Hybrid SiC Discrete Devices

发布时间： 2026-04-27

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

基本半导体（BASiC semiconductor）

型号：

BGH75N65ZF1

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基本半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司

世强先进（深圳）科技股份有限公司是基本半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。

世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供基本半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。

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中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）

基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。

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现货平台 / 基本半导体授权代理店

订货型号	BGH75N65HF1	品牌	基本半导体
型号系列	BGH75N65HF1	品类	碳化硅肖特基二极管
描述/说明	Trench Field Stop IGBT Co-packed with SiC Schottky Barrier Diode	封装/外壳/尺寸	TO-247-3
最小包装量	50	包装形式	纸箱包装
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
Collector-Emitter Voltage,Tj≥25℃	650V	Gate-Emitter Voltage	±20V
Transient Gate-Emitter Voltage	±30V	Pulse Collector Current	300A

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证

价格：

库存：

0

世强硬创平台提供BGH75N65HF1在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。

BGH75N65HF1 在线购买 >>

世强硬创平台提供BGH75N65HF1样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。

BGH75N65HF1 样品申请 >>

世强硬创平台提供BGH75N65HF1批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。

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世强硬创平台提供BGH75N65HF1交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。

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世强硬创平台提供BGH75N65HF1期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。

BGH75N65HF1 期货订购 >>

订货型号	BGH50N65HF1	品牌	基本半导体
型号系列	BGH50N65HF1	品类	碳化硅肖特基二极管
描述/说明	Trench Field Stop IGBT Co-packed with SiC Schottky Barrier Diode	封装/外壳/尺寸	TO-247-3
最小包装量	50	包装形式	纸箱包装
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
Collector-Emitter Voltage,Tj≥25℃	650V	Gate-Emitter Voltage	±20V
Transient Gate-Emitter Voltage	±30V	Power Dissipation	25℃

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证

价格：

库存：

0

世强硬创平台提供BGH50N65HF1在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。

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BGH50N65HF1 样品申请 >>

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BGH50N65HF1 交期查询 >>

世强硬创平台提供BGH50N65HF1期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。

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技术支持/研发服务

世强硬创平台整合基本半导体原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。

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企业采购服务

世强硬创平台授权代理商提供基本半导体快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。

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加工定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

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资料平台

数据手册 - 英文	BGH75N65ZF1混合SiC分立器件 Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	B2D10120H1 SiC肖特基二极管数据手册 Rev. 0.3	下载
技术文档 - 中文	BTD5350x单通道隔离型门极驱动器 Rev.1.1	下载
技术文档 - 英文	SiC Mosfet模块 0.1	下载
数据手册 - 英文	SiC Mosfet模块 Rev. 0.2	下载
数据手册 - 英文	BMF004MR12E2B3 SiC MOSFET模块，制造商Basic Semiconductor 0.0	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev 0.1	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	Product Summary Rev. 0.3	下载
数据手册 - 英文	VRRM 1200 V, IF(TC=155°C) 20 A Rev. 1.2	下载
数据手册 - 英文	数据表 Rev. 1.1	下载
数据手册 - 英文	B2D20120F1 数据手册 0.1	下载
数据手册 - 英文	AB3M040120CQ SiC MOSFET Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	AB3M025065C SiC MOSFET Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET模块BMF240R12E2G3 Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	SiC肖特基二极管B4D40120H Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M040120Z Rev. 0.2	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M040065L Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M035120H Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M035120R Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M025075Z Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M025065L Rev. 0.1	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M025065H Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M025065B Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M015E120Z Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M011C120Z Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC肖特基二极管B3DM100120N Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC肖特基二极管B3D50120H Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	SiC肖特基二极管B3D30120H Rev. 1.0	下载
数据手册 - 英文	BMCS002MR12L3CG5 SiC MOSFET模块 Rev. 0.0	下载
数据手册 - 中文	正激 DCDC 开关电源芯片 BTP1521x Rev.1.0	下载
数据手册 - 中文	单通道隔离型门极驱动器 BTD5350x	下载
数据手册 - 英文	半桥模块SiC 1200V MOSFET Rev. 0.0	下载
数据手册 - 英文	SiC MOSFET B3M040120ZL Rev. 0.0	下载

技术论坛

在一个小功率变频器项目中，为了提高IGBT反向回复的效率降低损耗是否有集成sic体二极管的IGBT?

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世强AI

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应用/方案

SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT——硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰

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【技术】低损耗、高结温，基本半导体混合碳化硅分立器件性能优势介绍

在强调低开关损耗、高结温的场合下，混管比传统IGBT有着更出色的表现。因此，当您在进行相关方案设计时，为进一步减小器件的开关损耗，建议选择基本半导体混合碳化硅分立器件。

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混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频

基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲，主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响，以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法，点击视频一探究竟！

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SiC科普 | 谈混合式IGBT——硅FRD的安全问题限制IGBT的开通速度

今天“SiC科普小课堂”，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续为大家带来混合式IGBT话题第二讲，由于硅FRD反向恢复行为对杂散电感的敏感度很高，会限制IGBT开通速度，那么将硅FRD替换为碳化硅肖特基二极管后，会有什么不一样表现呢？

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内置SiC肖特基势垒二极管的RGWxx65C系列混合IGBT

该资料介绍了ROHM公司推出的新型混合IGBT器件，包括RGWxx65C系列，该系列器件集成了SiC肖特基势垒二极管，适用于交错 Totem Pole PFC（双向车载充电器）应用。资料详细描述了这些器件的开关特性、效率、成本效益以及在不同应用中的优势，如车辆充电器、汽车DC/DC转换器、光伏逆变器和不间断电源等。此外，还提供了不同封装类型和型号的详细规格参数，包括耐压、集电极电流、导通损耗等关键性能指标。

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