AP4580 Full-bridge of MOSFET
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
矽源特科技（ChipSourceTek）
型号：
AP4580
加工定制
Micro-Hybrid提供NDIR气体检测模组定制，支持高温环境（最高190℃）及多气体类型，满足医疗、工业等场景高精度需求。
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Micro-Hybrid提供MEMS红外光源/探测器定制，支持封装形式、滤光片、惰性气体等参数调整，满足气体检测、火焰监测等场景需求。
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资料平台
| 技术文档 - 中文 |
XYT4257B 双节锂电池充电管理IC
Version 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
MOT7N65EC/MOT7N65ED N沟道MOSFET
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| 技术文档 - 中文 |
CS5290E GF类音频功放IC
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| 数据手册 - 英文 |
LM4558
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FM5057H 二合一锂电池保护IC
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TRA8002A音频功率放大器
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RM1115x 系列数据手册 硅源特科技 ChipSourceTek
V1.1
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| 数据手册 - 英文 |
单节锂离子/聚合物电池保护IC
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| 数据手册 - 英文 |
NS4890C 2.4W 单声道AB类音频放大器
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| 数据手册 - 英文 |
OCH145A单极霍尔效应开关传感器
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| 数据手册 - 英文 |
HAA3606 2X30W立体声D类音频放大器，固定增益32dB
Rev 1.2
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| 技术文档 - 中文 |
CST6118-TC118AH 对比测试报告
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| 技术文档 - 英文 |
CST4056 描述
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| 技术文档 - 中文 |
PT6007B 5～7 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片
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| 数据手册 - 中文 |
XYT5207 异步电流模式（CC 模式）DC-DC 升压控制驱动芯片
Rev 1.1
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| 数据手册 - 中文 |
XYT2312 单节锂电池同步开关降压充电 IC
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| 数据手册 - 英文 |
XYT1496A 600kHz，18V 2A同步降压转换器
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| 数据手册 - 中文 |
TR16F096A（B）数据表
V1.6
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| 数据手册 - 英文 |
7/8/9/10节锂电池保护芯片 MX1010
Rev1.2
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| 数据手册 - 中文 |
单声道AB/D 类音频功率放大器（内置BOOST 升压和NCN 功能）
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| 数据手册 - 中文 |
单声道AB/D 类音频功率放大器（内置BOOST升压和NCN功能）
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| 数据手册 - 中文 |
ZH1121A 数据手册 18 路触按和PWM 增强型RISC MCU V1.0
V1.0
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| 数据手册 - 中文 |
XYT8002D 2.4W 单声道AB 类音频功率放大器
11
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| 数据手册 - 中文 |
XYT6982 XYT6982特性
B 版
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| 数据手册 - 中文 |
32V 耐压单节锂电池线性充电芯片
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| 数据手册 - 中文 |
低功耗、高性能150mA LDO-XYT2112概述
Rev 1.1
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| 数据手册 - 中文 |
XYT1661微功率全极霍尔效应传感器开关
Ver.1.2
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| 数据手册 - 中文 |
TRSP（M）5165A/5165S1 OTP型语音芯片
1.0
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SLS50N03 N沟道30V/50A增强型功率MOSFET
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| 技术文档 - 中文 |
XPD545 USB Power Delivery 控制器
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| 数据手册 - 英文 |
采用PFM控制的TX2304同步升压DC-DC转换器
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| 数据手册 - 英文 |
TRSP（M）5080A OTP型语音芯片
1.1
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| 数据手册 - 中文 |
TRSP（M）5043A/5058A OTP型语音芯片
1.3
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| 数据手册 - 中文 |
TRSM5085A口罩式语音芯片
1.1
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| 技术文档 - 中文 |
TRSP&M5341A、TRSM5271A OTP型语音芯片
1.2
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| 数据手册 - 中文 |
TRSF1608A（C）16位语音处理器数据表
V1.6
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
中微爱芯80V 2.5A 1MHz的全桥驱动电路——AiP2180
AiP2180是一款高速中压全桥驱动电路。该电路主要用于驱动中压功率器件，如N型MOSFET或IGBT等，电路内置可调死区控制，可以调节驱动效率，支持独立的外部关断控制，并具有VCC欠压保护功能的特点，可用于无刷电机驱动、全桥供电系统，电动车电池管理等应用。
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技术分享 | 解析SiC MOSFET串扰特性
随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等）桥臂串扰现象越发严重，易造成桥臂直通短路或影响可靠性，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。本文瑶芯微将为您解析SiC MOSFET串扰特性。
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国产三相全桥智能功率模块（IPM）DPM10T60CG，DIP-25(SPM8)封装，用于中功率电机驱动
华润微的三相全桥智能功率模块（IPM）DPM10T60CG，PN输入电压500V，单个MOSFET峰值漏极电流（峰值）20A，采用DIP-25(SPM8)封装，不含卤素，符合RoHS标准。
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巴丁微推出交流转直流的全桥转换芯片BDP8603，采用SOT-23-6L封装，开启电压典型值仅0.7V
巴丁微电子推出的BDP8603是一种交流转直流的全桥转换芯片，内部集成20V耐压的高压功率MOSFET。其中，NMOS典型导通电阻RON是50毫欧（VGS=4.5V）；MOS典型导通电阻RON是90毫欧（VGS=-4.5V）。BDP8603具有集成MOS导通电阻小、低阈值开启电压（典型0.7V）；应用灵活；采用SOT-23-6L封装，体积小等特点。
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【产品】芯天下40V三相全桥MOSFET栅极驱动器XTM2612，内置5V输出LDO，带载能力达80mA
芯天下推出40V三相全桥MOSFET栅极驱动产品XTM2612，针对3PMOS+3NMOS类型，适用于100W以内小功率直流无刷马达及永磁同步电机等控制系统，在落地扇、空气净化器、扫地机器人吸尘风机、水泵等产品的使用上较为常见。
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NS S4 41 14 49 超低EMI、无需滤波器、3W单声道数字音频功放
本资料介绍了NS S4 41 14 49型3W单声道数字音频功放。该功放具有超低EMI、无需滤波器等特点，适用于移动电话、音乐手机、PDA、MP3、MP4等设备。主要特性包括3W输出功率、2.5V至5.5V工作电压范围、0.1%THD+N（总失真度+噪声）等。资料还提供了典型应用电路、极限参数、电气特性、芯片管脚描述等内容。
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XS9110A用户手册
XS9110A是一款25W的AB/D单声道音频放大器，适用于卡式录音机扬声器、蓝牙扬声器、迷你微型组件、音箱条、底座等。它具有低THD+N，提供高质量的音质再现。XS9110A具有无滤波器、低静态电流和低EMI的特点，并集成了过热保护机制。该设备提供多种输出功率，适用于5V至15V的宽电压范围，并具有改进的消除开关噪声的电路。XS9110A还具有关断功能，可降低不使用时的功耗。
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XS4890 用户手册
XS4890是一款单声道2.5W音频功放IC，适用于声玩具、安防监控、低压音响系统、蓝牙音箱和对讲机等应用。该芯片具有关断模式，低功耗，内置抗RF干扰电路，采用MSOP8/SOP8封装，支持宽工作电压范围，具有优异的抗干扰性能和稳定的增益带宽积。芯片可通过外围电阻调整电压增益，并提供详细的订购信息、典型应用电路图、管脚描述、特性说明和应用说明。
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【应用】汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6成功应用于埃安Hyper SSR超跑，工作电压900V
埃安独创的两档四合一高性能电机选用基本半导体汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6，支持900V工作电压，采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片。
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用于HID汽车照明的UBA2036TS全桥控制器IC
UBA2036TS是一款高压单片集成电路，适用于全桥配置的MOSFET驱动。它具备禁用功能、内部可调振荡器和外部时钟输入功能，并包含高压电平移位器。该IC适用于汽车头灯、投影仪和通用照明应用中的高强度放电灯驱动器。
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【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。
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XYT8002D-OPA 用户手册
XYT8002D-OPA是一款单声道AB类音频功放IC，适用于有声玩具、安防监控系统、低压音响系统和蓝牙音箱等便携设备。该芯片具有关断模式，可降低功耗，工作电压范围为1.8V至5.5V，输出功率为3W，失真度不超过10%。XYT8002D-OPA应用电路简单，无需外接耦合电容或缓冲网络，采用SOP8封装，具有宽工作电压范围、优异的掉电POP声抑制和单位增益稳定等特点。
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【应用】国产高压600V三相全桥驱动IC SLM2136用于伺服电机器设计，内部集成三个独立半桥输出通道
在伺服驱动应用方面中，为了更好驱动电机正反转及相应的速度，驱动芯片是必不可少的，数明半导体三相全桥驱动IC SLM2136是一款600V高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的半桥输出通道，适用于三相电机驱动应用。
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【经验】相移全桥电路的功率转换效率提升
相移全桥电路的功率转换效率提升总结，本文(ROHM)从工作和电流路径的特点角度，汇总了使用了SJ MOSFET的PSFB电路的效率提升关键要点。
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