Product Summary
发布时间：
2026-04-27
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
基本半导体（BASiC semiconductor）
型号：
BGH40N120HS1
基本半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是基本半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供基本半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。
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现货平台 / 基本半导体 授权代理店
| 订货型号 | B1D04065KF |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D04065KF |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode ,VRRM=650V,IF(Tc=150°C)=4A |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-2 |
| 最小包装量 | 500 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V |
| IF | 4A |
| IFSM | 30A |
| VF | 1.4V |
| Ptot | 30W |
| QC | 12nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥10.0000
库存：
240
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| 订货型号 | B1D04065F |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D04065F |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode,VRRM= 650V,IF(Tc=150°C) =4A,QC=11.3nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| VRRM | 650V |
| IF | 4A |
| IFSM | 30A |
| VF | 1.4V |
| Ptot | 68W |
| QC | 12nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥12.2000
库存：
90
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| 订货型号 | B1D04065K |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D04065K |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode,VRRM= 650V,IF(Tc=150°C) =5A,QC=11.3nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V |
| IF | 4A |
| IFSM | 30A |
| VF | 1.4V |
| Ptot | 72W |
| QC | 12nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥11.6000
库存：
90
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| 订货型号 | B1D10065F |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D10065F |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diodes,VRRM=650 V,IF (TC=155°C)=10A,QC=29 nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V |
| IF | 10A |
| IFSM | 75A |
| VF | 1.43V |
| Ptot | 134W |
| QC | 29nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥23.0000
库存：
80
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| 订货型号 | B1D08065F |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D08065F |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diodes,VRRM=650 V, IF (TC=155°C)=8A,QC=24 nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V |
| IF | 8A |
| IFSM | 60A |
| VF | 1.44V |
| Ptot | 112W |
| QC | 24nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥18.8000
库存：
80
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| 订货型号 | B1D10065KF |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D10065KF |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diodes,VRRM=650V,IF(Tc=95°C) =10A,QC=31nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-2 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V |
| IF | 10A |
| IFSM | 75A |
| VF | 1.43V |
| Ptot | 34W |
| QC | 29nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥21.8000
库存：
72
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| 订货型号 | B1D06065F |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1D06065F |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | SiC Schottky Diode,VRRM= 650V,IF(Tc=150°C) =7.2A,QC=19.5nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | 2024-06-18 |
| VRRM | 650V |
| IF | 6A |
| IFSM | 45A |
| VF | 1.43V |
| Ptot | 89W |
| QC | 17nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥15.4000
库存：
70
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合基本半导体原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BGH75N65HF1混合SiC分立器件
Rev. 0.0
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| 数据手册 - 英文 |
BGH75N65HF1混合SiC分立器件
Rev. 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
BGH75N65HS1混合SiC分立器件
Rev. 0.0
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| 数据手册 - 英文 |
BGH50N65HF1混合SiC分立器件
Rev. 0.0
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| 数据手册 - 英文 |
BGH50N65HF1混合SiC分立器件
Rev.0.1
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| 数据手册 - 英文 |
BGH75N120HF1混合SiC分立器件
Rev. 0.3
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| 数据手册 - 英文 |
BGH75N120HF1混合SiC分立器件
Rev. 0.4
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| 数据手册 - 英文 |
BGH50N65HS1混合SiC分立器件
Rev. 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
BGH75N65ZF1混合SiC分立器件
Rev. 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
BGH50N65ZF1混合SiC分立器件
Rev.0.1
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| 数据手册 - 英文 |
混合SiC分立器件
Rev. 0.2
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| 数据手册 - 英文 |
BGH75N65HS1 混合碳化硅分立器件数据手册
Rev. 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
B2D10120H1 SiC肖特基二极管数据手册
Rev. 0.3
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| 技术文档 - 中文 |
BTD5350x单通道隔离型门极驱动器
Rev.1.1
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| 技术文档 - 英文 |
SiC Mosfet模块
0.1
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| 数据手册 - 英文 |
SiC Mosfet模块
Rev. 0.2
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| 数据手册 - 英文 |
BMF004MR12E2B3 SiC MOSFET模块，制造商Basic Semiconductor
0.0
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| 数据手册 - 英文 |
Product Summary
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Product Summary
Rev 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
Product Summary
Rev. 0.3
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| 数据手册 - 英文 |
Product Summary
Rev. 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
VRRM 1200 V, IF(TC=155°C) 20 A
Rev. 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
数据表
Rev. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
B2D20120F1 数据手册
0.1
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| 数据手册 - 英文 |
AB3M040120CQ SiC MOSFET
Rev. 0.0
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| 数据手册 - 英文 |
AB3M025065C SiC MOSFET
Rev. 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
SiC MOSFET模块BMF240R12E2G3
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC肖特基二极管B4D40120H
Rev. 1.0
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技术论坛
矿机电源上需要一款SiC Schottky Diode ，要求TO-220-2，3600W，有什么推荐？
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Hi ,各位，想找一款650V/10A碳化硅二极管，需求国产品牌，主要是做200W的通用电源模块，现在做替换,求推荐。
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大神们，这边有个矿机电源的项目，需要找一款可靠性比较强的SIC二极管，电压650V
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目前在开发一款1KW 的PFC电源，考虑系统效率和成本方面，目前在评估SIC二极管，有没有国产性价比高的650V 8-10A 的SIC二极管推荐？
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我司设计一款600W服务器电源，原PFC电路设计了CREE C3D06065A SIC SBD，准备国产化替代，请推荐管脚兼容，性能相当的国产器件。
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我司设计一款中功率开关电源项目，PFC设计了ST PSC40065C,准备降本设计一个国产SIC DIODE的方案，请推荐性能相当的国产器件。
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高压多轨电源项目，需要一颗MOS，600V，3A以上，空间有限，请问有没有什么小封装的推荐
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应用在UPS电源中，请问有没有替代ON FFSP10120A的国产SiC肖特基二极管推荐？
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在车载DC-DC电源中，请推荐替代Infineon IDW20G120C5B的国产SiC肖特基二极管？
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请推荐一款SiC肖特基二极管，用于电源模块项目，要求：峰值反向电压为1200V，连续正向电流44A，TO-247-3封装。
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大功率开关电源项目，需求一款SIC肖特基二极管，VRRM： 650V，IF： 10A，TO252-2封装，麻烦推荐一款，感谢！
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升压电源模块设计时，需要一个耐压高，压降小的肖特基二极管，电压要大于400V，电流支持10A就可以了，有没有满足要求的国产器件推荐？
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变频器辅助电源需要一款MOS，要求国产接受SIC，有宽的工作温度范围，TO-247-3L，有什么推荐的吗？
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是否能提供ST和TI的产品，这两家才是大头
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT——硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。
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【 技术】低损耗、高结温，基本半导体混合碳化硅分立器件性能优势介绍
在强调低开关损耗、高结温的场合下，混管比传统IGBT有着更出色的表现。因此，当您在进行相关方案设计时，为进一步减小器件的开关损耗，建议选择基本半导体混合碳化硅分立器件。
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基本半导体第三代碳化硅MOSFET顶部散热封装系列，解锁光储充与服务器电源能效新高度
基本半导体推出基于第三代碳化硅MOSFET技术的QDPAK、TOLT、T2PAK-7顶部散热封装产品，覆盖650V及1200V电压段，具备低损耗、高效率及优异散热性能，适用于光储充、服务器电源及车载系统。
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基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富
基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力电源、户储逆变器等领域的650V/40mΩ系列产品。
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应用笔记 | 基本半导体碳化硅功率器件在125kW工商业储能PCS中的应用
本文介绍基本半导体碳化硅MOSFET在125kW工商业储能PCS中的应用，重点分析BMF240R12E2G3模块在高温、满负载工况下的结温与损耗表现。该器件具备低导通电阻、内嵌SBD、开关损耗随温度升高而降低等优势，适用于三相四桥臂拓扑，显著提升系统效率与可靠性。
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基本半导体正激DCDC开关电源芯片BTP1521x，最高工作频率可达1.3MHz
基本半导体自主研发的BTP1521x是一款正激DCDC开关电源芯片，集成上电软启动功能及过温保护功能，输出功率可达6W。该电源芯片工作频率通过OSC脚设定，最高工作频率可达1.3MHz，适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。芯片有SOP-8封装、DFN3*3-8封装两种封装形式。
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