	650V
Iғ(A)	20/40*A
Iғsᴍ(A)	146*A
Vғ(V)	1.34V
Pᴛᴏᴛ(W)	268*W
Qᴄ(nC)	59nC

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证

价格：

库存：

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世强硬创平台提供B2D40065HC1在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。

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世强硬创平台提供B2D40065HC1样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。

B2D40065HC1 样品申请 >>

世强硬创平台提供B2D40065HC1批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。

B2D40065HC1 批量询价 >>

世强硬创平台提供B2D40065HC1交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。

B2D40065HC1 交期查询 >>

世强硬创平台提供B2D40065HC1期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。

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技术支持/研发服务

世强硬创平台整合基本半导体原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。

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企业采购服务

世强硬创平台授权代理商提供基本半导体快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。

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加工定制

加工精度：精密平面磨床正负0.002；铣床正负0.02，ZNC放电正负0.01。CNC加工材料：铝、钢、聚合物等材料。专注于半导体行业、医疗器械、汽车行业、新能源行业、信息技术行业零部件加工。

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可定制ATL TE Cooler制冷量范围：50~1000W;工作电压：12/24VDC;控温精度≤±0.1℃;控温精度：≤±0.1℃；尺寸：冷面：20*20~500*300mm，热面：60*60~540*400mm。

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资料平台

数据手册 - 英文	B2D40065HC1 SiC肖特基二极管 Rev. 0.0	下载
产品变更通知及停产信息 - 中英文	SiC SBD停产通知（SiC SBD PRODUCT DISCONT INUATION）EOL2024007 2024年6月18日	下载
数据手册 - 英文	B2D40065HC SiC肖特基二极管 Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev 0.1	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	BASIC Semiconductor B2D30120HC1 SiC 肖特基二极管 Rev. 1.3	下载
数据手册 - 英文	BMF004MR12E2B3 SiC MOSFET模块，制造商Basic Semiconductor 0.0	下载
数据手册 - 英文	B2D10120H1 SiC肖特基二极管数据手册 Rev. 0.3	下载
技术文档 - 中文	BTD5350x单通道隔离型门极驱动器 Rev.1.1	下载
技术文档 - 英文	SiC Mosfet模块 0.1	下载
数据手册 - 英文	SiC Mosfet模块 Rev. 0.2	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev. 0.3	下载
数据手册 - 英文	VRRM 1200 V, IF(TC=155°C) 20 A Rev. 1.2	下载
数据手册 - 英文	数据表 Rev. 1.1	下载
数据手册 - 英文	B2D20120F1 数据手册 0.1	下载
数据手册 - 英文	AB3M040120CQ SiC MOSFET Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	AB3M025065C SiC MOSFET Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET模块BMF240R12E2G3 Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	SiC肖特基二极管B4D40120H Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M040120Z Rev. 0.2	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M040065L Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M035120H Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M035120R Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M025075Z Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M025065L Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M025065H Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M025065B Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M015E120Z Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M011C120Z Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC肖特基二极管B3DM100120N Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC肖特基二极管B3D50120H Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	SiC肖特基二极管B3D30120H Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	BMCS002MR12L3CG5 SiC MOSFET模块 Rev. 0.0	下载

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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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应用/方案

【产品】总电容电荷为128nC的碳化硅肖特基二极管，电磁干扰减少，适用于不间断电源

基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D40065HC最大反向重复峰值电压（VRRM）为650V，管壳温度（TC）为155℃的条件下，正向连续导通电流（IF）为40A，总电容电荷（QC）为128nC。

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【产品】碳化硅肖特基二极管B2D40065HC，反向重复峰值电压高达650V，采用TO-247-3封装

基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管B2D40065HC，采用TO-247-3封装，其反向重复峰值电压高达650V，在TC为155℃时正向连续电压高达40A（双二极管），在TC为25℃时正向连续电压更高达136A（双二极管）。工作结温和存储温度范围宽至-55℃~175℃，适用于开关电源、电机驱动等应用领域。

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