SiC MOSFET Module
发布时间：
2026-04-27
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
基本半导体（BASiC semiconductor）
型号：
BMF011MR12E1G3
基本半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是基本半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供基本半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。
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现货平台 / 基本半导体 授权代理店
| 订货型号 | BMF011MR12E1G3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF011MR12E1G3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 26℃：11mΩ，Idnom：120A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：4V，VSD：2.1V，QG：246nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | Pcore™2 E1B |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 11mΩ |
| IDnom(A) | 120A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 4V |
| VSD(V) | 2.1V |
| QG(nC) | 246nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMCS002MR12L3CG5 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMCS002MR12L3CG5 |
| 品类 | SIC MOSFET Module |
| 描述/说明 | Common-Source Bidirectional Switch 1200V SIC MOSFET Module |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vᴅss | 1200V |
| Iᴅ | 760A |
| Pᴅ | 597W |
授权代理商：
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| 订货型号 | BMF360R12KA3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF360R12KA3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 32℃：3.5mΩ，Idnom：360A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：2.7V，VSD：4.7V，QG：880nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | 62mm |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 3.5mΩ |
| IDnom(A) | 360A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 2.7V |
| VSD(V) | 4.7V |
| QG(nC) | 880nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
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| 订货型号 | BMF180R12KA3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF180R12KA3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 31℃：7mΩ，Idnom：180A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：2.7V，VSD：4.7V，QG：440nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | 62mm |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 7mΩ |
| IDnom(A) | 180A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 2.7V |
| VSD(V) | 4.7V |
| QG(nC) | 440nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMF160R12RA3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF160R12RA3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 30℃：7.5mΩ，Idnom：160A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：2.7V，VSD：4.71V，QG：440nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | 34mm |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 7.5mΩ |
| IDnom(A) | 160A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 2.7V |
| VSD(V) | 4.71V |
| QG(nC) | 440nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMF240R12E2G3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF240R12E2G3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 28℃：5.5mΩ，Idnom：240A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：4V，VSD：1.9V，QG：492nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | Pcore™2 E2B |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 5.5mΩ |
| IDnom(A) | 240A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 4V |
| VSD(V) | 1.9V |
| QG(nC) | 492nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMF008MR12E2G3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF008MR12E2G3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 27℃：8.1mΩ，Idnom：160A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：4V，VSD：1.8V，QG：401nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | Pcore™2 E2B |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 8.1mΩ |
| IDnom(A) | 160A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 4V |
| VSD(V) | 1.8V |
| QG(nC) | 401nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMS065MR12EP2CA2 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMS065MR12EP2CA2 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 34℃：65mΩ，Idnom：25A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：2.7V，VSD：4.7V，QG：60nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | PcoreTM12 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 65mΩ |
| IDnom(A) | 25A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 2.7V |
| VSD(V) | 4.7V |
| QG(nC) | 60nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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世强硬创平台提供BMS065MR12EP2CA2交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
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世强硬创平台提供BMS065MR12EP2CA2期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | BMS600R12HWC4_B01 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMS600R12HWC4_B01 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，automotive grade，VDSS：1200V，ID：600A，RDS(on)（@Tvj=29℃）：1.8mΩ，Die/Switch：6-in-Para，Terminal：Standard。 |
| 封装/外壳/尺寸 | Pcore™6 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 1.8mΩ |
| IDnom(A) | 600A |
| Die/Switch | 6-in-Para |
| Terminal | Standard |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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世强硬创平台提供BMS600R12HWC4_B01样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供BMS600R12HWC4_B01批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
BMS600R12HWC4_B01 批量询价 >>
世强硬创平台提供BMS600R12HWC4_B01交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
BMS600R12HWC4_B01 交期查询 >>
世强硬创平台提供BMS600R12HWC4_B01期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | BMS700R08HLWC4_B01 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMS700R08HLWC4_B01 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，automotive grade，VDSS：750V，ID：700A，RDS(on)（@Tvj=27℃）：1.3mΩ，Die/Switch：6-in-Para，Terminal：Long AC Busbar。 |
| 封装/外壳/尺寸 | Pcore™8 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 750V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 1.3mΩ |
| IDnom(A) | 700A |
| Die/Switch | 6-in-Para |
| Terminal | Long AC Busbar |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供BMS700R08HLWC4_B01在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供BMS700R08HLWC4_B01样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供BMS700R08HLWC4_B01交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BMF011MR12E1G3 SiC MOSFET模块
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BMF160R12RA3 SiC MOSFET模块
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SiC MOSFET模块BMF008MR12E2G3
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SiC MOSFET模块BMF540R12MZA3
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BMF120R12RB3 SiC MOSFET模块
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SiC MOSFET模块BMF240R12E2G3
Rev. 1.0
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SiC MOSFET模块BMF240R12E2G3
Rev. 0.3
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BMCS002MR12L3CG5 SiC MOSFET模块
Rev. 0.0
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BMH027MR07E1G3 SiC MOSFET模块
Rev. 0.0
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BMF80R12RA3 SiC MOSFET模块
Rev. 0.0
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BMF80R12RA3 SiC MOSFET模块
Rev. 0.1
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BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模块
Rev. 0.2
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BMF360R12KHA3 SiC MOSFET模块规格书
Rev. 0.1
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BMF60R12RB3 碳化硅MOSFET模块
Rev. 0.0
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SiC Mosfet模块
Rev. 0.2
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BMF360R12KHA3 SiC MOSFET模块初步数据手册
Rev.0.1
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BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模块数据手册
Rev. 1.1
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BMF004MR12E2B3 SiC MOSFET模块，制造商Basic Semiconductor
0.0
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| 数据手册 - 英文 |
SiC MOSFET模块BMF540R12KHA3
Rev.0.0
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| 数据手册 - 英文 |
半桥模块 1200V SiC MOSFET
Rev. 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
半桥模块 1200V SiC MOSFET
Rev.0.2
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半桥模块SiC 1200V MOSFET
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半桥模块SiC 1200V MOSFET
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全桥模块 SiC 650V MOSFET
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| 数据手册 - 中文 |
BSRD-2427-ES02 针对34mm的SiC MOSFET模块的双通道驱动板
Rev.0.0
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BSRD-2503-ES01 针对62mm 的SiC MOSFET 模块的双通道驱动板参考设计
Rev.0.0
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BSRD-2427-ES01 针对SiC MOSFET 模块的双通道驱动板
Rev.0.0
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B2M065120T SiC MOSFET
Rev. 0.1
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B2M040120T SiC MOSFET
Rev. 0.1
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B2D10120H1 SiC肖特基二极管数据手册
Rev. 0.3
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| 技术文档 - 中文 |
BTD5350x单通道隔离型门极驱动器
Rev.1.1
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Product Summary
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Product Summary
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Product Summary
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Product Summary
Rev. 0.3
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| 数据手册 - 英文 |
VRRM 1200 V, IF(TC=155°C) 20 A
Rev. 1.2
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数据表
Rev. 1.1
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B2D20120F1 数据手册
0.1
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块，更好满足客户对高功率密度需求
基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB基板等技术，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
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BSRD-2503-ES02 针对62mm的SiC MOSFET模块的双通道驱动板参考设计
本资料介绍了BSRD-2503-ES02双通道驱动板，适用于62mm SiC MOSFET模块，用于电镀电源、感应加热电源等应用。该驱动板具有高可靠性、强适应性，支持最高1200V电压，单通道驱动功率2W，峰值电流±10A，绝缘电压高达4000Vac。资料详细描述了接口定义、门极参数配置、规格参数、电气特性、机械尺寸等信息。
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工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore2 ED3系列：高性能Si3N4 AMB基板与铜基板封装，功率密度与可靠性俱备
基本半导体推出1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore™2 ED3系列，采用新一代芯片技术，结合高性能基板封装，提升功率密度与可靠性。适用于光伏、储能及工业电机驱动，提供配套驱动板解决方案。
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内置SiC MOSFET的小型封装型模块（HSDIP20）
BSTxxx1P4K01（750V）和BSTxxx2P4K01（1,200V）是内置4枚或6枚SiC MOSFET的封装型模块。通过将大功率应用的电源转换电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，助力实现应用产品的小型化。
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一文看懂瑞之辰SiC MOSFET相对于IGBT器件的优势
在功率电子领域，相较于传统的绝缘栅双极晶体管（IGBT），碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐渐受到业内关注，成为行业的焦点。碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，目前瑞之辰旗下的碳化硅产品线包括SiC PIM大功率模块、SiC IPM智能功率模块和SiC MOSFET—TO247-4PHC器件（直插和贴装两种）。
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【产品】额定漏-源电压1200V的 SiC MOSFET模块ASC300N1200MD3，系统具有紧凑、重量轻的特点
爱仕特1200V SiC MOSFET模块 ASC300N1200MD3可进行高温高湿偏压操作，不仅超低损耗，还可进行高频运作，支持MOSFET的零关断尾电流，常闭，故障安全设备操作，具有易并联特点，采用铝碳化硅基板和氧化铝绝缘体。
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【产品】总线电压最高1200V栅极驱动板，专为驱动XM3 1200V/300A SiC MOSFET模块而设计
CMT-TIT0697 是一款栅极驱动板，针对额定温度为 125°C (Ta) 的 XM3 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块进行了优化。 该板基于CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组，可为汽车和工业应用中的高密度电源转换器设计提供热余量。
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